【課題】透過性のある電磁波を用い積層状に重ねられた物体の積層数を非接触で計測する計数方法を提供すること。
【解決手段】薄板状物体を積層した積層状物体の該薄板状物体の積層枚数を計数する計数方法であって、前記積層状物体の一側面に対して電磁波を入射する工程（Ｓ１）と、前記積層状物体の他の一側面から透過した電磁波を受信して電磁波透過強度を求める工程（Ｓ２）と、前記積層状物体の電磁波を入射する一側面にフィルタを密着して重畳する工程（Ｓ６）と、前記フィルタを重畳した前記積層状物体の他の一側面から透過した電磁波を受信して電磁波透過強度を求める工程（Ｓ７）と、事前に求められた電磁波透過強度と積層状物体の積層枚数との関係を示す情報に基づき積層状物体の積層枚数を計数する工程（Ｓ３，Ｓ９）を有することを特徴とする積層枚数計数方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドのリード素子の素子形状を評価する素子評価方法及び装置に関し、同一の評価試料によってリード幅、コア幅及び素子高さを評価しうる素子評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料よりなる第１の部分と第２の材料よりなる第２の部分とが積層された第１の領域に電子線を入射し、第１及び第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第１の電子線強度を測定し、第１の材料よりなる第２の領域に電子線を入射し、第１の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第２の電子線強度を測定し、第２の材料よりなる第３の領域に電子線を入射し、第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第３の電子線強度を測定し、第１の電子線強度と第１の部分の厚さとの関係を、第２の電子線強度と評価試料の厚さとの関係及び第３の電子線強度と評価試料の厚さとの関係から算出することにより、第１の領域の第１の部分の厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】数〜数十原子層の膜厚からなる絶縁体層の膜厚に関して汎用性を損なうことなく測定精度を向上させた膜厚測定方法、及びその膜厚測定方法を用いて絶縁障壁層の膜厚を制御する磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】測定対象層１１と、測定対象層１１と異なる電子密度を有するスペーサ層１２とが基板Ｓの上に交互に積層された測定試料１０に対してＸ線を照射して小角度のスキャンを行うことにより測定試料１０のＸ線回折スペクトルを測定する。そして、Ｘ線の波長をλ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｎ次の回折角をθ_ｎ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｍ次の回折角をθ_ｍ、スペーサ層１２の膜厚をスペーサ膜厚Ｔ_ｒとするとき、測定対象層１１の対象膜厚Ｔ_ｐを式（１）に基づいて測定する。 （もっと読む）

【課題】人為的判断が入らず、条件により値が変わるなどの不正確さがなく、かつ磁性塗膜以外も適用可能な層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法を提供する。
【解決手段】元素組成の異なる層を有する構造物における層厚さ測定方法であって、前記構造物の断面を作製する断面作製工程１と、前記断面の断面画像を取得する画像取得工程２と、前記取得した断面画像から画像輝度データを得る画像輝度データ取得工程３とを備えており、前記断面画像の厚さ方向において、前記断面画像の前記画像輝度データの変化率が極値となる位置を前記層の界面位置とし、前記界面位置に基づいて前記層の厚さを求める。 （もっと読む）

【課題】 ロール間を走行する磁気テープがバタツキを生じても、磁性膜の膜厚を正確に測定することができる膜厚測定装置および膜厚測定方法を提供すること。
【解決手段】磁気テープＴの表面側に配置したＸ線管球４から所定の入射角で１次Ｘ線ｘ₁ を入射させ、磁性膜３内のターケット元素から発生する蛍光Ｘ線ｆ₁ の強度を入射角に対応する反射角の方向に配置した半導体検出器１１で検出する。また、磁気テープＴの裏面側には表面側のＸ線管球４に対向させてＸ線管球５を配置して１次Ｘ線ｘ₂ を入射させ、ターケット元素から発生する蛍光Ｘ線ｆ₂ の強度を表面側の半導体検出器１１に対向させて配置した半導体検出器１２で検出する。磁気テープＴがバタツキを生じても、半導体検出器１１によって検出される蛍光Ｘ線ｆ₁ の強度のカウント値と、半導体検出器１２によって検出される蛍光Ｘ線ｆ₂ の強度のカウント値との合算値は磁性層３の正確な膜厚を与える。 （もっと読む）

【課題】表面から散乱したＸ線の検出に基づいて、試料の表面上における周期構造の寸法を測定するための、改善された方法および装置を提供する。
【解決手段】試料をＸ線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにＸ線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱Ｘ線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したＸ線を受け取ることを含む。回折スペクトルは、構造の寸法を決定するために解析される。
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【課題】基板上の積層構造上のパターンの欠陥を、良好な精度で検出する基板検査装置、および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１の層上に該第１の層と組成の異なる第２の層が積層された積層構造上に、該第２の層が一部露出するように形成されたパターンの欠陥を検査する基板検査装置であって、前記基板上に１次電子を照射する電子放出手段と、前記１次電子の照射により生成される２次電子を検出する電子検出手段と、前記電子検出手段で検出された２次電子のデータを処理するデータ処理手段と、前記１次電子の加速電圧を制御する、電圧制御手段と、を有し、前記電圧制御手段は、前記１次電子が、前記第２の層が露出した部分で前記第１の層と前記第２の層の界面近傍以外の、前記第１の層または前記第２の層の中に到達するように加速電圧を制御することを特徴とする基板検査装置。 （もっと読む）

【課題】層寸法を正確に測定する方法を提供する。
【解決手段】平坦な試料の領域上に作用させるべく励起光線をあてるステップを有し、該試料は、その試料の面に垂直な側壁を持った特徴部を含んでおり、該側壁は、その上に薄膜を有している。励起光線に応じて試料から放出された蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）の強度が測定され、強度に基づいて側壁上の薄膜の厚さが評価される。別の方法では、研磨後の試料の表層にある凹部の幅と、凹部内に堆積した材料の厚さとが、ＸＲＦを用いて評価される。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属層を堆積させる方法および基板のトポグラフィカルフィーチャを３次元で測定するための方法の提供。
【解決手段】前駆体ガスは、直径約0.7mmのガス噴射システムの管状ノズル５０を用いてサンプル上方に導入される。約8×10¹⁷mol/cm²sのガス流が用いられる。図２に例示される実施形態においては、２つのノズル５０および６０が存在し、２種類の異なる前駆体ガス５５、６５が基板上方に導入される。対象となる領域を走査する走査電子顕微鏡の電子ビーム７０は、前駆体ガス５５、６５を活性化させるために用いられ、この結果、選択された領域４０の基板のトポグラフィカルフィーチャ上に金属層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープに形成された複数層の磁性膜の膜厚を迅速、簡易に、かつ高い精度で測定し得る膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供すること
【解決手段】 Ｘ線源２１によって磁気テープ２２の磁性膜１０にＸ線を照射し、磁性膜１０とシリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）３３との間にＴｉフィルタ２６とＡｌフィルタ２７を配置し、下層磁性膜１１、上層磁性膜１２に含まれるＦｅと、上層磁性膜１２にＦｅと共に少量含まれるＹとから放射される蛍光Ｘ線の内、Ｙからの蛍光Ｘ線の強度を相対的に強調してＳＤＤ３３に入射させる。ＳＤＤ３３よって電流パルスとして検出される蛍光Ｘ線の強度を電圧パルスに変換し、その電圧パルスの波高を計数回路３４によって蛍光Ｘ線の強度としてカウントして、小型コンピュータ２５により蛍光Ｘ線スペクトルを描かせ、ＦｅとＹについて波形分離して定量分析し、検量線に基づいて下層磁性膜１１、および磁性膜１０の膜厚を測定する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された薄い酸化膜の膜厚を、二次イオン質量分析法により、より簡便且つ正確に測定する。
【解決手段】既知の膜厚を有する酸化膜に一次イオンを照射することでスパッタリングしつつ放射される二次イオンの検出強度の最大値を取得して膜厚と二次イオンの検出最大値との関係を示す検量線を作製し、次いで、未知の膜厚を有する同一酸化膜に対して同様に二次イオンの検出最大値を取得し、その値を先の検量線に外挿することによって膜厚に換算することにより未知の膜厚を得る。 （もっと読む）

【課題】電子写真感光体を破壊、加工することなく、連続して検査することのできるＥＰＭＡ法による検査装置および検査方法を提供することである。
【解決手段】試料に電子線を照射する電子線光学手段が接続され、所定の真空度に保持された試料室と、真空排気手段および給気手段とが接続され、前記試料室との間で試料の出し入れを行う第１開口部および外部との間で試料の出し入れを行う第２開口部を有する予備排気室と、前記第１開口部を開閉するための第１仕切り弁と、前記第２開口部を開閉するための第2仕切り弁と、試料を保持して外部と予備排気室と試料室との間を移動する試料台と、この試料台の移動に対応して、前記第１仕切り弁および第２仕切り弁の開閉、予備排気室の給・排気を行う制御手段とを備えたことを特徴とするＥＰＭＡ法による検査装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの性能保障に必要なパターン寸法を精度良く測定するためのパターン寸法測定方法および装置を提供する。
【解決手段】パターン測定装置のパターン測定結果判定手段がパターン測定結果を妥当か否か判断する工程Ｓ１と、パターン測定結果を妥当でないと判定した場合に、測定カーソル最適化手段により測定カーソルの大きさまたは位置を修正する工程Ｓ２と、大きさまたは位置が修正された測定カーソルを用いてパターン寸法測定手段によりパターン寸法の測定を行う工程Ｓ３とを含み、工程Ｓ１がパターン寸法測定結果を妥当であると判断するまで、工程を繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に転写・形成された半導体集積回路パターンの高精度膜厚測定を非破壊検査で可能とする膜厚計測方法を提供する。
【解決手段】 製品パターンの製品２次電子信号波形を取得するステップ、製品２次電子信号波形から複数の製品特徴量を抽出するステップ、製品パターンと寸法規格が同じテストパターンの複数のモデル特徴量と複数の露光条件のそれぞれを未知数とする、予め算出された複数のモデル関数を用い、製品パターンの膜厚を計測するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】 研磨における加工終点を十分に検出することができる方法及びかかる方法を適用することが可能な研磨装置を提供することを目的とする。
【構成】 基板２００を研磨する研磨パッド２３０、ターンテーブル２２０や、トップリング２１０等から構成される研磨部と、前記基板２００の表面側と裏面側とのうち、いずれか一方に配置され、前記研磨部が前記基板を研磨する間、複数の陽電子１１２を放出する陽電子線源１１０と、前記基板２００を挟んで前記陽電子線源１１０と対向して配置され、放出された前記複数の陽電子１１２の寿命を測定する、シンチレータ１２２，１２４、ＣＦＤ１４２，１４４、ＴＡＣ１５０や、ＭＣＡ１６０等から構成される測定部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 膜厚測定方法及び膜厚測定装置に関し、簡便かつ迅速に薄膜の厚さおよび組成変化を測定する。
【解決手段】 薄膜の表面に加速したイオン４を照射し、その表面から放出される二次電子５に起因する試料電流により薄膜の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】描画されたパターン中から確実かつ精度高くかつ高速かつ人手に頼ることなく対象パターンを特定し、測長などする方法を提供する。
【解決手段】 設計データで表現されるパターンに、プロセスシフト情報を加味した第１のパターンを作成するステップＳ１〜Ｓ４と、描画されたパターンを拡大するステップＳ５、Ｓ６と、特定対象の第１のパターン、あるいは特定対象の第１のパターンとその周辺のパターンを含め、拡大されたパターン、あるいは拡大されたパターンとその周辺の拡大されたパターンを含めてパターンマッチングするステップＳ７と、パターンマッチングして一致あるいは最も一致した拡大されたパターンを出力するステップＳ８〜Ｓ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラスチックシートに貫通形成された微小孔の形成状態の良否判断を行う場合、電子顕微鏡等を用いての高倍率での観察が必要である。この場合、観察が容易でなく、また良否判断をするには形成状態を熟知している必要がある。
【解決手段】 穿孔前のプラスチックシートに薄膜を設け、プラスチックシートに穿孔して微小孔を貫通形成する。この後、プラスチックシートの薄膜を設けた面を観察面として、穿孔して貫通形成された孔部の周辺の皺や亀裂を観察することにより、微小孔の形状の検査をする。 （もっと読む）

【課題】 スペクトルの半値幅を用いずに，スペクトルの面積に基づいて被解析層の厚さを解析することにより，解析処理の迅速化，解析処理にかかる時間の短縮化，解析精度の向上を図ること。
【解決手段】 単層或いは複数層からなる試料にイオンビームが照射されることによって上記試料で散乱した散乱粒子のエネルギースペクトルに基づいて，上記試料の深さ方向の組成分布の解析を行うよう構成されており，被解析層に相当するエネルギースペクトルが単独で出現するときの散乱角度（特定散乱角度）へ散乱した散乱粒子のエネルギーを実測し，この実測により得られた実測エネルギースペクトルに単独で出現する上記被解析層の単独エネルギースペクトルを抽出し，そして抽出された上記単独エネルギースペクトルの波形で囲まれたスペクトル面積に基づいて上記被解析層の厚さを算出する。 （もっと読む）