【課題】有機感光体表面にパラフィンを主体とする保護剤を塗布したときの、保護剤被覆率の測定方法、及び測定した被覆率に基づいて保護剤塗布装置の合否を判定する保護剤塗布装置の判定方法を提供する。
【解決手段】保護剤が塗布された有機感光体表面を四酸化ルテニウム水溶液の飽和蒸気に暴露した後、該有機感光体表面に加速電圧０．３〜１ｋＶの電子線を照射して反射電子像あるいは二次電子像を取得し、ついで該反射電子像あるいは二次電子像を黒部と白部からなる二値化画像に変換し、該二値化画像全体に占める黒部の面積の割合を前記有機感光体表面における保護剤の被覆率として算出する。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡便に、また試料の損傷を抑えながら最適な観察条件を見出して試料観察を可能にする試料観察条件設定方法及び装置、並びに試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明による試料観察条件設定は、電子線装置によって、基準となる観察条件の下、試料の所定の評価箇所におけるプロファイルを取得し、処理部が、上記取得されたプロファイルが所定の設定範囲内にあるか否かを判定し、この判定結果に基づいて、試料観察に用いる最適な観察条件を設定することによって実現される。より具体的には、まずあらかじめ条件検討可能な箇所を登録した後、該当する場所に移動し低倍率で電子線照射（以下プレドーズ）を行い、試料表面を帯電させた後、観察倍率に拡大して対象箇所の二次電子情報を得る。その後プレドーズを行いながら随時二次電子情報を得、その情報からパターン底部が観察・測定可能な状態であるかまた試料の破壊が発生しないかを逐次判断し、最適な観察条件を見出すものである。 （もっと読む）

【課題】試料の構成や膜種等によって測長誤差の生じることのない走査形電子顕微鏡の測長方法を提供する。
【解決手段】本発明の走査形電子顕微鏡による測長方法は、対物レンズから試料までの距離を検出するセンサの出力を用いて走査形電子顕微鏡を測定ポイントにオートフォーカスさせ、対物レンズの励磁電流を変化させながら試料から放出された試料信号の変化をモニターしてフォーカスずれに相当する対物レンズの励磁電流ΔIobjを検出する。そして、対物レンズの励磁電流ΔIobjを試料に入射する電子ビームの加速電圧ΔＶに換算し、試料に入射する電子ビームの加速電圧をΔＶだけ変更する。その後、測定ポイントの測長を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層構造上のパターンの欠陥を、良好な精度で検出する基板検査装置、および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１の層上に該第１の層と組成の異なる第２の層が積層された積層構造上に、該第２の層が一部露出するように形成されたパターンの欠陥を検査する基板検査装置であって、前記基板上に１次電子を照射する電子放出手段と、前記１次電子の照射により生成される２次電子を検出する電子検出手段と、前記電子検出手段で検出された２次電子のデータを処理するデータ処理手段と、前記１次電子の加速電圧を制御する、電圧制御手段と、を有し、前記電圧制御手段は、前記１次電子が、前記第２の層が露出した部分で前記第１の層と前記第２の層の界面近傍以外の、前記第１の層または前記第２の層の中に到達するように加速電圧を制御することを特徴とする基板検査装置。 （もっと読む）

【課題】
いかなるタイプのパターンであっても、その断面形状を順テーパから逆テーパまで、非破壊的に、正確かつ定量的に計測し得るパターン測定技術を提供する。
【解決手段】
走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。走査型顕微鏡で得られた上空写真の画像データから、パターンエッジ近傍の領域の形状を数値化することによって断面形状のテーパ傾向を評価する。上空観察結果のみから逆テーパ、垂直、順テーパなどのエッジの傾向を評価することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】試料上にレジスト材料が形成されていても、その表面形状を、ミラー電子プロジェクション式検査装置によって検出可能にするパターン検査技術を提供する。
【解決手段】試料７のレジスト材料表面に照射することでその表面の電気伝導度を上げることのできる波長（１６０〜２５０ｎｍ）の紫外光を、紫外光源３０より試料表面に対して全反射する角度（試料水平方向に対して約１０度以下）以下で入射させることにより、試料表面のみを導電性にするよう構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かし、微細パターンを高いスループットで形成することができ、かつパターンの重ね合わせ精度の向上をはかる。
【解決手段】 ウェハ５上に形成されたレジストに所望パターンを露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、感光材が塗布された下地基板のパターンを、感光材に電子ビームを照射することにより該感光材から放出される二次電子の情報に基づいて検出し、該検出されたパターンに位置合わせして露光を行う。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）