【課題】一台で高抵抗薄膜の抵抗値と表面凹凸を正確に測定できる測定装置を提供する。
【解決手段】載置板１２をポリアセタール樹脂で構成し、裏面にガード電極５２を配置する。載置板１２上に配置した基板２３の表面に、円環電極４３と円盤電極４４とを接触させ、円盤電極４４を電流計４７を介してガード電極５２に接続し、ガード電極５２を接地させて、円環電極４３と円盤電極４４の間に電圧を印加し、電流計４７の検出結果から基板２３表面の高抵抗薄膜の抵抗値が測定される。ポリアセタール樹脂の抵抗値は高く、表面は平坦なので、基板２３の表面に触針を接触させながら移動させて、触針６３の変位を測定して基板２３の表面の凹凸も正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特別な装置を用いずに、微細素子の容量を直接測定することができる容量測定回路、半導体装置および容量測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る容量測定回路１は、少なくとも１つの第１リングオシレータ（測定用リングオシレータ４）と、第１周辺回路部（測定用周辺回路部５）と、第２リングオシレータ（参照用リングオシレータ６）と、第２周辺回路部（参照用周辺回路部７）とを備えている。第１リングオシレータおよび第２リングオシレータに電力を供給する電源と、第１周辺回路部および第２周辺回路部に電力を供給する電源とは異なる。容量測定回路１は、第１出力信号の周波数および第１リングオシレータに流れる電流値より算出した第１容量から、第２出力信号の周波数および第２リングオシレータに流れる電流値より算出した第２容量を差引くことで測定対象の容量を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】４探針プローブの移動及び移動速度を容易に制御することが可能な抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】 試料が載置される測定ステージと、４探針プローブと、回転軸を有するモーターと、前記モーターの前記回転軸に連結された偏心カムと、前記４探針プローブを保持するとともに、前記偏心カムの回転に従動して前記４探針プローブを前記測定ステージに対して接近する側及び離間する側にそれぞれ移動させる保持体と、前記モーターの回転及び回転速度により前記４探針プローブの移動及び移動速度を制御する制御部と、を備えた抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】この発明は、簡易な構成および操作でありながら、試料の電気的特性測定電極と測定対象物との間の接触抵抗を測定でき、検査の信頼性を向上できる接触抵抗測定機能を持った半導体特性測定装置を提供する。
【解決手段】この発明の接触抵抗測定機能は、測定電極と測定対象物Xとの接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、測定電極と被測定対象物Xとの接触点における電圧を測定する非直流電圧測定器を有し、リアクタンス型電気結合器で非直流回路を構成し、直流回路はインダクターで非直流を遮断し、非直流による接触抵抗測定回路と、直流による半導体特性測定回路で相互に影響を及ぼさないで半導体特性測定と、探触子と試料との接触抵抗とを同時に測定可能にする。 （もっと読む）

【課題】製造時に発生する不具合を減少しつつ、回路面積を縮小可能なチップレイアウトを設計する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。ヴィアチェーンは、第１パッド１及び第２パッド２が接続される第１配線４と、一端が第１配線４に接続され、他端が第３パッド３に接続された、抵抗測定対象となるヴィア又はコンタクト６とを備える。 （もっと読む）

【課題】探針バイアス方法を用いても高抵抗の半導体薄膜の抵抗率をより正確に測定することができる薄膜抵抗測定装置を提供する。
【解決手段】薄膜の抵抗率を測定するための薄膜抵抗測定装置１００であって、所定の間隔で離間され、薄膜に接触させて薄膜に所定の定電流を供給するための第１端子１及び第２端子２と、薄膜に接触させて薄膜に所定のバイアス電圧を印加するための第３端子３と、第１端子１及び第２端子２に接続された定電流源１３と、第１端子１及び第２端子２と、第３端子３とに所定のバイアス電圧を供給するためのバイアス電圧印加部１４とを備え、第１端子１は第２端子２に対して高電位であり、第３端子３は、第１端子１を囲むように、ループ状に構成されている、又は、当該第３端子３と第２端子２とによって平面を構成するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の汚染状況を簡易な手法で評価する。
【解決手段】本発明の評価方法は、評価対象の基板１の表面抵抗率を測定するに際して、少なくとも測定点付近の湿度を連続的あるいは断続的に変化させて測定を行い、湿度変化に伴う表面抵抗率の変化状況に基づいて汚染状況を評価する。
本発明の測定装置は、基板１の表面に電極２ａを接触させて表面抵抗率を測定するための測定器本体２と、該測定器本体を内部に収容した状態で電極を基板表面に接触させ得る湿度可変チャンバー３と、該湿度可変チャンバーに測定空気を供給するための測定空気供給機構４を具備し、該測定空気供給機構には測定空気の湿度を調整するための湿度可変機構４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トランジスタの電気特性を向上させることを第１の課題とする。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率が１３以上（又は１４以上）である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上の高濃度にドープされたエピタキシャル層の抵抗率であっても、従来に比べて正確且つ容易に測定することができるエピタキシャル層の抵抗率の測定方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハ上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率を測定する方法であって、少なくとも、エピタキシャル成長装置に、モニターウェーハとしてＳＯＩウェーハを投入し、該ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上に、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させるエピタキシャル層の成長条件と同一条件でモニターエピタキシャル層を成長させ、その後、前記モニターエピタキシャル層の膜厚及び抵抗値を測定して前記モニターエピタキシャル層の抵抗率を算出し、該算出された抵抗率を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させる前記エピタキシャル層の抵抗率とすることを特徴とするエピタキシャル層の抵抗率測定方法。 （もっと読む）

【課題】複数のポート間の伝達係数を効率的に算出する。
【解決手段】パラメータ算出装置１は、互いに異なる周波数成分を含む少なくとも２個の入力信号を生成する信号生成部と、前記信号生成部によって生成された入力信号を試験対象物の異なるポートに同時に入力する信号入力部と、前記信号入力部によって入力された各入力信号が合成されて出力される出力ポートの出力信号を前記周波数成分に分解する周波数成分分解部と、前記周波数成分分解部によって分解された周波数成分と、複数のポートに同時に入力された入力信号の周波数成分とに基づき、前記試験対象物のポート間の伝達係数を示すパラメータを算出するパラメータ算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的特性と２本のプローブの校正とをプローブ付け替えせずに行え、高い校正精度を維持して電気的特性を測定することを可能にする校正用基板を提供する。
【解決手段】製品チップが形成される製品チップ領域、およびこの製品チップの電気的特性を測定するための校正用の校正用素子が形成される校正用素子領域とを有するウエハ５と、このウエハ５の製品チップ領域に形成され、互いにウエハ５面上で直交する入力信号経路６６および出力信号経路６７、６８を有する半導体素子４２と、それぞれウエハ５の校正用素子領域に形成され、この半導体素子４２の入出力に接触される２本のプローブ１４、１５及びプローブ１６の各プローブ先端が接触される互いに直交配置された入力パッドおよび出力パッドを入出力側に設けた４つの校正用素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単、低コストで効率的に電気伝導率、移動度、及び不純物準位の特定が可能な弾性表面波を用いた半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置を提供する。
【解決手段】両側に入力電極１１及び出力電極１２を備えた平板状の圧電体１３の入力電極１１及び出力電極１２の間の領域に対して、隙間を設けて平板状の半導体１４を平行に配置する第１工程と、入力電極１１に高周波入力電圧を印加して圧電体１３に弾性表面波を発生させ、弾性表面波に伴う交流電界を半導体１４に印加しながら弾性表面波を出力電極１２に向けて移動させて、出力電極１２で弾性表面波による高周波出力電圧を測定する第２工程と、高周波入力電圧の振幅電圧値V_ｉｎ及び高周波出力電圧の振幅電圧値V_ｏｕｔから、弾性表面波が入力電極１１から出力電極１２に移動する伝搬率V_ｏｕｔ／V_ｉｎを演算し、伝搬率を用いて半導体１４の電気伝導率の相対値を求める第３工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内の低抵抗を、検査器側のソケット構造を変更することなく、高精度に測定可能にする。
【解決手段】抵抗体１の両端と内部回路９，１０用の外部端子７，８との間にスイッチ素子１３，１４が設けられ、内部回路９，１０と外部端子７，８との間にスイッチ素子１５，１６が設けられている。抵抗体１の抵抗値を測定するとき、スイッチ切替部１７が、スイッチ素子１３，１４を導通状態にし、スイッチ素子１５，１６を非導通状態にする。これにより、抵抗体１に４個の外部端子３，４，７，８が電気的に接続され、４端子測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池等の電子デバイス等において、ＣＶ特性等の特性測定における予備測定を不要とし、より簡便かつ正確に特性測定を行うことにある。
【解決手段】被測定物の複素インピーダンスの周波数特性を測定する工程と、前記周波数特性の測定値からモンテカルロ法により、評価関数が最小になる素子定数を演算し、算出した素子定数を局所探索法の開始値として評価関数が極小値になる素子定数を演算し、これらの演算処理の繰返し回数を予め設定し、この繰返し回数だけ前記演算処理を所定回数だけ繰り返すことにより、前記極小値の中で最も小さい値を取る素子定数の組み合わせを抽出する。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の抵抗値について基準値に対するばらつきを検出する回路を提供する。
【解決手段】第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の抵抗に電流を供給する第１の電流源回路と、第２の抵抗に電流を供給する第２の電流源回路と、電流の供給により第１の抵抗に生じる電位差と第２の抵抗に生じる電位差とを比較する電圧比較回路と、第１及び第２の電流源回路の少なくとも一方の電流供給量をディジタル的に調整する制御回路と、を備え、制御回路の調整値と電圧比較回路の比較結果から第１の抵抗と第２の抵抗の抵抗値の比率を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極探針と被測定物との接触面積及び接触面の間隔それぞれをより高い精度で維持できる４探針プローブ及びそれを用いた抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る４探針プローブ１０は、本体部１１とその先端に形成された超硬ボール１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを有する電極探針と、電極探針が４本摺動可能に保持された軸受ガイド１２とを具備し、軸受ガイド１２は、粉末を用いた焼結加工によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コストを低減して化合物半導体結晶の導電率を測定する、導電率測定方法および導電率測定装置を提供する。
【解決手段】円柱形状の化合物半導体結晶１０を準備する工程と、マイクロ波を用いて化合物半導体結晶１０の導電率を測定する工程とを備えている。化合物半導体結晶１０は、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下の直径を有し、５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の厚みを有することが好ましい。化合物半導体結晶１０は、側面に平坦面１１を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光を受けると起電力が発生する半導体試料においても、信頼性のある抵抗率測定を行うことができる半導体試料の抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。電圧測定部１７は、４探針プローブ１５の探針ｂ、ｃ間で検出した半導体試料２２の起電力を測定し、制御部１４へ出力する。制御部１４は、電圧測定部１７の測定結果に基づいて半導体試料２２の照度変化に対する抵抗率の変化を求め、表示部１９に表示する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保することが可能となる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】プローブ５を定電流回路７に接続するか、プローブ５を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ１と、プローブ３を定電流回路７に接続するか、プローブ３を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ２と、プローブ４を定電流回路７に接続するか、プローブ４を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ３と、プローブ６を定電流回路７に接続するか、プローブ６を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ４と、電極Ｆ＋、電極Ｆ−、電極Ｓ＋及び電極Ｓ−の少なくとも１つの電極上において所定時間後に絶縁膜が成長する電極に接続されたプローブを定電流回路７に接続するようにスイッチＳ１〜スイッチＳ４を制御する切替制御回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信号のインテグリティを直接評価することによって、送端の出力インピーダンスおよび受端の入力インピーダンスの双方の最適値の決定を可能にする。
【解決手段】集積回路内１０_A，１０_Bに計測信号を発生する信号発生器３０と、計測信号出力端子２５における信号の波形をサンプリングするサンプリング回路４０と、入力される計測信号を終端する可変入力インピーダンス４２，４４を設け、計測信号出力端子２５と計測信号入力端子２６を集積回路間の配線の特性インピーダンスと同じ特性インピーダンスを持つ配線で接続する。受端の入力インピーダンスを高インピーダンスとして信号発生器３０の出力インピーダンスを変えつつサンプリング回路４０でサンプリングされる信号の波形を評価することによって出力インピーダンスの最適値を決定し、入力インピーダンスを変えつつ波形を評価することにより入力インピーダンスの最適値を決定する。 （もっと読む）