【課題】複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることができる試料検査装置及び吸収電流像の作成方法を提供する。
【解決手段】複数の探針４を試料２に接触させ、試料２に電子線１を照射しつつ、探針４に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針４からの信号を差動増幅器６に入力する。そして、差動増幅器６からの出力を増幅し、これと電子線１の走査情報に基づいて吸収電流像７を作成する。これにより、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像７を取得でき、半導体試料２の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】簡単な手法によりプローブ先端と試料の間の距離及び接触を正確に検出することができる技術を提供する。
【解決手段】試料に電子ビームを照射する電子光学系と、試料に触針させる少なくとも１つのプローブと、試料からの２次電子又は反射電子を検出する複数の検出器と、を有する不良検査装置を用いて、試料上に形成された検査対象の電気特性を測定する。先ず、試料上の検査対象にプローブを接近させる。次に、複数の検出器からの信号を入力して、プローブの先端の像を含むように検査対象の画像を生成する。複数の検出器のうち、ユーザによって選択された検出器からの信号に基づいて、検査対象の画像を生成する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗性のオープン抵抗の特定を可能とする電子部品の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】電子部品の検査装置であって、当該検査装置は、電子部品における故障発生が疑われる配線に接続するための電流検出端子１０６と、電流検出端子１０６に接続されており、配線に生じた電流を検出する電流検出器１０５と、電流検出端子１０６と電流検出器１０５との間に設けられ、電流を通過させるか否かをゲートの開閉により切り替えるゲーティング装置１１２と、電子ビームを生成する電子銃１０１と、電子ビームをパルス化するパルスビーム発生装置１１１と、パルス化された電子ビームを配線に照射した際に生じた電流を電流検出器１０５により検出する際に、ゲーティング装置１１２のゲートの開閉を調整するゲーティング調整装置１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの微細化に伴い、露光の際のショットの形状の歪みがある場合には、電子顕微鏡によるウェーハ検査時のスループットの低下や自動化率の低下が認められ、ショット歪みに対する位置補正動作を実行する方式を提供する。
【解決手段】１つのショット内の複数点について位置ずれ情報を検出し、当該複数点の位置ずれ情報に基づいてショット歪みの情報を取得し、取得されたショット歪情報に基づいて、各ショットに固有の座標補正情報を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細化されたデバイスの特性評価のために、プローブ相互間及び試料とプローブとの位置関係を把握して、信頼性の高い検査装置及び検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、電子源と、前記電子源から放出される電子線を試料に照射し、試料から放出される信号を検出する検出器と、試料を搭載するステージと、前記試料に触針する探針と、を有する検査装置において、前記試料の形状及び前記探針の形状及び配置の情報に基づいて、前記試料と前記探針の三次元画像を構成する演算部を備え、当該三次元画像を表示する表示装置を備えたことを特徴とする検査装置を提供する。前記三次元画像は、任意の方向からの画像を表示することができることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶基板検査装置において、従来のコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認する。
【解決手段】プローブピンの接触位置の確認を、ＴＦＴ液晶基板にプローブピンを接触した後にＳＥＭ像を取得し、このＳＥＭ像中のプローブピンの位置からプローブピンの接触位置を確認する。これによってコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認する。プローブピンをＴＦＴ液晶基板に接触した後、電子線をＴＦＴ液晶基板に照射して検出器によって二次電子を検出してＳＥＭ像を取得し、取得したＳＥＭ像からプローブピンの接触位置を求め、求めた接触位置とコンタクトパッドの位置との位置関係から位置ずれ方向および位置ずれ量を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置から得られた半導体集積回路の異常信号と関連する回路を精度よく抽出する半導体集積回路の故障解析方法、故障解析装置、及び故障解析プログラムを提供する。
【解決手段】半導体検査装置より得た半導体集積回路の解析データに含まれる異常信号データについて解析データにおける装置座標系の座標を求める信号検出工程と、半導体集積回路の複数の基準点について装置座標系の座標と半導体集積回路の設計データにおける設計座標系の座標との対応を求め、装置座標系と設計座標系との座標変換式を求める座標変換工程と、座標変換式による装置座標系の座標と設計座標系の座標との位置誤差を求める誤差算出工程と、座標変換式と位置誤差とを用いて、装置座標系における異常信号の座標から、設計データにおける異常信号に関連する回路を抽出する回路抽出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】指定された配線の不良位置を自動で検出する装置を提供する。
【解決手段】試料にプローブと電子線を当て試料に吸収された吸収電流の像を利用して、長い配線でも不良位置を自動で検出する装置とその方法。プローブを当てたまま真横へ移動しながら吸収電流画像を取得し、その画像の吸収電流像を基にイメージシフトとステージの両方で補正する。試料回転ステージのないステージでバックラッシュ等の正しい角度で移動しないハード要因を含めて対策し、正確に長い配線の端まで移動しても配線を表示し続け、自動で配線の両端まで数往復する間に不良位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】集積回路のデバイス構造をナノプロービングするための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、デバイス構造の第１の領域全体にわたって、第１の領域に近接する少なくとも１つのプローブを使用して、１次荷電粒子ビームを走査することを含み、デバイス構造の第２の領域は１次荷電粒子ビームからマスクされる。この方法は、２次電子イメージを形成するために、デバイス構造の第１の領域および少なくとも１つのプローブから放出される２次電子を収集することをさらに含む。２次電子イメージは、結像部分としての第１の領域および少なくとも１つのプローブと、非結像部分としての第２の領域とを含む。別の方法として、第２の領域は、第１の領域よりも速い走査速度で荷電粒子ビームによって走査可能であるため、結果として第２の領域は２次電子イメージの結像部分でもある。 （もっと読む）

【課題】解析対象ネットに対して前段に位置する前段ネットからのＥＢＡＣ反応を防止した解析ヒット率の高いＥＢＡＣ解析方法及びそれに好適な装置を提供する
【解決手段】解析対象である解析対象ネット１０００に対して出力用のプリアンプ３に接続された第１のプローブ針１を接触する。また、前段ネット１１００または前段ネット１１００の電源配線１０１０に設置された第２のプローブ針２を接触する。プローブ針の接触後、電子ビームを照射し解析対象ネット１０００に対する。解析対象ネット１０００に蓄積された電荷はプリアンプ３を介して外部に出力される一方で、前段ネット１１００に蓄積された電荷は第２のプローブ針２を介して出力され前段ネットから排除される。これにより、ＥＢＡＣ解析時には前段ネット１１００の誤表示を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ホール底部の界面状態を高い感度で測定可能にし、しかも照射位置ズレの影響を受けることがなく、ビーム照射のＳ／Ｎ比を向上させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホールの界面状況を評価する半導体検査装置において、電子ビームＥＢをウェハ２３のコンタクトホールに照射してウェハ２３の吸収電流を測定する際、電子ビームＥＢをデフォーカスしてコンタクトホールより若干大きめのサイズにし、この電子ビームＥＢでウェハ２３のコンタクトホールをスキャンして吸収電流を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることに関する。
【解決手段】本発明では、複数の探針を試料に接触させ、試料に電子線を照射しつつ、探針に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針からの信号を差動増幅器に入力する。そして、差動増幅器からの出力を増幅し、これと電子線の走査情報に基づいて吸収電流像を作成することに関する。本発明により、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得でき、半導体試料の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、プローブのランダムアクセス操作のような厄介な作業をすることなく、電子顕微鏡等の走査型荷電粒子顕微鏡の観察から半導体デバイスにおける回路要素の導通等の検査を可能とする検査手法を提示し、それを実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明の検査手法は電子鏡筒２とイオンビーム鏡筒１と二次荷電粒子検出器４とをそなえた複合装置を用い、電子ビーム又は正電荷のイオンビームを半導体デバイス試料面に照射して高い帯電をさせた場合と、該高い帯電状態を示した領域の所望のパターンに逆電荷の正電荷のイオンビーム又は電子ビームを照射した場合との試料面のコントラスト変化を顕微鏡観察して電子回路検査するものである。 （もっと読む）

【課題】放電防止の機能を有し、吸収電流の検出をより効率よく行う検査装置を提供する。
【解決手段】吸収電流検出器２３を真空試料室２６の内部に搭載し、探針１９から吸収電流検出器２３までの信号配線のもつ静電容量を数ｐＦ程度まで低減することにより、数十ｋＨｚ以上の高周波数吸収電流信号であっても検出が可能となる。また、信号切換制御部１５により信号切換部２２を動作させ、試料９に接触した探針１９と半導体特性解析装置２５の信号線を導通させることにより、探針１９に繋がる信号経路を吸収電流の伝送に限定することなく、試料９の電気的特性の測定が可能となる。また、探針１９や試料ステージ１８に帯電のスローリークのための抵抗を設ける。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数本の探針を用いて検出された吸収電流を使用して、試料温度の変化した場合の吸収電流像を取得し、その画像の差分から不良箇所を同定することにより不良解析の効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】
本発明では、複数の探針を試料に接触させ、試料に電子線を照射しつつ、探針に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針からの信号を画像処理装置を通して吸収電流像を作成し、試料の温度変化による、画像の差分を取ることにより、不良箇所の同定をする。本発明により、半導体試料の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】試料ステージ及びプローブ装置の移動範囲が温度制御装置によって制限されることなく半導体試料の温度特性測定を行うことができる不良検査装置を提供する。
【解決手段】ヒータ５５によって試料ステージを加熱し、試料ステージに接続された熱伝達線３４、熱伝達線３４に接続された受熱部３６Ａ、受熱部３６Ａに対し着脱可能な受熱部３６Ｂ、受熱部３６Ａに接続された熱伝導線３５、及び熱伝導線３５に接続された熱伝達棒３７を介して冷媒容器３８に貯留した冷媒により試料ステージを冷却することによって試料ステージに保持された半導体試料２５の温度を調整する。受熱部３６Ａと受熱部３６Ｂを分離して試料ステージ及びプローブ装置の拘束を解くことにより、試料ステージ及びプローブ装置の試料室３０内における移動を可能とする。 （もっと読む）

【課題】プローブピンと電極との接触状態の確認に要する時間を短縮し、プローバフレームやプローブピンの調整時間を短縮する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電してパネルを駆動し、パネルの電圧状態によってＴＦＴアレイ基板を検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイを駆動する駆動信号を生成するＴＦＴ駆動回路と、ＴＦＴアレイ基板の電極と接触して前記駆動信号をＴＦＴアレイ基板に給電するプローバと、駆動信号の駆動波形の時間変化を目視で観察可能とする駆動波形観察装置あるいは駆動信号の駆動波形の時間変化を測定する駆動波形測定装置とを備える。駆動信号の駆動波形の変化を求め、駆動波形変化に基づいてプローブピンと電極との電気的接触状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度調整を局所的に行うことにより、試料ドリフトを抑制することができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体試料１１８を保持する試料ステージ１０９と、半導体試料１１８上の半導体素子の電気特性測定に用いる複数のプローブ１０６と、プローブ１０６に前記プローブに電圧及び／又は電流を印加する電源と、前記プローブが接触した前記試料上の半導体素子の電気特性を測定する検出器と、半導体試料１１８の測定対象箇所に電磁波を照射する電磁波照射機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】帯電によるウェハの電位分布を正確に推定し、リターディング電圧を適切な値に設定する。
【解決手段】半導体ウェハ１３の直径上の複数の点の電位を実測し、直径方向で隣り合う実測点間の電位をスプライン補間し、直径上の電位分布を求めた後、半導体ウェハ１３の中心を中心とする周方向で隣り合う点間の電位をスプライン補間して、半導体ウェハ１３内の電位分布に関する二次元補間関数を求める。そして、この二次元補間関数に、半導体ウェハ上の測定点の座標値を代入して、この測定点の電位を求める。 （もっと読む）