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Fターム[2H025FA47]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | 画像形成法 (10,567) | 使用済レジスト層の除去・剥離 (121)

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【課題】基板の凸凹を気泡なくラミネートさせ、感度向上効果を有する感光性樹脂積層体、該感光性樹脂積層体を用いて基板上にレジストパターンを形成する方法、及び該レジストパターンの用途を提供すること。
【解決手段】支持体上に、感光性樹脂層、保護層を順次積層してなる感光性樹脂積層体であって、該保護層は、感光性樹脂層と接する面の平均粗さ(Ra)が0.5μm以上であり、該感光性樹脂層は、(a)カルボキシル基含有の熱可塑性共重合体20〜90質量%、(b)分子内に少なくとも一つの重合可能な末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー5〜75質量%、及び(c)光重合開始剤0.01〜30質量%を含むドライフィルムレジストであり、そして該(c)光重合開始剤としてヘキサアリールビスイミダゾール誘導体を含むことを特徴とする感光性樹脂積層体。 (もっと読む)


【課題】シロキサンポリマーを含む感光性組成物を基板上に塗工し、感光性組成物を硬化させることにより形成された膜を基板から剥離する方法であって、膜を基板から容易に剥離できる膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマーと、活性エネルギー線の照射によりシロキサンポリマーを架橋させる物質とを含む感光性組成物1を基板2上に塗工した後に、感光性組成物1に活性エネルギー線を照射し、感光性組成物1を硬化させることにより形成された膜1Aを基板から剥離する方法であって、10〜50℃の水中で10〜500kHz及び10W〜3kWの条件で5〜60分間、膜1Aに超音波をあてることにより、膜1Aを基板2から剥離する膜1Aの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】SiCの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する半導体基板上に光反射膜を形成する。光反射膜の上にフォトレジストを形成する。半導体基板にフォーカス検出光を照射して光反射膜で反射される反射光に基づいて調整された焦点位置に原盤マスクを介して露光光を照射してフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストの露光部分又は露光部分以外の部分を除去することによりフォトレジストにパターニング施す。 (もっと読む)


【課題】簡易な手段によりネガレジストを用いて、斜面を有する高低差の大きな三次元微細形状を得ることのできるレジスト露光方法を提供することにある。
【解決手段】第1回目の露光工程においては、フォトマスク38を透過した光を露光用マスク29に垂直に照射して通常の露光を行う。第2回目の露光工程においては、回折格子35を備えた露光用マスク29を用い、回折格子35の1次回折光で斜め方向からネガレジスト32に露光し、現像することによって斜面を形成する。 (もっと読む)


【課題】平坦化構造のアッシングに対する耐性を高めつつ、レジスト層の露光精度についても可及的に高める。
【解決手段】基板11上に形成した平坦化膜15の表面に、バリア層16を積層する工程と、バリア層16の表面にレジスト層20を形成する工程と、レジスト層20を露光してレジスト層20に開口部を形成することにより、マスクを形成する工程と、マスクの開口部を介して平坦化膜15をエッチングする工程と、エッチングされた平坦化膜15からマスクをアッシングにより除去する工程とを備え、バリア層16は、下層反射防止膜により構成されている。 (もっと読む)


【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板101上に下層膜102、中間層膜103を形成した後、第1のレジスト膜104を用いた1回目のパターン露光、及び第2のレジスト膜107を用いた2回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜103に転写し、さらに中間層パターン103bをマスクに下層膜102をエッチングして下層膜パターン102bを形成する。ここで、下層膜102は、フッ素系の界面活性剤又は無機のナノパーティクルを添加物として含み、酸素系プラズマに対する耐性が付与されている。 (もっと読む)


【課題】感度、解像度、および密着性に優れ、ドライフィルム保存時の脱色が起こらず、アルカリ性水溶液によって、現像しうる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(a)カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含む、酸当量で100〜600、重量平均分子量が5,000〜500,000の熱可塑性共重合体:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー:5〜75質量%、(c)光重合開始剤:0.01〜30質量%、(d)塩基性染料:0.001〜0.3質量%及び、(e)下記式(I)で表される少なくとも一種の化合物:0.01〜0.8質量%を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化1】


(式中、R〜Rは、H又は炭素数1〜12のアルキル基であり、これらは同一であっても相違してもよい。) (もっと読む)


【課題】露光直後に極めて良好なコントラストを有する感光性樹脂組成物、及びそれを用いた感光性樹脂積層体を提供すること。
【解決手段】(a)カルボン酸を含有し、酸当量が100〜600であり、重量平均分子量が5,000〜500,000のアルカリ可溶性高分子:20〜80質量%、(b)エチレン性不飽和付加重合性モノマー:5〜60質量%、(c)光重合開始剤:0.1〜20質量%、及び(d)ロイコ染料:0.1〜3質量%を含有する感光性樹脂組成物であって、(b)エチレン性不飽和付加重合性モノマーとして特定の化合物を含有し、(c)光重合開始剤として特定の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性樹脂積層体を用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】より具体的には被食刻層が備えられた基板上に第1〜第3のマスクパターンからなる積層パターンを形成する段階と、前記第3のマスク膜を食刻バリアに利用して第2のマスクパターンを側面食刻する段階と、前記第3のマスクパターンを除去する段階と、前記第2のマスクパターンの上部を露出するスピンオンカーボン層を形成する段階と、前記スピンオンカーボン層を食刻バリアに利用して被食刻層を露出させる段階と、前記スピンオンカーボン層を除去する段階とを含む半導体素子の微細パターン形成方法に関する。 (もっと読む)


【課題】感度、解像度及びレジスト剥離特性の向上に優れた感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】(A)スチレン系メタクリル酸系メタクリル酸エステル系の、三元共重合バインダーポリマー、(B−1)酢酸ビニル又はプロピオン酸ビニルのいずれか一方若しくは両方を成分のひとつとして含有し、さらに(B−2)ビスフェノールA系(メタ)アクリレート2官能モノマーを含有する光重合性化合物並びに(C)光重合開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法において有用である、除去可能な撥液性層を容易に形成することができる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】パーフルオロアルキル基含有重合性不飽和モノマーと他の重合性不飽和モノマーとを共重合することにより得られる、酸価20〜200であるパーフルオロアルキル基含有樹脂(A);および ジアゾナフトキノン化合物(B);を含む、感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法であって、ドライエッチング処理後のフォトレジスト層の除去が容易であって、所望の着色層パターンを形成することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】(a)支持体上に着色層を形成する工程と、(b)前記着色層上にフォトレジスト層を形成する工程と、(c)前記フォトレジスト層をパターン様に除去して前記着色層上に画像を形成する工程と、(d)前記パターン様に前記着色層をフッ素系ガスと酸素とを含むガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、(e)前記ドライエッチング処理によりフォトレジスト層の露出面側に形成された表面変質層を、含酸素ガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、(f)残存するフォトレジスト層を除去する工程と、を含むカラーフィルタの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板101上に下層膜102、中間層膜103を形成した後、第1のレジスト膜104を用いた1回目のパターン露光、及び第2のレジスト膜107を用いた2回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜103に転写し、さらに中間層パターン103bをマスクに下層膜102下層膜102をエッチングして下層膜パターン102bを形成する。ここで、第1及び第2のレジスト膜104、107は、化学増幅型のレジスト膜であり、第2のレジスト膜107は、第1のレジスト膜104よりも、レジストの感度を向上させる添加物、若しくはレジスト露光部のアルカリ溶解性を向上させる添加物を多く含んでいる。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングの解像度を最大限に発揮し得るパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板101上に下層膜102、中間層膜103、及び第1のレジスト膜104を形成した後、1回目の露光を行い、第1のレジストパターン104aを形成する。その後、第1のレジストパターン104aを中間層膜103に転写して、第1の中間層パターン103aを形成した後、その上に第2のレジスト膜107を形成し、2回目の露光を行い、第2のレジストパターン107aを形成する。その後、第2のレジストパターン107aを中間層膜103に転写して、第2の中間層パターン103bを形成する。第2のレジスト膜107を除去後、第2の中間層パターン103bをマスクに下層膜102をエッチングして、下層膜パターン102bを形成する。 (もっと読む)


【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物(A)と、第1,第2の刺激により活性化する刺激剤(B)とを含む感光性組成物1を基板2上に塗布した後に、該感光性組成物1に第1の刺激を与えることにより、感光性組成物1硬化させて得られた硬化物からなる感光性組成物膜1Cに、第2の刺激を与えて、硬化物からなる膜1Cを基板2から剥離する、膜1Cの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物(A)と、刺激により活性化し、アルコキシシランの縮合物(A)を架橋させる第1の刺激剤(B)と、第1の刺激剤(B)を活性化する刺激とは異なる刺激により活性化する第2の刺激剤(C)とを含む感光性組成物1を基板2上に塗布した後に、該感光性組成物1に第1の刺激剤(B)を活性化する刺激を与えることにより、感光性組成物を硬化させて得られた硬化物からなる膜1Cに、第2の刺激剤(C)を活性化する刺激を与えて、硬化物からなる膜1Cを基板2から剥離する、膜1Cの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部6を形成する第1のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部6を除去し支持体露出部を形成する第2のエッチング工程とで行う。 (もっと読む)


【課題】除去性に優れた半導体装置に用いられる有機平坦化材料を提供する。
【解決手段】光および/または熱処理(前処理)により、有機溶剤および/またはアルカリ水溶液に不溶となり、さらに光および/または熱処理(後処理)後、ドライエッチング処理する組成物に関し、前記後処理後のエッチングレートが、前記前処理後のエッチングレートに対し、1.2倍以上であり、該組成物が下記(a)および/または(b)を含有することを特徴とする半導体装置用組成物。
(a)23℃大気圧下で液体である有機低分子化合物に可溶性のポリマー
(b)重合性基および/または架橋性基を有する低分子化合物 (もっと読む)


【課題】2重露光を用いた超微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板110の上部に第1のハードマスク層120、第2のハードマスク層130.第3のハードマスク層140、第4のハードマスク層150を形成し、ライン/スペースマスクで第4のハードマスク層150と第3のハードマスク層140とを選択食刻して上部水平幅が下部より狭い第4のハードマスク層パターンと第3のハードマスク層パターンとを形成し、第4のハードマスク層パターン及び第3のハードマスク層パターンを埋め込む絶縁膜を形成し、絶縁膜を食刻マスクに第4のハードマスク層パターン及び下部の第3のハードマスク層パターンを選択食刻して第3のハードマスク層パターンと該下部に第4のハードマスク層パターンとを形成し、絶縁膜と第4のハードマスク層パターンとを除去し、第3のハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板をパターニングしてパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、テンティング性が優れ、良好なエッジフューズ性と追従性を有する感光性樹脂組成物、及び該組成物からなる感光性樹脂層を有する感光性樹脂積層体を提供する。
【解決手段】感光性樹脂組成物の総和に対して、(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜550であり、ベンジル(メタ)アクリレートを共重合成分として5〜80質量%、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを共重合成分として3〜60質量%含有し、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダ−用樹脂:20〜90質量%、(b−1)特定の光重合可能な不飽和化合物:3〜70質量%、(b−2)特定の光重合可能な不飽和化合物:3〜50質量%、ならびに(c)光重合開始剤:0.1〜20質量%、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


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