【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、ＳＥＭの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なＳＥＭ画像を取得することである。
【解決手段】
電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるＳＥＭの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトよって生じるビーム径の増大が引き起こす計測再現性の低下を防止し，機差の発生に対処する機能を有する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料上に収束した一次荷電粒子線を走査して，試料から放出される二次荷電粒子を検出して得られるラインプロファイルを用いて試料上のパターン寸法を計測する荷電粒子線装置において，予めイメージシフト位置とビーム径変化を関連づけるルックアップテーブルを実測あるいは計算により求めて登録しておき，寸法計測時には，ルックアップテーブルを参照してラインプロファイルに対してビーム径変化分を補償するような画像処理を施すことで，イメージシフト位置によらず，実効的にビーム径が等しい状況を作り出す。これによって再現性の優れた荷電粒子線測定を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の偏向量を抑えて観察像の像質を向上させることができる荷電粒子線装置及びその観察位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ベース４０上を水平移動可能な粗動機構と、粗動機構上を水平移動可能な微動機構と、微動機構上に設けたトップテーブル４３と、ビーム偏向量に対して観察像の要求画質に応じて設定された許容範囲を記憶した記憶部７３Ｂと、撮像対象が観察領域に入るように粗動機構を制御する粗動機構制御部７２Ａと、撮像対象を含む低倍率の観察像の中心と撮像対象との座標ずれ量を算出するずれ量算出部７３Ｄと、座標ずれ量が許容範囲内か否かを判断する判断部７３Ｅと、座標ずれ量が小さくなるように微動機構を制御する微動機構制御部７２Ｂと、座標ずれ量が許容範囲内の場合に座標ずれ量だけビーム偏向量を補正する偏向補正制御部７０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線によって高い空間分解能で被検体の表面形状を検査できるようにする。
【解決手段】Ｘ線検査装置に、真空容器５に収められたリング状の電子エミッタ６およびリング状のＸ線ターゲット７を備える。リング状のＸ線ターゲット７から放出されたＸ線は、すべて所定のＸ線照射領域１１に向かう。このＸ線は、被検体に照射され、被検体から放たれる散乱または蛍光Ｘ線１２は、反射Ｘ線コリメータ２を通って、Ｘ線二次検出器３によって検出される。リング状のＸ線ターゲット７から放出されるＸ線９は、すべて所定のＸ線照射領域１１に向かうため、Ｘ線ターゲット７の熱衝撃を大きくすることなく、Ｘ線強度を増加させ、検査精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 高分解能のマイクロ蛍光Ｘ線測定を実行するための、改善された方法およびシステムを提供する。
【解決手段】 試料の表面に適用された材料を試験する方法は、既知のビーム幅および強度断面を有する励起ビームを試料の領域に方向付けることを包含する。励起ビームに応答して領域から放射された蛍光Ｘ線の強度が測定される。測定された蛍光Ｘ線強度および励起ビームの強度断面に応答して、ビーム幅よりも微細な空間分解能で、領域内の材料の分布が概算される。 （もっと読む）

【課題】実装済みプリント基板のように反りを有する測定対象の距離計測を行う場合においても、測定対象の全領域で高精度な寸法計測が可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】測定対象物１０３にＸ線を照射して該測定対象物の透過Ｘ線を撮像する平坦な受光面のＸ線撮像手段１０４と、測定対象物１０３を平坦な受光面のＸ線撮像手段１０４に対して平行に移動させる移動手段１０５と、移動手段１０５の移動距離と受光面のＸ線撮像手段１０４での測定対象物１０３上の基準領域の撮像位置の移動距離を測定する移動距離測定手段と、前記移動距離測定手段にて測定される測定対象物の移動距離と、前記基準領域の透過画像の撮像位置の移動距離より、前記測定対象物の透過画像の単位画素ごとの撮像倍率を算出する撮影倍率算出手段とを備え、算出される単位画素ごとの撮像倍率を用いて前記透過画像の移動距離の距離補正を行い、前記測定対象物上の距離を求める。 （もっと読む）

【課題】 低加速電圧を用いた高精度な三次元解析を行える走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 二次電子検出器１２よりも電子源側に、４分割された変換電極２１ａ〜２１ｄが配置されている。変換電極２１ａは対物レンズの下面（試料側）より上方に配置されており、その変換電極２１ａに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、変換電極２１ａの近傍の二次電子検出器１２ａに捕集される。同様にして、変換電極２１ｂに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｂにより捕獲され、変換電極２１ｃに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｃにより捕獲され、変換電極２１ｄに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、二次電子検出器１２ｄに捕集される。 （もっと読む）

【課題】 ナノオーダーでの生物現象を高時間分解能で計測する。
【解決手段】 反射型電子顕微鏡４は、バイオセル１２の表面に入射線１５を照射し、その反射散乱線２１の二次元強度分布である連続画像を撮影する。透過型電子顕微鏡５は、反射型電子顕微鏡５による撮影終了後に、静止したバイオセル１２の表面１２ａの三次元形状と、静止した生体試料１１の三次元形状を撮影する。解析装置は、反射型電子顕微鏡４及び透過型電子顕微鏡５の撮影した画像に基づいて、反射型電子顕微鏡４の撮影開始時刻から撮影終了時刻までの生体試料１１の変形及び運動を計算する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）