【課題】検査時間を短縮し、かつ諸所の検査温度との誤差を抑制する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１ａは被検査体２及び熱伝導体１１ａを載置可能な試料台１０と、前記試料台１０に対向して設けられ、前記被検査体２に接触して検査する探針（検査部）１４、この探針１４を支持するユニット１５及びユニットホルダ１３を有する基板１２と、前記ユニットホルダ１３及び前記試料台１０に接触しうる前記熱伝導体１１ａとを有し、検査方法は試料台１０に熱伝導体１１ａを設置する工程と、基板１２と前記熱伝導体１１ａを接触させる工程と、前記熱伝導体１１ａを前記試料台１０から移動し、前記試料台１０に被検査体２を設置する工程と、前記被検査体２に探針１４を接触させて検査をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】搭載不良の問題を解決し、半導体素子の品質を向上させ、スループットを向上させることができる半導体テスト装置を提供する。
【解決手段】半導体テスト装置であって、カスタムトレーが取り付けられるプレートと、前記プレートと連結され、前記プレートを移送させる移送器と、前記プレートが移送される間に前記プレートを振動させる振動器とを有する （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】他の装置を用いなくても、ＩＣソケットに実装されたＩＣを所望の温度に制御するとともに、温度制御中でも外部からＩＣの特性を測定することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ＩＣソケット５１は、ＩＣ（Integrated Circuit）２１〜２３を実装可能なＩＣソケット５１であって、ＩＣソケット５１に実装されたＩＣたる実装ＩＣ２１〜２３の底部と対向配置される底板部１と、底板部１上に載置され、実装ＩＣ２１〜２３の側部を覆い、実装ＩＣ２１〜２３の上部を露出する開口穴２ａが設けられた蓋部２と、底板部１に組み込まれ、実装ＩＣ２１〜２３の底部と接触して加熱／吸熱する第１加熱／吸熱部３，４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ，５ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源１と、電流計２と、電圧計３と、電流制御部４と、電圧読出部５と、判定部６とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してＰＮ接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した温度特性計測を実現できる温度特性検査装置を提供する。
【解決手段】温度特性計測装置１は、電子部品２が収容される凹部１２を有する電子部品搭載プレート１０と、この電子部品搭載プレート１０の電子部品２に対して直接又は間接的に熱を供給する温度制御ユニット３０と、電子部品搭載プレート１０に収容される電子部品の上面の少なくとも一部を覆うカバーユニット４０と、電子部品２の接点に対して電気的接続を確保するプローブユニット５０を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】搬送対象物を搬送路に沿って間欠的に搬送する際に、搬送対象物の各一時停止位置が温度によって変化することがない環境試験装置を提供すること。
【解決手段】環境試験装置１の上下搬送機構２０は、垂直搬送路１２内の各受け渡し位置２１（１）〜２１（８）でワークＷを一時停止させながら上方に搬送する。垂直搬送路１２に沿って延びるシャフト３１には複数の第１支持爪３３が設けられている。各受け渡し位置２１（１）〜２１（８）には、受け渡し位置２１（１）〜２１（８）に対して進退可能な第２支持爪３５が設けられている。上下搬送機構２０は、シャフト３１を上下方向に往復移動させることにより、第２支持爪３５によって各受け渡し位置２１（１）〜２１（７）で支持されているワークを、第１搬送爪３３によって支持し、その後、次の受け渡し位置２１（２）〜２１（８）まで搬送し、しかる後に、第２支持爪３５に受け渡す。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び応答性の高い電子部品の検査装置を提供する。
【解決手段】熱伝導部材の上面に対して接離可能に配置された蒸発器３５に、冷媒圧縮機５１からの供給冷媒Ｍｓを供給する冷媒供給配管４８と、蒸発器３５にて蒸発した供給冷媒Ｍｓからなる回収冷媒Ｍｒを冷媒圧縮機５１へ回収する冷媒回収配管４９とを接続する。冷媒回収配管４９には、ＩＣチップＴの搬送に伴って可動するようにホース配管４９Ｂが設けられ、ホース配管４９Ｂには、回収冷媒加熱器Ｈ２にてホース配管４９Ｂを硬化させない温度に加熱された回収冷媒Ｍｒを流通させる。そして、冷媒回収配管４９におけるホース配管４９Ｂと冷媒圧縮機５１との間と、冷媒供給配管４８との間に第１のバイパス配管５９を設けて供給冷媒Ｍｓの一部を回収冷媒Ｍｒに合流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の高温特性検査において、チップ面積を増大させることなく低コストで実現可能な半導体発光素子の温度特性検査装置および温度特性検査方法を提供する。
【解決手段】温度特性検査装置１０は、電流印加・電圧測定装置１と測定対象の半導体発光素子２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、電流印加部１１、電圧検出部１２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、たとえば、チッププローバであり、ウェハ状態の半導体発光素子２の電極にプローブをあて電流印加、電圧測定を行っている。測定された順方向電圧値や光出力値を用いて、たとえば、外部にある演算部３、判定部４により、半導体発光素子２の温度特性の良否判定が行われる。 （もっと読む）

【課題】恒温槽を使用せずに、ＩＣの温度を所望の設定温度に精度良く遷移させる。
【解決手段】温度試験装置１の温度制御部４０は、試験対象である発熱状態のＩＣ１１の温度を測定する温度センサ１０から測定温度を示すセンサ情報を取得し、取得したセンサ情報に基づいて測定温度の現在温度と前回温度を制御メモリ３０に記憶させ、現在温度と予め制御メモリ３０に格納された設定温度Ｔ_Ｓを比較し、現在温度と前回温度を比較する。温度制御部４０は、現在温度と設定温度Ｔ_Ｓを比較した結果と、現在温度と前回温度を比較した結果に基づいて、設定温度Ｔ_Ｓに対するＩＣ１１の温度の遷移状態を特定し、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置２０にＩＣ１１を冷却させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の特性検査などにおいて使用される電子部品の温度制御装置またはその温度制御装置を備えたハンドラ装置の冷媒流路を構成する蒸発器部分の配管の結露を防止する。
【解決手段】圧縮機１、凝縮器２、膨張器６及び蒸発器７を循環する冷媒流路を有した冷却サイクル装置と、蒸発器７に結合され電子部品４０と接触可能な面を有する熱伝導ブロック９と、熱伝導ブロック９を加熱する少なくとも１つの第１加熱器１０と、蒸発器７から圧縮機１へ戻る冷媒回収側の配管１８を加熱する第２加熱器１２とを備えた電子部品の温度制御装置。この場合、蒸発器７と第２加熱器１２との距離が近い場合には、それらの間の配管１８に断熱材２１を配置するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プッシャを含む装置を小型化する。
【解決手段】半導体試験装置２０において被試験半導体デバイス３００を試験用ソケット５００に向かって押圧するプッシャ２００であって、熱源４００に熱的に結合された本体部２１０と、それぞれが本体部２１０に対して物理的且つ熱的に結合され、本体部２１０からの押圧力により試験用ソケット５００に向かって変位しつつ被試験半導体デバイス３００の被押圧面に当接して、それぞれが被試験半導体デバイス３００を押圧し且つそれぞれが熱源４００からの熱を被試験半導体デバイス３００に伝える複数のデバイス押圧部２２０とを備える。プッシャおよび被試験半導体デバイスの間の熱伝導効率を向上させ、正確で迅速な半導体試験を実現するプッシャを提供する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の特性検査などにおいて使用される電子部品の温度制御装置またはその温度制御装置を備えたハンドラ装置の冷媒流路を構成する蒸発器部分の配管の結露を防止する。
【解決手段】圧縮機１、凝縮器２、膨張器６及び蒸発器７を循環する冷媒流路を有した冷却サイクル装置と、蒸発器７に結合され電子部品４０と接触可能な面を有する熱伝導ブロック９と、熱伝導ブロック９を加熱する少なくとも１つの第１加熱器１０と、蒸発器７から圧縮機１へ戻る冷媒回収側の配管１８を加熱する第２加熱器１２とを備えた電子部品の温度制御装置。この場合、蒸発器７と第２加熱器１２との距離が近い場合には、それらの間の配管１８に断熱材２１を配置するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を高温環境及び低温環境でテストできるテストハンドラー及び半導体素子テスト方法を提供する。
【解決手段】テストトレイＴに収納されている半導体素子をテストするためのハイフィックスボードＨが設けられたテストチャンバー２１と、テストトレイＴに収納されている半導体素子をハイフィックスボードＨに接続させるための第１コンタクトユニット３と、テストチャンバー２１に位置している半導体素子が、第１温度及び第１温度と異なる第２温度のいずれかの温度でまずテストされた後に残りの温度でテストされるように、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給する第１温度調節ユニット４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子部品の品質評価および寿命時間評価を短時間で高効率に実行でき、かつ、信頼性が高く再現性のある評価結果を得ることができる技術を提供する。
【解決手段】評価装置１０は、複数のチャンバー（３１〜３５）を備える。複数のチャンバーは、市場で想定される複数の環境ストレスを複数のサンプルにそれぞれ印加する。複数のサンプルの入出力特性が測定部（１１〜１５）により測定されて、その測定データはデータ収集部２１により収集される。データ演算部２２は、その収集されたデータからサンプルの入出力特性を品質工学の動特性のＳＮ比を用いて評価する。さらに、データ演算部２２は、チャンバーに印加されるストレスと市場でのストレスとの対応関係から定められる加速係数を用いて、サンプルの寿命時間を評価する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的テストにおける品種切り換え作業の質の安定化を図る。
【解決手段】恒温槽２０を備えた自重落下式ハンドラ等の電気試験装置において、ＤＩＰ３０を恒温槽２０の内部の位置決め部２０ｂに配置する工程と、ＤＩＰ３０を恒温槽２０の内部に配置されたソケット２に装着して恒温槽２０の内部でＤＩＰ３０の電気的テストを行う工程とを有し、ＤＩＰ３０をソケット２に装着する際に、恒温槽２０の外部に設けられたソケット２の位置調整機構により恒温槽２０の内部のソケット２の位置調整を行ってソケット２にＤＩＰ３０を装着する。 （もっと読む）

【課題】大気中、ガス中、真空中でワーク（対象物）を非常に短い時間で高温度へ昇温加熱する。又、銅ベースに付属しているハンダの溶融を可能とする。
【解決手段】高周波誘導加熱装置のコイルに流した高周波電流でワークの放熱板（金属板）に渦電流を発生させ、ワークの放熱板自身を発熱させる。また、高周波誘導加熱装置で直接ワークを加熱できない場合は、ワークに接触させて配設したサセプター（磁束吸収体）を発熱させ、接触面からワークへ熱を伝導させる事により、急速に昇温させる。 （もっと読む）

【課題】小型且つ安価で温度制御が容易であり、加えて、シリコンからなる半導体デバイスの温度限界を越える高温での昇温試験に適用することが可能な昇温装置、及び該昇温装置を用いた昇温試験方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素（ＳｉＣ）からなるＭＯＳＦＥＴ１０のドレイン電極に外部の直流電源２から電源電圧が印加され、印加された電源電圧から生成された可変のバイアス電圧がゲート電極１３に印加されることにより、ＭＯＳＦＥＴ１０が昇温する。電源電圧を抵抗器Ｒ３，Ｒ４で分圧した電圧に対して、電源電圧を抵抗器Ｒ１，Ｒ２で分圧した電圧の変化分をＭＯＳＦＥＴ２０にて所定の負の増幅率で増幅してドレイン電極２１で加算することにより、ドレイン電極２１の電圧が一定となり、前記バイアス電圧が一定に保たれる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの温度変化にプローブカードの温度を追従させ、プローブの間隔が半導体ウエハ上の電極の間隔に対して大きくずれることを抑制することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１１を保持するウエハチャック２１と、プローブカード１２を保持するプローブカードホルダ２２と、ウエハチャック２１をプローブカード１２の直下の検査位置Ａ１から退避位置Ａ２へ移動させるチャック水平駆動部２４と、プローブカード１２を加熱するための放射光２を生成するハロゲンランプ２５と、ウエハチャック２１の退避時に、ハロゲンランプ２５をプローブカード１２の下面と対向する照射位置へ移動させ、半導体ウエハ１１の検査時に、ハロゲンランプ２５を退避位置へ移動させる光源ユニット水平駆動部２８により構成される。 （もっと読む）