第１のレジスト層（１２）を基板（１０）上にコーティングすることによってマイクロ構造デバイスを製造する方法。レジストの放射線誘導熱除去によって、パターンが基板上に形成される。
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【課題】可撓性（柔らかさ）とともに耐熱性が優れたフレキシブル基板のソルダーレジストを提供する。
【解決手段】フレキシブル基板用ソルダーレジスト組成物は、水添ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ）と、エポキシ基と反応する官能基を有するゴム状化合物（Ｂ）とを含有する。 （もっと読む）

輻射線感光性組成物は、ラジカル重合性成分及び画像形成輻射線に暴露すると、前記ラジカル重合性成分の重合を開始するのに十分なラジカルを生成することができるホウ酸ヨードニウム開始剤組成物を含む。前記ホウ酸ヨードニウム開始剤組成物は、当該ヨードニウムカチオンフェニル環上に合計で少なくとも６個の炭素原子を提供する有機置換基を有する特定のホウ酸ジアリールヨードニウム化合物を含む。当該組成物を好適な基板に適用して、デジタルスピード及び貯蔵寿命が改善されたネガ型画像形成性要素を提供することができ、また平版印刷版を提供するため画像形成することができる。画像形成された要素は、機上又はアルカリ現像液を用いて機外で現像することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸露光に適したレジスト保護膜材料とパターン形成方法。
【解決手段】炭素数８〜１２のエーテル化合物を溶媒とするレジスト保護膜材料により、非水溶性でアルカリ水溶液（アルカリ現像液）に溶解可能。またレジスト膜とミキシングしない良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、パターン倒れ、スカムの諸性能が改善され、かつ液浸液の後退接触角ならびに水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有する含フッ素化合物、および（Ｆ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。（ｘ）アルカリ可溶性基、（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、（ｚ）酸の作用により分解する基。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスに優れ、かつ液浸液の水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する珪素原子を有さない樹脂、
（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）下記（Ｘ）〜（Ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つ有する珪素原子含有樹脂、並びに、
（Ｘ）アルカリ可溶性基、
（Ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し樹脂（Ｃ）のアルカリ現像液に対する溶解度を増大させる基及び
（Ｚ）酸の作用により分解し樹脂（Ｃ）のアルカリ現像液に対する溶解度を増大させる基、
（Ｄ）溶剤
を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時の物質溶出を抑制でき、リソグラフィー特性にも優れた液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、テトラフルオロエチレンから誘導される構成単位（ａ）を有する樹脂（Ａ１）と、アクリル酸から誘導される構成単位（ａ’）を有し、かつ前記構成単位（ａ）を有さない樹脂（Ａ２）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好なアルカリ溶解性を有するネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法が提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および架橋剤成分（Ｃ）を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記酸発生剤成分（Ｂ）は、カチオン部に水酸基を有する酸発生剤（Ｂ１）と、カチオン部に水酸基を有さない酸発生剤（Ｂ２）とを含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、通常露光及び液浸露光に於けるパターンプロファイルが改良され、且つ、液浸露光に於ける水追随性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）特定構造のフッ素原子含有繰り返し単位を有し、酸に対して安定で、アルカリ現像液に不溶である樹脂及び（Ｄ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＷＲ）、露光ラチチュード（ＥＬ）、ＰＥＢ温度依存性及びパターン倒れについて、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位、特定構造の第１の基を有する繰り返し単位及び特定構造の第１の基とは異なる第２の基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン
倒れが改良され、現像欠陥の少なく、解像力、孤立ＤＯＦ、ＰＥＢ温度依存性など諸性能に優れたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】特定の酸分解性繰り返し単位及び特定の非酸分解性繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１ａ）及び（１ｂ）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物をベース樹脂とし、有機溶剤及び酸発生剤を含有する化学増幅型のレジスト材料。


（ｎは１〜３、ａ１、ｂ１は０＜ａ１＜１．０、０＜ｂ１≦０．８。） （もっと読む）

【課題】得られる樹脂膜の耐熱形状保持性に優れ、パターン化樹脂膜を形成する際のメルトフロー時の温度マージンが広く、しかもレジスト材としても好適に用い得る感放射線性樹脂組成物、基板とこの上に積層された前記感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜とからなる積層体、及び、この積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】主鎖に環状構造を有する環状オレフィン系重合体１００重量部、感放射線性化合物１〜１００重量部及びブロックされたイソシアネート基を有するブロック型ポリイソシアネート化合物５〜８０重量部を含有してなる感放射線性樹脂組成物；基板と、この上に積層された前記感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜と、からなる積層体；前記感放射線性樹脂組成物を用いて樹脂膜を基板上に形成する工程を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】画像部が強固で耐刷性が高く、アルミニウム支持体を珪酸処理することなく、非画像部の地汚れが生じない溶出性の良好なネガ型感光性平版印刷版を提供する。
【解決手段】実質的に珪酸もしくは珪酸塩による処理が施されていない、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に、少なくとも側鎖にエチレン性二重結合を有する重合体、分子内に2以上のエチレン性二重結合を有する化合物、光重合開始剤および可視光から近赤外の波長領域に吸収を有する増感剤を含有する感光層を有するネガ型感光性平版印刷版において、該感光層内に、エチレン性二重結合とウレタン結合を併せ持つ化合物と、エチレン性二重結合と１，３，４−チアジアゾール基を併せ持つ一官能性光重合性モノマーを含むことを特徴とする感光性平版印刷版。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの方向、疎密差等に関係なく、しかもレジストパターン厚肉化材料の種類に依存することなく、該レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化され、露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、融点を９０〜１５０℃に有する脂環族化合物と、樹脂とを少なくとも含む。本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】繰り返し単位ａと、置換可ヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位ｂを有する下記一般式（１）で示される、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物。


（式中、Ｒ¹、Ｒ³は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ²は酸不安定基、Ｒ⁴は水素原子、アセチル基、アルキル基、又は酸不安定基である。ｍ、ｎは１又は２である。０＜ａ／（ａ＋ｂ）≦０．７、０＜ｂ／（ａ＋ｂ）＜１．０の範囲である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するビニルナフタレンを重合してなる置換可ヒドロキシスチレンの繰り返し単位ａと、置換可ヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位ｂを有する下記一般式（１）で示される、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物。


（Ｒ¹、Ｒ³はＨ又はＣＨ₃、Ｒ²は酸不安定基、Ｒ⁴はＨ、アセチル基、アルキル基、又は酸不安定基、ｍ、ｎは１又は２、０＜ａ／（ａ＋ｂ）≦０．７、０≦ｂ／（ａ＋ｂ）＜１．０。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＷＲ）、露光ラチチュード（ＥＬ）、ＰＥＢ温度依存性及びパターン倒れについて、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａａ）ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位及び第１の酸分解基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ａｂ） ラクトン構造とシアノ基とを有する繰り返し単位及び第１の酸分解性基とは異なる第２の酸分解基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】機上現像性、耐刷性も良好で、明室保存性、傷耐性に優れ取り扱いの良好な平版印刷版の提供。
【解決手段】支持体上に、画像記録層、保護層を順じ有する平版印刷版原版であって、画像記録層に重合性化合物、ラジカル重合開始剤、およびバインダーポリマーを有し、保護層にワックス粒子を含み、ワックス粒子の保護層固形分量に対しての添加量をＡ（％）とすると、１０＜Ａ≦８０であることを特徴とする平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用される感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものであり、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ、現像欠陥が改良された感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の繰り返し単位を有する樹脂を含有する感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）