【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用される感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものであり、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ、現像欠陥が改良された感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の繰り返し単位を有する樹脂を含有する感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、現像欠陥に優れ、且つ、ラインエッジラフネス、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のアミド構造を少なくとも一つ含有する繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、感度、解像度、ラフネス、パターン形状及びアウトガス特性に優れた感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物として、新規なスルフォニウム化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】浸漬露光時の物質溶出が抑制された液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含む液浸露光用ポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、主鎖環状型重合体（Ａ１）と、アクリル酸から誘導される構成単位（ａ）を主鎖に有する非主鎖環状型重合体（Ａ２）とを含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示されるフッ素化合物に式（２）及び（３）で示される還元剤又は有機金属試薬を反応させる式（４）で示されるフッ素アルコール化合物の製造方法。


（式中、Ｒ¹はＨ、又はＣ１〜２０の１価炭化水素基で、１価炭化水素基の場合、構成する−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されていてもよい。Ｒ²はＨ、又はＣ１〜６の１価炭化水素基。Ｒ³、Ｒ⁴はＨ、又はＣ１〜８の１価炭化水素基。Ｍ¹は置換されていてもよいＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ。）
【効果】本発明の含フッ素単量体は、機能性材料、医薬・農薬等の原料として、中でも感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として有用である。本発明の方法によれば、単量体を極めて容易にかつ安価に製造可能である。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、感度、解像力、パターン形状、線幅面内均一性、現像欠陥、溶解コントラストが同時に改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂が、特定構造のモノマーによる繰り返し単位を有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】解像度に優れた化学増幅型ポジ型レジスト組成物を与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物用酸発生剤となる化学増幅型ポジ型レジスト組成物用酸発生樹脂を提供する。
【解決手段】高分子からなり、該高分子を構成する繰り返し単位として、放射線照射により酸を発生する塩のアニオン部分が結合した繰り返し単位であり、かつ繰り返し単位のカチオン部分以外の炭素原子間の結合がすべて一重結合である繰り返し単位を含むことを特徴とする酸発生樹脂。 （もっと読む）

【課題】本発明により、光リソグラフィを中心としたナノファブリケーションのための高分子素材として好適なハイパーブランチポリマーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のハイパーブランチポリマーの製造方法は、クロロメチルスチレン等のリビングラジカル重合により形成されるコア部に結合した、ｐ-ｔｅｒｔ-ブトキシスチレン等の酸分解性基をポリマー分子末端に有するハイパーブランチポリマーを製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、ラインエッジラフネス、ＰＥＢ温度依存性、プロファイルが改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の繰り返し単位 (Ａ１)と、特定の繰り返し単位(Ａ２)とを有する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】浸漬露光時の物質溶出の抑制とリソグラフィー特性とを両立できる液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含み、樹脂成分（Ａ）が、主鎖環状型重合体（Ａ１）と、アクリル酸から誘導される構成単位（ａ）を主鎖に有する非主鎖環状型重合体（Ａ２）とを含有し、非主鎖環状型重合体（Ａ２）が、下記一般式（ｐ１）［Ｙは低級アルキル基または脂肪族環式基を表す。］で表される酸解離性溶解抑制基（ｐ１）を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、環境変化に対し安定で、且つ、高感度、高解像力を有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により親水性が増大する基（ａ）を有する化合物及び（Ｂ）アルカリの作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基（ｂ）を有し、且つ、酸の作用により分解する基を有さない化合物を含有するか、或いは、（ＡＢ）活性光線又は放射線の照射により親水性が増大する基（ａ）及びアルカリの作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基（ｂ）を有し、且つ、酸の作用により分解する基を有さない化合物を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）で示されるラクトン含有化合物。


（式中、Ａ¹は炭素−炭素二重結合を有する重合性官能基を示す。Ｒ¹は構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示す。ＷはＣＨ₂、酸素原子、硫黄原子のいずれかを示す。）
【効果】本発明のラクトン含有化合物は、機能性材料、医薬・農薬等の原料として有用であり、中でも波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト組成物のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。また、本発明の重合体を感放射線レジスト組成物のベース樹脂として用いた場合、高解像性かつ液侵媒体である水への溶出及び水の浸入を抑制し、この高分子化合物がレジスト材料として精密な微細加工に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、感度、解像度、パターン形状及びアウトガス特性に優れた感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物として、アルカリ分解性基を含有するスルフォニウム塩を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、印刷再開時のスポット汚れ防止性に優れ、耐刷性に優れる平版印刷版材料、平版印刷版材料の製版方法および平版印刷を提供することにある。
【解決手段】支持体上に、（Ａ）活性光線の照射により酸を発生し得る酸発生剤、（Ｂ）水溶性高分子化合物、（Ｃ）酸で重合可能な基を少なくとも１つ有する化合物および（Ｄ）赤外分光増感剤を含有し、機上現像可能である感光層を有する平版印刷版材料であって、該（Ｂ）水溶性高分子化合物と、該（Ｃ）酸で重合可能な基を少なくとも１つ有する化合物との質量比（Ｃ／Ｂ）が１．２以上であることを特徴とする平版印刷版材料。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１ａ）で示されるスルホン酸塩。
ＣＦ₃−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＦ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （１ａ）
（式中、Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。）
【効果】本発明によれば、分子内に極性基であるヒドロキシル基を有しているため、水素結合等により酸拡散長を適度に抑えることができ、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際にウエハー上に残る水の影響も受けにくく、欠陥を抑えることができる。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示されるスルホン酸塩。
ＣＦ₃−ＣＨ（ＯＣＯＲ）−ＣＦ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （１）
（Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基を示す。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン）
【効果】本発明のスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩高いアシル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。 （もっと読む）

【解決手段】下記式（１）で示されるスルホン酸塩。
Ｒ¹ＳＯ₃−ＣＨ（Ｒｆ）−ＣＦ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （１）
（Ｒ¹は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基を示す。Ｒｆは水素もしくはトリフルオロメチル基を示す。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。）
【効果】本発明のスルホン酸は、α位（及びγ位）、β位にそれぞれ電子吸引性基であるフッ素、スルホニルオキシ基を有しているため強い酸性度を示す。その上、エステル部を置換することにより、嵩の高いものから低いものまで様々な置換基の導入が容易で、分子設計の幅を大きく持つことができる。 （もっと読む）

【課題】平版印刷版の製版技術において、高廃液の発生がなく明室下での作業性に極めて優れ、また印刷性に於いても特に耐汚れ性に優れた平版印刷版を提供する。
【解決手段】支持体上に親水性層を設けてなる平版印刷版において、該親水性層が印刷時に最表面を構成する層であり、かつ水酸基とその硫酸エステル基を有するポリマー及び金属酸化物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明硬化樹脂パターンにおいて、パターンの剥がれが生じにくいような感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂（Ａ）、キノンジアジド化合物（Ｂ）および溶剤（Ｃ）を含有する感放射線性樹脂組成物において、溶剤（Ｃ）として乳酸ブチルを含む感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含む化学増幅ポジ型レジスト材料。


【効果】特に超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料等のポジ型レジスト材料を与えることが可能である。 （もっと読む）