【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 強磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子連設体１７，１８，５２，５３を備える。各素子連設体では、素子部へ供給されるバイアス磁界Ｂ１，Ｂ２の方向が、隣り合う素子部で逆向きとなるように各バイアス層が配置されるとともに、平面視にて前記軟磁性体と重なり面積の大きい前記バイアス層を両側に配置した前記素子部と、前記重なり面積がゼロの前記バイアス層を両側に配置した前記素子部とが並んでいる。Ｐ１，Ｐ２は感度軸方向である。第１の素子連設体１７と第２の素子連設体１８とが直列に接続された磁気抵抗効果素子と、第３の素子連設体５２と第４の素子連設体５３とが直列に接続された第２の磁気抵抗効果素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気外乱物の存在に対して簡易に補償する。
【解決手段】この磁場測定値補償方法は、磁気外乱物の反対側に配置される磁場発生源の像の位置および磁気モーメントを、前記磁場発生源に対する位置および方向が既知である少なくとも１つの磁気センサにより測定される発生された磁場の１つ以上の測定値を用いて決定するステップ（６４）と、前記測定値を補償するため、前記磁気外乱物が存在する場合に、前記磁気センサにより測定される磁場の測定値から前記像により発生される磁場を差し引くステップと（７４）を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶装置において、精度のよい面積解像度に対応する低減された作動幅を有する変換素子を提供する。
【解決手段】磁気に反応する第１の面積範囲を有する自由層１３２と、第１の面積範囲よりも広い第２の面積範囲を有し、自由層に隣接する合成反強磁性（ＳＡＦ）層１３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】磁化率または飽和磁束密度が異なる複数種類の磁気情報のそれぞれを確実に検出できる磁気センサを実現する。
【解決手段】磁気センサ１の磁気検出部１０は筐体１１の天面付近に配置された磁気抵抗素子ＭＲ１及び抵抗素子Ｒ１と、これらの配置領域にバイアス磁界を印加する磁石１２を備える。この際、磁気抵抗素子ＭＲ１の感度のみによって設定される磁気検出信号Ｖｏｕｔ１の極大となる磁束密度が磁気抵抗素子ＭＲ１へ印加されるように設定する。例えば、バイアス磁界を１５０ｍＴよりも高く設定する。より詳細には、この設定するバイアス磁界は、被検出体９００の磁気パターン９０１，９０２の磁化率または飽和磁束密度に基づき、１５０ｍＴより高く４５０ｍＴ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】小型で消費電力の小さい磁気センサを得ること。
【解決手段】磁気センサ素子１０に磁界が印加されると、磁歪材料板２が伸びるまたは磁歪定数がマイナスの時は縮むことによって圧電体平板３に歪が生じて、ＳＡＷ素子１の弾性表面波の伝播方向のくし歯４１Ａ，４１Ｂ間の間隔Ｓが変化し、ＳＡＷ素子１の共振周波数ｆが変化する。したがって、磁界の変化が周波数の変化に変換され、磁界の変化の検出が可能となる。ＳＡＷ素子１は、圧電体平板３に電極を形成することで構成され、小型で、消費電力も少なくできる。また、磁歪材料板２もＳＡＷ素子１に応じて小型にできる。したがって、小型で、消費電力の少ない磁気センサ素子１０を得ることができる。 （もっと読む）

磁気的穴探知装置は、ＧＭＲセンサ手段を含むテスト磁場検出器を備え、穴の位置特定位置に対して配置された第１および第２磁場検出器（ＧＭＲとしてもよい）を含むテスト磁場検出器を備えることができ、それら検出器が、磁気軸を有し、その各々が、穴の位置特定位置から検出器への半径に対して直角に配置される。装置は、地球または周囲磁場の補正を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】磁界測定装置において、高分解能・高精度での測定とダイナミックレンジの拡大との両立を図る。
【解決手段】磁気センサ８の入出力特性の線形領域に設定される磁界計測範囲では、ΔΣ変調器２２及びデジタルフィルタ２４からなるＡＤＣが磁気センサ８の出力を高分解能の磁界計測データＤ_Ｍに変換する。磁気センサ８には、コイル１０によりバイアス磁界を及ぼし、磁界計測範囲をシフトさせることができる。コイル１０への駆動電流は、電流ＤＡＣ２８により離散的に変化させる。バイアス磁界の変化による磁界計測範囲の移動ステップは、ＡＤＣによる磁界強度の分解能より大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＱＵＩＤセンサを加熱して超伝導状態を壊し、磁束トラップを解除していた。このため、解除時にＳＱＵＩＤセンサに熱ストレスがかかるので、特性が変化し、あるいは破損してしまうことがあるという課題を解決する。
【解決手段】 ＳＱＵＩＤセンサに上部臨界磁場以上の磁場を印加して超伝導状態を壊し、磁束トラップを解除するようにした。ＳＱＵＩＤセンサに熱ストレスがかかることがないので、ＳＱＵＩＤセンサの特性が変化し、また破損することがない。 （もっと読む）

【課題】正磁界と負磁界を区別して検出可能であり、かつ、簡易な構成で低コストに製造することが可能な磁気スイッチを提供する。
【解決手段】磁気スイッチ１０は、例えばスイッチング動作を行う集積回路（図示略）を備えた半導体基板１１と、この半導体基板１１の一面１１ａ側に設けられ、面内方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子１３と、半導体基板１１の他面１１ｂ側に設けられ、磁気抵抗素子１３に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁石とを、少なくとも備えている。 （もっと読む）

【課題】特性劣化を回避でき、小型化が容易な磁気センサを提供する。
【解決手段】絶縁基材２１，５１，６１の片面に導体層２２，５２，６２を有し、その反対側の面に接着剤層２３，５３，６３を有し、かつ絶縁基材を貫通する貫通導体２４，５４，６４を有する配線基板２０，５０，６０を、複数積層してなる多層配線板からなり、多層配線板を構成する複数の配線基板のうちの一の配線基板２０の接着剤層２３には、アニール処理を施した磁性体素子チップ３０が内包され、別の配線基板の接着剤層には、アニール処理を施した薄膜磁石チップ４０が内包され、磁性体素子チップ３０の磁性体素子３２の両端部に設けられた電極３３が、一の配線基板２０に設けられた貫通導体２４を介して、一の配線基板２０の導体層２２に導通されている磁気センサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】検出する磁性体の種類や形状に依らずに安定して動作し、高感度で、且つ、小型化、省スペース化ができ、更には生産性が高い磁性体検出センサ及び磁性体検出装置を提供する。
【解決手段】磁界を発生する磁石１２と磁界の変化を検出する磁界検出素子１３とを含み、磁界検出素子１３は磁石１２のＮＳ方向を法線とし、磁石１２のＮＳ軸の中点より磁石の磁生体が近接する磁極と反対側の磁極側に位置する平面上に配置する。その際、磁石１２より印加されるバイアス磁界が磁界検出素子１３の磁化が飽和した領域に設定される位置に配置する。磁界検出素子１３は磁石１２の磁性体が近接する磁極と反対側の磁極と同一平面上に配置する。 （もっと読む）

【課題】磁石の近傍でも高感度な磁界検出素子を有効に動作させ、軟磁性材料等、媒体の磁気特性に依らずに量的な検出が可能で、小型で省スペース化が可能な磁性体検出センサを提供する。
【解決手段】磁界を発生する磁石１２と磁界の変化を検出する磁界検出素子１３とを含み、磁界検出素子１３は磁石１２のＮＳ方向を法線とし、磁石のＮＳ軸とそれの中点を除く点で交わる平面上に磁界検出方向が該平面と平行になるように配置する。また磁石よりバイアス磁界が形成される。磁界検出素子１３は磁性薄膜１５を有し、磁界検出方向は磁性薄膜の膜面に平行とする。磁界検出素子は磁石のＮ極またはＳ極に磁性体が近接した際の磁界変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】バイアス磁界の変化を正確に検出することができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】バイアス磁界を印加する磁石１と、バイアス磁界を変化させる磁性移動体２と、バイアス磁界を検出して第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２を出力する磁気検出部３と、第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２に基づいて、バイアス磁界の変化を検出する信号処理部４とを備え、信号処理部４は、第１検出信号ＯＰ１と第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を出力する第１比較回路２１と、第２検出信号ＯＰ２と第２比較電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、第２比較信号Ｖｏｕｔ２を出力する第２比較回路２２とを含み、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２は、第１比較回路２１および第２比較回路２２に入力され、第１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２と、第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２との少なくとも一方をオフセットさせる。 （もっと読む）

【課題】磁性体素子を両端まで有効に使用でき、センサの感度上昇を図ることが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁性体素子４と、磁性体素子４にバイアス磁界を印加する磁石２とを備え、磁石２は、磁性体素子４と重なる位置に配置されて積層体をなしており、かつ磁石２の磁界が強い端部は、磁性体素子４の反磁界が強い端部付近に配置する。磁石２は薄膜磁石であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ内を移動する被検知物の検知を可能とし、外部からの磁気の大きさの影響を受け難く、これにより検出精度の向上を可能とする磁気センサおよびこれを用いた傾斜角センサを提供することを目的とする。
【解決手段】周辺の空間の磁気を変化させる移動可能な磁性体球２６と、磁気抵抗が電気的に直列に形成され、かつ磁性体球２６の位置を検知する第１の検知領域８〜第８の検知領域１５を備えた第１の磁気抵抗部６および第２の磁気抵抗部７と、この第１の磁気抵抗部６および第２の磁気抵抗部７の抵抗値に応じて出力を行う出力電極４とを備え、第１の検知領域８〜第４の検知領域１１間の抵抗値および第５の検知領域１２〜第８の検知領域１５間の抵抗値をそれぞれ異なる値にしたものである。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上することができる磁気センサの製造方法及び磁気センサを提供すること。
【解決手段】一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを搭載する搭載部ｅ１〜ｅ３を複数有するリードフレーム１０に対して、各搭載部ｅ１〜ｅ３に一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着剤５０を介して配置して、リードフレーム１０とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する接着工程と、一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが搭載された搭載部ｅ１〜ｅ３毎にリードフレーム１０を分割する分割工程と、接着工程において、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃとリードフレーム１０とを仮止部材４０にて仮止めする仮止工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】強磁性体磁気抵抗素子により、単純な直流電圧の印加で磁性体量に比例した信号を検知できる安価な紙葉類の磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁性体等の検出物の移動による微弱な磁束の変化を検出する磁気センサにおいて、線状若しくは略並行に折り返された形状の強磁性体薄膜磁気抵抗素子を少なくとも１個以上配置した基板と、前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子にバイアス磁界を加える永久磁石とからなり、前記永久磁石による検出用磁界が同時に付与する前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となるように前記永久磁石の位置を調整して配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ＧＭＲ素子を用いた、角度のような物理量の変位を検出する変位検出センサにおける出力電圧の波形歪みを低減し、高精度のＧＭＲ素子を用いた変位検出センサを提供する。
【解決手段】
所定の磁化の向きに設定された固定磁性層を有する複数のＧＭＲ素子からなる、所定の角度オフセットを有する少なくとも２つのホーイストン・ブリッジ回路を設置し、前記ホーイストン・ブリッジ回路の電源を交流電源として、前記ホーイストン・ブリッジ回路の交流変調された出力に基づいて回転角度当の物理量の変位を検出する構成とした。
【効果】
ＧＭＲ素子のフリー磁性層の異方性自己バイアス効果を低減でき、フリー磁性層の異方性自己バイアス効果に基づく出力信号の波形歪みが改善できる。 （もっと読む）

【課題】検出対象とする磁界を、より高精度に検出可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂは、外部磁界に応じて変化する磁化方向を有する自由層と、特定の磁化方向を発現しない中間層と、一定方向に固着された磁化Ｊ５１Ａ，Ｊ５１Ｂを有する固着層との積層構造を有する複数の素子パターンを備える。第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂは、自由層の異方性磁界Ｈｋ１，Ｈｋ２の方向と平行な中心軸ＣＬを中心として互いに回転対称な関係にある。よって、初期状態において、第１のＭＲ素子１１Ａの抵抗と第２のＭＲ素子１１Ｂの抵抗とが互いに等しくなる。さらに、第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂの抵抗は、検出対象磁界に応じて互いに逆方向の変化を示す。 （もっと読む）