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Fターム[2G060FA05]の内容

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Fターム[2G060FA05]に分類される特許

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本発明は、マイクロアレイ上で特異的プローブとハイブリッド形成したゲノム標的の直接検出のための新規、高感度かつ迅速な電子式検出方法を提案する。この方法は、マイクロ電極アレイでの特定の電極部位へのDNA標的の高速電子的蓄積、標的DNAへのオリゴヌクレオチド標識金属(ナノ)粒子の連続的電気ハイブリッド形成および電極部位での電気化学ACインピーダンス変化のモニタリングからなる。この方法は、金属化テンプレートとして働くDNA標的上および迅速電気めっきのシードを提供する粒子上に電気めっきすることによって促進される。ACインピーダンス変化はDNA標的上およびアレイ電極部位間を電気めっきしている間モニターする。標的DNAの存在下または不存在下での信号は、アレイ電極間の「無接続」と「短絡」との違いである。 (もっと読む)


本発明は、アプタマープローブ、ナノ粒子・アプタマーコンジュゲートプローブ、アプタマー・アレイ、標的分析物のアプタマープローブとの結合を検出することからなる試料中の標的分析物を検出する方法、検出方法、およびキットを提供する。
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電解析出により製造されたカーボンナノチューブに基づくデバイス及びその応用が提供される。デバイスは少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス基板に堆積されたアクティブなカーボンナノチューブ接合アレイを少なくとも1つ有する。デバイスは基板、基板に配置され電源に接続された少なくとも1対の電極、及び少なくとも1対の電極間に配置された、半導電性カーボンナノチューブから本質的に構成されたカーボンナノチューブの束を有する。半導電性デバイスは2つの電極間でのカーボンナノチューブの電着により形成されてもよい。また、半導電性デバイスを形成する方法は、カーボンナノチューブロープにバイアス電圧を印加することによる。複数の金属性単層カーボンナノチューブは半導電性デバイスの形成に十分な量だけ(例えば、バイアス電圧の印加により)除去される。デバイスは、化学的又は生物学的センサ、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNFET)、トンネル接合、ショットキー接合、及び多次元ナノチューブアレイを含む。
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ドレイン電極84およびソース電極82を接続する少なくとも1つの有機分子87を含む分子単電子トランジスタ(MSET)検出デバイス14を記載する。使用中、前記少なくとも1つの有機分子87は量子閉じ込め領域を形成する。対象の分子(検体)を結合する少なくとも1つの検体レセプタ部位90、92が前記少なくとも1つの有機分子87近傍に設けられる。MSET検出器、前濃縮装置4、および流体ゲート構造体6を備えた流体分析器2も記載する。流体ゲート構造体6は前濃縮装置4から検出器14および排出口12のいずれか一方に選択的に流体を送るように配置される。前濃縮装置4、流体ゲート構造体6および検出器14は各々実質的に平坦な層として形成され、積層体または立方体として配置される。
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