【課題】太陽電池パネルが備えるバイパスダイオードについて容易に診断することができる太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】太陽光発電システム１は、バイパスダイオードを有し、太陽光を受けて発電する太陽電池ストリング３ａ，３ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加することによって、発電時と同じ方向の電流を流す診断用電源１２ａ，１２ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加するか否かを切り替えるスイッチ部１４ａ，１４ｂと、太陽電池ストリングに流れる電流を測定する電流検出部１５ａ，１５ｂとを備える。太陽光発電システム１はさらに、診断電圧が印加された場合に電流検出部１５ａ，１５ｂによって測定される電流の大きさと予め定められた診断閾値とを比較し、比較の結果に基づいてバイパスダイオードに不具合があるか否かを判断する制御部１７を備える。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 （もっと読む）

【課題】電源および負荷が設けられるように構成された回路内の過渡電圧保護デバイスをテストする方法を提供する。
【解決手段】過渡電圧保護デバイスと並列に検出器を設けるステップと、回路内に設けられたスイッチングデバイスを開路するステップと、スイッチングデバイスを開路することによって生じる、回路インダクタンス内の電流の変化率によって引き起こされる電圧スパイクの特性を検出して、保護デバイスの状態を決定するステップとを含む。そのピーク電圧など、電圧スパイクの検出された特性が、期待される所定の値ではない、または期待される所定の範囲内ではない場合は、過渡電圧保護デバイス内に障害が存在すると見なすことができる。それにより過渡電圧保護デバイスは、稼働寿命の間に信頼性良くテストすることができる。 （もっと読む）

【課題】１台のハンドリング装置により１回で検査することができ、且つ再現性のある高精度な検査を行うことが可能な半導体装置の検査方法及び検査装置を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体装置が所定温度となるまで前記半導体装置を加熱する第一の工程と、前記半導体装置の前記過熱保護機能以外の機能の検査を行う第二の工程と、前記半導体装置を自己発熱させ、前記半導体装置の過熱保護機能が作動したときに前記半導体装置の有するダイオードの順方向電圧を検出し、前記順方向電圧を用いて前記半導体装置の温度を算出する第三の工程と、前記第二の工程において算出された前記半導体装置の温度が前記過熱保護作動温度範囲にあるか否かを判定する第四の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】隣接するＬＥＤからの干渉がウエハステージテスト中に得た電気的および光学的データに影響しないようにすること。
【解決手段】テストを受ける半導体装置（１０）の特性をテストするためのプローブヘッドがテストを受ける少なくとも一つの半導体装置（１０）を支持する誘電体フィルム（２４）を含み、この誘電体フィルム（２４）を支持フレーム（２６）がぴんと張って支持する。第１支持体（４０）がテストを受ける半導体装置（１０）の第１側（１６）と電気的に接触するための第１プローブ（２８）を位置決めし、第２プローブ（３０）を第１位置（Ｐ１）と第２位置（Ｐ２）の間で動かすアクチュエータを有する第２支持体（３４）が第２プローブ（３０）を位置決めし、この第２位置（Ｐ２）は、このテストを受ける半導体装置の対向する第２側（１８）と電気的に接触するためである。 （もっと読む）

【課題】多数のレーザダイオードを複数の温度域に対し、一つづつ自動測定する。
【解決手段】一回の回転角を４５度とした円形なインデックステーブルの外周縁近傍に４５度ピッチで８個のワーク受け入れホルダーを備え、そのホルダーを、１つ置きに高温および中温測定用のものとし、前記ホルダーの特定の位置をワークの供給部とし、その供給部から回転方向に数えて６つめの位置を測定部とする。まず、供給部に位置するホルダーに一つめのワークを供給し、４５度で２回回転させ、前記供給部に位置するホルダーに二つめのワークを供給し、前記一つめのワークが測定部で高温あるいは中温で測定が終了すると、回転方向の前隣となる測定済と異なる温度のホルダーへ移載し、再び前記測定部で異なる温度での測定を行い、測定終了後、その第一のワークを測定部より回転方向で１つ前隣となる位置でピックアップし、収納する。この作業をワークの数だけ繰り返す。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザービームの照射による改質層形成によりサファイアの分割を行う場合において、パルスレーザービームの条件により輝度がどれだけ低下するかを検査できるようにする。
【解決手段】サファイア基板について、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第一の分割予定ラインについて行うとともに、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第二の分割予定ラインについて行うことにより、第一の条件のみによって切り出された第一の発光デバイスと第二の条件のみによって切り出された第二の発光デバイスとを取得する。そして、第一、第二の発光デバイスの輝度をそれぞれ測定し、そのそれぞれについて、サファイア基板を分割する前に個々の発光デバイスについて測定した分割前輝度との差を求め、条件の違いによる輝度低下の差を検査する。 （もっと読む）

【課題】複数のダイオード素子を含有する微小なＣＳＰ型の半導体装置に対して、外部からの電気的影響を防ぎつつ個々のダイオード素子の容量特性を測定できる技術を提供する。
【解決手段】平面十字形に嵌合された遮蔽板４１、４２と４つのセラミックホルダを接着して接点ユニットＣＵ１に組み込み、セラミックホルダに保持された接触端子のうち、可変容量ダイオードの容量特性の測定に実際に用いられる４つの接触端子の各々が外部から電気的に遮蔽された状態を形成する。この状況下において、封止体２２中の複数の可変容量ダイオードの各々の容量特性を選別テーピング装置の第１の検査位置Ｔ１と第２の検査位置Ｔ２とに分散して測定する。 （もっと読む）

【課題】 従来、プローブを利用して半導体素子の特性を検査する装置にあっては、半導体素子の端子と接離するプローブによって、その端子が曲げられてしまう虞もあり、複数本の端子の検査時における完全な分離状態の維持が困難となってしまうという点であり、プローブの端子が剥がれる等の劣化も生じてしまう点である。
【解決手段】 半導体素子の端子に対して相互に対向して平行移動するホルダーを有し、そのホルダーに先端に接点となる金合金で形成されたプローブチップを固着し、バネ性を有するプローブを有し、前記したプローブチップで前記した端子に直接接触することとし、ターンテーブルの周縁に適宜ピッチで固着され、被検査ワークとなる半導体素子を嵌着する透孔部を形成したローディングプレートを有する半導体素子の検査装置において、前記した透孔部に下方から対向して半導体素子の端子のスペーサ部材を備えていることとする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤモジュールの保護素子をＬＥＤに逆電圧を印加することなく電気的な接続試験を行う。
【解決手段】
ＬＥＤ２の特性試験（ＬＥＤ点灯試験）の実施後に保護素子１に残る残電荷を計測部７にて電圧として計測し、回路接続の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】 従来、プローブを利用して半導体素子の特性を検査する装置にあってはプローブを複数種必要とし、また、リード線が長くなってしまい、高速パルスが通りにくくなって検査の精度に支障をきたしてしまう虞があったという点である。
【解決手段】 半導体素子の検査装置は保持部材に装填された半導体素子の端子を少なくとも先端が傾動及び復元可能とされたプローブ部材で電気的に接触させることとし、前記したプローブ部材は半導体素子の端子数と対応して複数設けられ、保持部材に装填された半導体素子を中心として放射位置に配設されていることとし、プローブ部材はプローブチップを先端に固着した板バネで成形されており、その板バネは中途に鈍角とされた少なくとも一箇所以上の屈折部により、先端を内方に寄せて、基板に固着形成されていることとする。 （もっと読む）

【課題】試験装置に関し、例えばレーザーダイオードチップの特性を試験する場合に適用して、簡易な構成で半導体チップの裏面の傷付きを防止する。
【解決手段】本発明は、定盤１２上にスライド可能に試料載置台３を載置し、この試料載置台３の両端部の双方又は一方の可動により、試料載置台３を移動させ、また回転させる。 （もっと読む）

【課題】調温時間や測定時間が異なる半導体素子であっても効率よく検査できる半導体素子の検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】所定温度に調整した半導体素子１の電気特性を測定する検査装置１０において、１の半導体素子１が載置され該半導体素子１の温度を調整する複数の試料台２０と、複数の試料台２０が所定間隔毎に一列に設けられた試料テーブル５０と、試料台２０に載置された半導体素子１の電気特性を順次測定する測定部６０と、試料台２０に半導体素子１を搬入するととともに、測定部６０において測定が完了した半導体素子１を試料台２０から取り出す搬送手段７０と、を有し、試料ステージ５０に設けられた複数の試料台２０のうち、試料台２０が半導体素子１を所定温度に調整するために要する調温時間Ｔａを測定部６０が１の半導体素子１を測定するために要する測定時間Ｔｍで除算して得られた値Ｔａ／Ｔｍの小数点以下を切り上げた整数ｎ個の試料台２０に半導体素子１を載置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度のばらつきを抑え検査の信頼性を向上させることができる半導体素子の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を保持する検査用治具１００が収容される恒温槽２０と、恒温槽２０内の温度を制御する温度制御手段６０と、半導体素子１を駆動して得られる信号を検出する検出手段７０とを備える半導体素子１の検査装置１０において、検査用治具１００は、貫通孔１０６を有するベース板１０２と、ベース板１０２上に配設され複数の半導体素子１を保持する保持手段１０４と、保持手段１０４に保持される半導体素子１から発生する熱を放熱する放熱体１１０と、を備え、恒温槽２０は１の検査用治具１００が収容される送風流路３４を有し、送風流路３４は、検査用治具１００によって上流側送風流路３６と下流側送風流路３８とに区画され、上流側送風流路３６に供給した温度制御手段６０からの空気が貫通孔１０６を介して下流側送風流路３８より排気されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査精度を向上させることのできる発光素子の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる発光素子の検査方法は、発光素子１０の欠陥を検査する検査方法であって、発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、決定した前記駆動電流を前記発光素子に順方向に注入しながら光出力を測定するステップと、前記光出力に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】長寿命の、半導体素子の特性検査用治具を提供する。
【解決手段】特性検査用治具１が、回路基板２と、それに着脱可能な電極アダプタ３とからなり、電極アダプタ３には、光出力−電流−電圧特性（ＬＩＶ特性）測定用電極部３ｂとバーンイン用電極部３ａが設けられている。電極アダプタ３が回路基板２に装着されると、電極アダプタ３の電極部３ａ，３ｂは、回路基板２のソケット２ａに装着された各半導体レーザ４に導通する。特性検査時には、ＬＩＶ特性測定用電極部３ｂの接続面にＬＩＶ特性測定器の接続ピンを押し当てて電気接続して、半導体レーザ４のＬＩＶ特性を測定し、バーンイン・オーブン内に治具１を挿入し、ソケットにバーンイン用電極部３ａを挿入してバーンイン工程を行い、再びＬＩＶ特性測定器でＬＩＶ特性を測定する。電極部３ａ，３ｂが劣化したら電極アダプタ３のみを交換する。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ装置１００の温度に対する温度制御の応答速度が速いために温度制御が正確で試験時間が短く、さらに低コスト化に優れたバーンイン装置およびバーンイン試験方法を提供する。
【解決手段】 恒温プレート２０２を含むプレート部に半導体レーザ装置１００が設置され、第１温度センサ２０８が恒温プレート２０２の温度を検出し、温度制御器２０９およびメイン制御ユニット２１０が第１温度センサ２０８によって検出された温度に基づいて恒温プレート２０２の温度を制御しつつ、フォトダイオード２１１およびＡＰＣ回路２１２が半導体レーザ装置１００の特性を測定し、メイン制御ユニット２１０が得られた測定結果に基づいて半導体１００の良否を判定するようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどの電子素子が如何に小型化されても、計測プローブの接触状態の良否に拘わらず、確実なケルビン接続を実現できる特性測定装置を提供する。
【解決手段】二つの計測プローブが半導体チップ３にケルビン接続されて構成される特性測定装置ＭＳである。半導体チップ３は、電気的に複数部分に区分された導電性を有する板バネ２ａ〜２ｄの上に配置され、組合せプローブＰＲによる押圧状態下で、その特性が計測される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの光出力を検出する検出部の受光感度等のばらつきを自動的に校正することができる半導体レーザの検査装置をコスト安価に提供する。
【解決手段】複数ｎ個のレーザ検査部２０を有し、複数ｎ個の半導体レーザ１を駆動して動作特性を検査する半導体レーザの検査装置１０において、各レーザ検査部２０は、駆動信号の入力を受けて半導体レーザに駆動電流を供給する駆動回路２２と、半導体レーザから放射される光出力を検出する検出部２４と、前記検出部２０で検出した光出力信号と基準信号Ｖ_ｒｅｆとを比較し該比較結果に応じて駆動回路２２に駆動信号を出力する比較回路２８と、を有し、前記基準信号Ｖ_ｒｅｆは、ａビットの第１ＤＡコンバータ５２と、各レーザ検査部２０に対応して複数ｎ個設けられたｂビット（ａ＞ｂ）の第２ＤＡコンバータ５４を用いて出力されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザでは、温度にはほとんど依存せずに、内部での光パワーの量、即ち外部で観測される光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有するものがある。光出力量が大きいほど進行する初期故障モードのスクリーニングが不十分であり、初期故障率が従来の活性層材料を有する半導体レーザに比べてやや高めである。
【解決手段】製造工程中に室温などの平均的な動作温度に比べて低い温度での大光出力の試験を取り入れることが有効である。これにより、光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有する素子を排除し、期待寿命を延ばす。 （もっと読む）