【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４ととを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を１つの受光素子５に向けて集光する集光手段（３１，３２）と、該受光素子５が受光する該２つの放射光の光量比を調整する光量比調整手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素ピッチがサブミクロン程度となるまで精細度を上げることができ、かつ、光の波長が、電極の波長−透過率特性に制限されない空間光位相変調器に関する。
【解決手段】本発明の空間光位相変調器は、複数の画素構成素子を備え、前記複数の画素構成素子の各々は、電気光学効果を有する電気光学材料と、該電気光学材料上に互いに対向するように配置された２つの電極とを備え、複数の画素構成素子の各々は、所定の間隔で配置され、電気光学材料内を透過する光の光軸は、２つの電極の間に存在し、電気光学材料の誘電率は、画素構成素子と隣接する画素構成素子との間の間隙中の誘電率よりも高く、複数の画素構成素子の各々の重心が、光の光軸と垂直な同一平面上にあるように、複数の画素構成素子を配置する。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４と、該基板の端部に該光ファイバと接続するための補強用キャピラリ３とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を、１つの受光素子５に向けて反射する反射手段（３１，３２）を該補強用キャピラリに設け、該反射手段で反射された２つの放射光が互いに交差するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号光の一部を電気光学変調器により切り出してパルス光を出力するレーザ装置において、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、信号光を出力する信号光源１１と、信号光源１１から出力された信号光を増幅する光増幅器２１と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器２５と、電気光学変調器２５の出射側に設けられ、光増幅器２１において発生するＡＳＥ光を検出するＡＳＥ光検出器２７と、電気光学変調器２５の作動を制御するＥＯ制御部５５とを備え、ＥＯ制御部５５が、ＡＳＥ光検出器２７により検出されるＡＳＥ光の強度が最小になるように、電気光学変調器２５のバイアス電圧を調整するように構成される。 （もっと読む）

【課題】容易に他のデバイスに組み込むことが可能なＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。
【解決手段】互いに導波路を結合したＰＬＣ−ＰＢＳチップとＳＯＡ−ＣＯＳとを備えるＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。ＰＬＣ−ＰＢＳチップは、第１および第２の光導波路と、マッハツェンダー干渉計回路と、ＴＭモードの光が伝播する第１の石英系光導波路中に形成された半波長板とを含む。ＳＯＡ−ＣＯＳは、第１の光導波路に接続された第３の光導波路と、第２の光導波路に接続された第４の光導波路と、少なくとも一方の第３および第４の光導波路に形成されたＳＯＡとを含む。第３と第４の光導波路のそれぞれ第１および第２の光導波路と接続しないもう一端同士は、Ｕターン部光導波路で接続される。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの少なくとも１つの中心導体の両側に位置する接地導体が、当該中心導体の上方をまたいで導体により接続されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】長さ方向における短尺化を図ることができる半導体光変調器を提供する。
【解決手段】２つのカップラー１１，１７とそれらを結ぶ２つのアーム導波路を備え、同一のアーム導波路上に高周波を印加して変調を行う変調電極１３ａ，１３ｂと直流電圧を印加して動作点を調整する位相調整電極１６ａ，１６ｂとを備える半導体からなるマッハツェンダー型の半導体光変調器であって、変調電極１３ａ，１３ｂの後に接続され２つのアーム導波路の間隔を狭くし、かつ２つのアーム導波路の伝搬距離を等しくする遅延部１４ａ，１４ｂと、遅延部１４ａ，１４ｂの後に接続され光の伝搬方向を１８０度変換する曲線導波路からなる折り返し部１５ａ，１５ｂと、折り返し部１５ａ，１５ｂの後に接続され光の位相調整を行う位相調整電極１６ａ，１６ｂとを備えた。 （もっと読む）

【課題】
パルスの振幅と位相をフィードバック系により操作することで所望形状のパルス波形を形成するパルス圧縮技術を提供する。
【解決手段】
光パルス圧縮装置１は、周波数コム光発生装置１１と、光パルスシンセサイザ１２と、光増幅器１３と、帯域拡大用光ファイバー１４１，分散補償用光ファイバー１４２とからなる光ファイバーモジュール１４と、光ファイバーモジュール１４からの光パルスＰを入射して、光パルスＰの波形を測定して、実測波形データＤ_wavを生成する光パルス波形測定装置１５と、光パルスＰのスペクトルを測定して、実測スペクトルデータＤ_spcを生成する光スペクトラムアナライザ１６と、光パルスシンセサイザ１２に振幅フィードバック制御信号Ｓ_Aと位相フィードバック制御信号Ｓ_Pを送出する光パルスシンセサイザ制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光導波路型の電気光学素子において、コア層となる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状の歪みを防止することを目的とする。
【解決手段】本発明の電気光学素子１は、電気光学材料の薄膜をコア層４とし、コア層４から順に誘電体クラッド層と電極層７ａ，７ｂとを積層して構成される光導波路２からなる。誘電体クラッド層は、第一のクラッド層５ａ，５ｂと第二のクラッド層６ａ，６ｂからなる。第二のクラッド層６ａ，６ｂの誘電率は、第一のクラッド層５ａ，５ｂの誘電率より大きく、第二のクラッド層６ａ，６ｂの膜厚６ｄ_ｃｌは、第一のクラッド層５ａ，５ｂの膜厚５ｄ_ｃｌより厚く設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さとが異ならしめて形成され、ＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さよりも低く成る。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光変調器を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射信号光を分岐する光分岐回路１０２と、光分岐回路１０２の出力側に接続され、電気信号に応じて伝搬光の位相を変調する位相変調器１０４ａ，１０４ｂと、位相変調器１０４ａ，１０４ｂからの出力を合流させる光合流回路１０６とを備え、さらに、光分岐回路１０２と光合流回路１０６のうち少なくとも一方が非対称な分岐比又は合流比を有し、位相変調器１０４ａ，１０４ｂから光合流回路１０６を経て出力側に導かれる信号光の強度が互いに異なるように設定した。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】環境温度の大きな変動に対して信頼性の高い高周波接続配線基板を提供する。
【解決手段】基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力され、基板の表面と裏面との間に導通のためのビアを複数有する高周波接続配線基板において、環境温度変化により複数のビア間でクラックが発生しないよう、ビアを形成すべき位置における接地導体の表面積に応じた所定の直径で各ビアが形成され、複数のビアは複数種類の直径から構成される。 （もっと読む）

【課題】 分散チューニングによる波長掃引では共振器内の分散が必須なため、光の周回時間と変調周波数のＦＭ変調を同期させた高速波長掃引の達成が難しかった。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する変調手段と、を備え、該変調手段の変調周波数に応じて光パルスの発振波長を掃引変化させる光源装置であって、
前記光共振器内を周回する光の前記波長分散に起因する遅延を含んだ光パルス列の時間的推移に呼応して、前記変調周波数の変化割合を推移させ、前記発振波長を掃引変化させることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板に形成された光を導波するための少なくとも２本の光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路に高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備する光変調器において、バイアス電極は、バイアス用相互作用部の２本の光導波路の一方および他方の上方に形成された第１バイアス電極および第２バイアス電極と、第２バイアス電極の一部であって第１バイアス電極を間に挟んで当該第２バイアス電極の反対側に形成された側置電極とを含んでなり、第１バイアス電極、第２バイアス電極、及び側置電極は、第１バイアス電極から発せられた電気力線が第２バイアス電極および側置電極に結合するＣＰＷ構造を成している。 （もっと読む）

【課題】被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮する。
【解決手段】一定方向に一定速度で搬送される被露光体４の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に平行に並んだ複数のレーザビームに強度変調を与えて射出するパターンジェネレータ６と、パターンジェネレータ６から射出した複数のレーザビームを被露光体４上に一定間隔に並べて集光するｆθレンズ７と、ｆθレンズ７を射出した複数のレーザビームを被露光体４の搬送方向と交差する方向に回折させて、互いに隣接するレーザビームの間の領域を同時に往復走査する音響光学素子８と、を備え、音響光学素子８は、レーザビームの回折方向の軸が光軸を中心に被露光体４の搬送方向と直交する方向に対して一定角度だけ回転した状態に配設され、音響光学素子４の光射出側には、複数のレーザビームの０次回折光を遮断する遮光マスク２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 （もっと読む）