【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び一般式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含む露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。
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【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
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【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】撥液性に優れる硬化膜を形成することができるポジ型感光性組成物、該組成物による硬化膜、及び該硬化膜を有する表示素子を提供する。
【解決手段】フッ素を含むシルセスキオキサン基とアルカリ可溶性官能基とを有する、フッ素を含む重合体（Ａ）及び１，２−キノンジアジド化合物（Ｂ）を含有する感光性組成物を構成し、該組成物を焼成して硬化膜を形成し、該硬化膜を有する表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】水の後退角が大きいレジスト膜を与えることが可能な重合体、及び、これを配合したフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】１分子内に少なくとも２個のトリフルオロメチル基と、式（１）で表される１価の不飽和環状基と、水酸基とを有する単量体に由来する構造単位を含有する重合体。酸の作用によりアルカリ可溶性に変化するフォトレジスト樹脂、酸発生剤、及び、前記重合体を含有するフォトレジスト組成物。


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【課題】液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１２上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜１３を形成し、この下層膜をベークし、上記下層膜上に中間膜１４を形成し、この中間膜１４上にレジスト膜１５を形成する。上記レジスト膜をベークし、レジスト保護膜１６を形成し、このレジスト膜を液浸露光した後、上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光フォトレジスト膜において、アルカリ可溶性樹脂と併用するＳｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物の働きを、更に高めたフォトレジスト膜用トップコート組成物、及び該レジスト膜用トップコート組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、成分（Ｂ）Ｓｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物、成分（Ｃ）沸点１７５℃未満の溶剤、及び、成分（Ｄ）下記式（１）で表される添加剤を含有することを特徴とするレジスト膜用トップコート組成物、及びパターン形成方法。


（前記式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜６のアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜４のアルキレン基又は−（Ｃ＝Ｏ）−Ｙ−（Ｃ＝Ｏ）−基を表し、Ｙは炭素数１〜４のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）式（１）の繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明により、環状アセタール構造を有する新規高分子添加剤を用いたレジスト材料が提供される。この高分子材料は撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能である。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｘは一般式（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で表されるいずれかの構造を表す。（Ｘ−１）の中でＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a、Ｒ^3bは一価の有機基、Ｒ⁴はアルキル基、（Ｘ−２）の中でＲ^5a、Ｒ^5b、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^7a、Ｒ^7bは一価の有機基、（Ｘ−３）の中でＲ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^9a、Ｒ^9bは一価の有機基で、繰り返し単位（１）の−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−結合にＲ^2a〜Ｒ^3b、Ｒ^5a〜Ｒ^7b、Ｒ^8a〜Ｒ^9bのいずれかが連結する。）
【効果】この高分子材料は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能であり、かつ入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】インターミキシングを防止できる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する
【解決手段】本酸転写樹脂膜形成用組成物は、（Ａ）感放射線性酸発生剤、及び、（Ｂ）末端にシアノ基を有する重合体、を含有することを特徴とする。本本酸転写樹脂膜は、本酸転写樹脂膜形成用組成物を用いてなることを特徴とする。本パターン形成方法は、（Ｉ）酸解離性基を有する樹脂を含有し、且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、本酸転写樹脂膜形成用組成物からなる第２樹脂膜を形成する工程と、（ＩＩ）マスクを介して第２樹脂膜に露光し、第２樹脂膜に酸を発生させる工程と、（ＩＩＩ）第２樹脂膜に発生した酸を第１樹脂膜に転写する写工程と、（ＩＶ）第２樹脂膜を除去する工程と、をこの順に備える。 （もっと読む）

【課題】パターン転写性（特に、ＲＩＥでのレジスト曲がり耐性）に優れた下層膜を形成する可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】２つ以上のフェノール性水酸基、及び、アルキルチエニル基を有する芳香族環を繰り返し構造単位として含むノボラック樹脂（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成において、優れたリソグラフィー特性を示し、ディフェクトを低減できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖にオキシラン環を有する構成単位（ａ０）、前記構成単位（ａ０）に該当しない酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）、およびラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、アクティブマトリクス基板の絶縁膜としても使用できる高度の耐熱性、高熱履歴後の耐薬品性を有する永久レジストを提供できるポジ型感光性組成物並びに該ポジ型感光性組成物を用いた永久レジスト及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポジ型感光性組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される基を、１分子中に少なくとも２個有するシリコーン樹脂、（Ｂ）グリシジル基を有するシロキサン化合物、（Ｃ）ジアゾナフトキノン類及び（Ｄ）有機溶剤を含有する。永久レジストは、上記ポジ型感光性組成物を基材上に塗布し、塗布物を露光し、アルカリ現像した後に、１２０〜３５０℃の温度でポストベークして製造される。
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【課題】感度、解像性、ラフネス特性、パターン形状及びアウトガス特性に優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する感活性光線性樹脂組成物。


式中、Ａｒは、芳香族環を表し、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有してもよい。ｎは、１以上の整数を表す。Ａは、単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ(＝Ｏ)―、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、及び−ＯＳ（＝Ｏ）_２−から選択されるいずれか、あるいは２以上の組み合わせ（但し、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−を除く）を表す。Ｂは、３級若しくは４級炭素原子を含む、炭素原子数が４以上の炭化水素基を有する基を表す。ｎが２以上のとき、複数の−（Ａ−Ｂ）基は同一でも異なっていてもよい。Ｍ^＋は、有機オニウムイオンを表す。 （もっと読む）

【課題】塗布性に優れており、十分な定在波防止効果を備え、且つウエハー外周部における縞状欠陥の発生が十分に抑制された反射防止膜を形成できる上層反射防止膜形成用組成物及び上層反射防止膜を提供する。
【解決手段】本上層反射防止膜形成用組成物は、側鎖にＯＨ基を有する３級炭素含有基を有する（メタ）アクリレート単位（１）及び側鎖にスルホン酸基を有する（メタ）アクリレート単位（２）を含む重合体（Ａ）と、側鎖にスルホン酸基を有する（メタ）アクリレート単位（２）及び側鎖にパーフルオロアルキル基を有する（メタ）アクリレート単位（３）を含む重合体（Ｂ）と、水（Ｃ）と、を含有し、前記重合体（Ｂ）の含有量が、前記重合体（Ａ）１００質量部に対して、１００〜３００質量部である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光フォトレジスト膜において、アルカリ可溶性樹脂と併用するＳｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物の働きを、さらに高めたフォトレジスト膜の保護層用トップコート組成物、並びに該レジスト膜の保護層用トップコート組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、成分（Ｂ）Ｓｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物、及び成分（Ｃ）下記式（１）で表される溶剤を含有することを特徴とするレジスト膜の保護層用トップコート組成物、並びにパターン形成方法。


（前記式（１）において、Ｒ₁は炭素数２〜３のアルキレン基、Ｒ₂は炭素数３〜４のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】撥液性に優れる硬化膜を形成することができるポジ型感光性組成物、このポジ型感光性組成物による硬化膜、及びこの膜を有する表示素子を提供する。
【解決手段】ケイ素数３以上の直鎖のシロキサン構造とラジカル重合性官能基とを有するラジカル重合性モノマー（ａ−１）と、フェノール性水酸基を有するビニルケトンであるラジカル重合性モノマー（ａ−２）とを含むモノマーのラジカル重合体（Ａ）と、１，２−キノンジアジド化合物（Ｂ）とを含有し、アルカリ可溶性重合体（Ｃ）を含有していてもよい感光性組成物を構成し、この感光性組成物から硬化膜を形成し、この硬化膜を表示素子中の膜に用いる。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）(メタ)アクリロイルオキシ有機酸とビシクロラクトン化合物から誘導される特定の構成単位（ａ０）、および該構成単位（ａ０）に該当しない、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有し、かつその構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、金属配線上でパターニング開口部に残渣の発生を抑制でき、信頼性に優れた感光性樹脂組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明の感光性樹脂組成物は、金属配線上に製膜され、パターニングされる感光性樹脂組成物であって、アルカリ可溶性樹脂と、感光剤と、前記パターニングされた際の残渣を抑制する残渣抑制剤と、密着助剤と、を含むことを特徴とする。また、本発明の硬化膜は、上記に記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。また、本発明の保護膜および絶縁膜は、上記に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置および表示体装置は、上記に記載の硬化膜を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物の前駆体として有用である化合物、酸発生剤、レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物。一般式（ｂ１−１）で表される化合物。式中、Ｑ^１は二価の連結基又は単結合であり；Ｙ^１は置換基を有していてもよいアルキレン基又は置換基を有していてもよいフッ素化アルキレン基であり；Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の環式基を表し、該環構造中に−ＳＯ_２−結合を有する。Ｍ^＋はアルカリ金属イオンである。Ａ^＋は有機カチオンである。
［化１］
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