【課題】 熱抵抗測定の際の半導体の温度ができるだけ均一となるような発熱手段を用いる半導体の熱抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置における熱抵抗の測定方法は、複数の回路ブロックを有し、該回路ブロックは複数のｐｎ接合の並列する構造が存在している半導体装置にて、該半導体装置の温度を変化させるとともに、前記複数のｐｎ接合のうち、所定の第１のｐｎ接合に発熱に影響しない順方向の微小な電流を流して発生する発生電圧を測定し、該発生電圧から半導体装置の熱抵抗を算出する、半導体装置における熱抵抗の測定方法において、前記半導体装置の温度を変化させる方法は、前記複数のｐｎ接合のうち、前記第１のｐｎ接合以外の第２のｐｎ接合が降伏状態になるように電流を流して発熱させる方法であることを特徴とする。そのため、半導体装置の熱抵抗を精度よく測定できる。 （もっと読む）

【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源１と、電流計２と、電圧計３と、電流制御部４と、電圧読出部５と、判定部６とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してＰＮ接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ラッチアップ試験において、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐこと。
【解決手段】ラッチアップ試験装置は、被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するとともに、プルアップおよびプルダウン動作に伴って被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第１の差分とするとともに、被試験端子に電流パルスを印加する前後において定電圧源から電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第２の差分とし、第１の差分と第２の差分とを比較することで、ラッチアップが発生したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】測定時におけるスイッチング素子の破損の可能性を低くする。
【解決手段】ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれにプローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被検査体を電気的接続装置に配置する作業を容易にすることにある。
【解決手段】
電気的接続装置は、板状部材と、該板状部材に配置された多数の端子とを含む。前記多数の端子は、同一面内に位置する上端面を備え、前記電気的接続装置に被検査体が配置されると、前記端子のうち少なくとも２つの端子を含む一組の端子が、それぞれ、複数の電極を備える被検査体の各電極に接触する。この接触した前記端子が特定され、特定された前記端子を介して被検査体とテスタとの間で電気信号が送受信される。これにより、被検査体の電気的試験が可能となる。 （もっと読む）

【課題】短時間で立ち上がる電流を被試験デバイスに印加させる。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに電流を供給する電流源と、被試験デバイスに対応する電気的特性を有する擬似負荷と、電流源を擬似負荷に接続するか被試験デバイスに接続するかを切り替える切替部とを備え、切替部は、電流源を擬似負荷に接続した後に、擬似負荷に印加される電圧が予め定められた範囲内の電圧になると、電流源と擬似負荷との接続を切り離すとともに、電流源を被試験デバイスに接続する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイデバイスの劣化検出装置を提供する。
【解決手段】予め設定された劣化検出用電流を伝達する電源部と、互いに隣接した複数のピクセルユニットを備え、前記複数のピクセルユニット各々は、前記電源部からの前記劣化検出用電流を伝達されるピクセル部と、前記複数のピクセルユニット各々に対応する複数のスイッチグループを有し、前記複数のピクセルユニット各々に前記電源部からの前記劣化検出用電流を伝達して順次に電圧が検出されるようにするが、該当するピクセルユニットに前記劣化検出用電流が伝達される間、該当のピクセルユニットの次の順番のピクセルユニットに前記劣化検出用電流を予め伝達する伝達部と、前記ピクセル部の複数のピクセルユニットのうち前記劣化検出用電流が伝達されたピクセルユニットの電圧を順次に検出し、デジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換部と、を含むことを特徴とする劣化検出装置を提供する。 （もっと読む）

【目的】電圧検出回路を有するインバータ回路を搭載したパワー半導体モジュールにおいて、測定電圧のみを印加することで、インバータ回路の上下アームを構成する素子に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】分圧回路２３をインバータ回路５０からネジ部２７で切り離すことで、インバータ回路５０の上下アームを構成する素子（ＩＧＢＴ４ａ，４ｂ，ＦＷＤ５ａ，５ｂ）に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できる。 （もっと読む）

【課題】ロット間のばらつきやウェハ面内のばらつきがある場合でも、高精度で良品／不良品の判定を行なうことが可能な試験装置を提供すること。
【解決手段】基準空間作成部２２は、第１のロットの良品チップの試験データからウェハ内のチップに付されたチップ番号別に基準空間を作成する。基準値抽出部２５は、基準空間作成部２２によって作成された基準空間に対応する第１のロットの不良品チップの試験データから、基準空間のそれぞれに対して有効な試験項目およびその試験項目に対応する良否判定の基準値を抽出する。そして、良否判定部２６は、基準空間のそれぞれに対するマハラノビスの距離の平均をチップ番号別に算出し、平均値が最小となる基準空間に対応する基準値を用いて第２のロットのチップの良否を判定する。したがって、ロット間のばらつきやウェハ面内のばらつきがある場合でも、高精度で良品／不良品の判定を行なうことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを評価する技術を提供する。
【解決手段】
シリコン基板の一方の面に、複数領域からなる抵抗測温体としての金属配線膜１０１、及び、１つ又は複数領域からなるヒータとしての金属配線膜１０２の少なくとも何れかと、金属配線膜１０１及び金属配線膜１０２を実装基板と接続するための電極１０３と、が積層された半導体チップを実装基板に実装して、金属配線膜１０１を電流計及び電圧計と、金属配線膜１０２を電源と、電気的に接続することで、半導体チップの上記各領域における測温及び加熱、及び、その温度プロファイルが評価可能な評価システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤの輝度、電圧、電流を高度の悪環境下で逐次計測してＬＥＤの寿命を短期間で予測すること。
【解決手段】被試験ＬＥＤ７００をＨＡＳＴ装置５００内に配置し、このＨＡＳＴ装置５００がその試験条件に到達した後、被試験ＬＥＤ７００に外部から定電流を供給し,このＬＥＤの光量を光電素子９１０で受光し、その電流をＨＡＳＴ装置の外部に引き出して被試験ＬＥＤ７００の輝度を計測し、且つ、ＬＥＤ７００自体の電流と電圧との測定データをＨＡＳＴ装置５００の外部に引き出し、被試験ＬＥＤ７００の劣化傾向を予測する （もっと読む）

【課題】設計した半導体集積回路の経時的な信頼性を保証できるか否かを容易に検証できる試験結果記憶方法、試験結果表示方法、及び試験結果表示装置を得る。
【解決手段】半導体集積回路を構成するトランジスタに関する予め定められた物理量の大きさを変化させたときの当該トランジスタの信頼性の経時的な低下に関する信頼性試験を行うことによって得られた、物理量の大きさに応じたトランジスタの信頼性の経時的な低下量を示す試験結果情報を予め記憶したＨＤＤ５０から、当該試験結果情報を読み出し、読み出した試験結果情報により示された低下量を、最小低下量から最大低下量までの間を予め定められた範囲の量で連続する複数の領域に分割し、分割した分割低下量を、第１の物理量の大きさを分割した領域と、第２の物理量の大きさを分割した領域とに対応させると共に、分割低下量毎に異なる状態で示す表としてモニタ５２に表示する。 （もっと読む）

【課題】連続掃引をしてＤＵＴの特性測定を行う時に、ＤＵＴが破壊に至る特性変化の過程を容易に観測する方法を提供する。
【解決手段】連続して信号の掃引を行い、測定結果を表示する特性測定装置において、連続掃引を自動停止させる停止領域の設定をし、連続掃引による測定を行い、測定結果が、前記停止領域内に含まれて表示されたら、掃引を停止し、前記掃引停止の時点までの測定結果の履歴を表示する特性測定装置の特性観測方法。 （もっと読む）

【課題】全掃引点に対して測定が完了しなくても、短時間で特性の大まかな概形表示ができる特性測定方法および特性測定装置を提供する。
【解決手段】特性測定において、特性測定の掃引を複数の掃引に分割するステップと、前記複数の掃引の各々について、掃引が終了するたびに、蓄積された特性データを基に、特性グラフの概形表示の更新を行うステップと、前記複数の掃引の全ての終了により、全掃引による全特性測定データを基にした、特性グラフの完全表示を提供するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】電流計測用のプローブピンを複数設けたり、電流計測用のプローブピンにバネ弾性を持たせたりすることなく、電流計測時に電気抵抗が増大するのを抑制すること。
【解決手段】太陽電池用測定治具１には、太陽電池セルに流れる電流を計測するために使用する電流計測用端子バー２および太陽電池セルに発生する電圧を計測するために使用する電圧計測用プローブピン４を設け、電流計測用端子バー２は、導体にて一体的に構成し、電圧計測用プローブピン４は、その先端が上下に進退できるように電流計測用端子バー２に挿入する。 （もっと読む）

【課題】 ヒストグラムデータの収集時に特定のコードのカウントに対して複数のインクリメントを行う機能を改善する。
【解決手段】 ヒストグラムデータの収集時に単一のＲＭＷサイクルにおいて特定のコードのカウントに対し複数のインクリメントを行うことを開示する。これを実現するために、二重サンプリング除外回路は、デバイスから、パイプライン形式で、現在のコードと１以上の将来のコードを受信し、将来のコードのいずれかが現在のコードと同じであるか否か判断し、同じである場合、現在のコードに、現在のコードと一致する将来のコードの総数を足したものを示すインクリメント値を加算器に供給する。次に、加算器の出力は、現在のコードにより特定されるメモリロケーションに書き戻される。二重サンプリング除外回路は更に、デュアルポートＲＡＭといったメモリエレメントへの書込みイネーブルラインをディアサートすることによってより大きいインクリメントの一部として既に計数されているコードを「除外」する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に設けられた複数の半導体素子のそれぞれについてリーク電流の発生の有無を判定することが可能であるとともにリーク電流の発生箇所を特定することが可能なリーク電流検査装置およびリーク電流検査方法を提供する。
【解決手段】インバータ１の第一入力端子４１と第二入力端子４２との間に所定のバイアス電圧Ｖ_０を印加し、かつインバータ１の第一アーム１０・第二アーム２０・第三アーム３０のいずれか一つに対応する出力端子と第一入力端子４１・第二入力端子４２のいずれか一方との間に所定の測定電圧Ｖ_１を印加した状態で、当該出力端子の電流値を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明はFPGAの消費電流を精度よく算出する方法と、見積りツールの算出精度を評価する方法に関する。
【解決手段】FPGAのカスケード接続した論理セルの個数、クロック周波数、信号反転率の３つのパラメータのうちの１つを可変として実測した複数の消費電流データを読み込む実測データ読み込み手順と、そのデータを用いて、前記パラメータと消費電流との関係を一次式で表したときの係数を算出する関係式導出手順とを有するFPGAの消費電流関係式導出方法。 （もっと読む）

【課題】集積回路を基板に搭載しボンディングワイヤを接続した直後に、その接続状態を含む回路の健全性を非破壊検査する。
【解決手段】各信号入出力端子に内部回路保護用のダイオードが直列接続された保護回路を備えた集積回路１０を、任意の回路基板１１に搭載して、各入出力端子を回路基板１１の電気接点１２に直接もしくは間接的に電気接続した状態で検査を実施する。集積回路１０の入出力端子のうち、電源端子と接地端子とを選択して、電源端子を電気接続した電気接点１４と、接地端子を電気接続した電気接点１５とを短絡させて、第１の測定端子２５を接続する。集積回路チップの残りのいずれかの入出力端子を電気接続した電気接点に、スイッチ３４を介して第２の測定端子２６を接続する。第１の測定端子２５と第２の測定端子２６との間に、定電流電源２７を接続して、内部回路保護用のダイオードの順方向に一定の測定電流Ｉを供給し、両測定端子２５，２６間の電位差を測定する。これを、予め設定した基準値と比較する。 （もっと読む）