【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、より低消費電力化を達成する。より視認性が良好で高画質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層を、第１の共通電極層と第２の共通電極層とで挟持された液晶層中央に配置することによって、第１の共通電極層、液晶層、及び画素電極層からなる第１の液晶素子と、画素電極層、液晶層、及び第２の共通電極層からなる第２の液晶素子という２つの光学素子を積層する構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】反射型ゲストホスト液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）である反射膜が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでゲストホスト液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層である反射膜が液晶層に突出し、ミクロンサイズの第１の凹凸、及び第１の凹凸上にナノサイズの第２の凹凸を形成して配置される。 （もっと読む）

【課題】静止画像を低消費電力で表示することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】静止画像を表示することのできる半導体表示装置を搭載した半導体装置において、画素部を形成する基板上にメモリ部を実装する。実装の方法は、画素部を形成する基板上にメモリ部を形成するか、またはメモリ部を備えたスティックドライバを用いる。そのようなメモリ部に格納された画像データを用いて静止画像を表示することにより、半導体表示装置の外部からは簡単な制御信号を入力するだけで静止画像を表示することが可能となり、低消費電力で静止画像を表示することのできる半導体表示装置および半導体表示装置を搭載した半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】高解像度の映像を表現できるＣＯＧ方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ＬＯＧせん断でのインピーダンス整合とタイミングコントローラー出力端でのインピーダンス整合を利用して、硝子基板上の伝送線路の抵抗値と無関係にソースドライバーＩＣ入力端の反射波を最小化させることにより、軽量化と薄型化を維持しながらも周波数特性を向上させて、高解像度及び高品質の映像表現が可能であるようにさせたチップオングラス（ＣＯＧ）方式の液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層及び共通電極層が、液晶層に突出し、かつ隣接するもの同士が液晶層を介在して間隔をもって噛み合うように配置される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】静電破壊を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板と、絶縁基板の上方において第１方向に沿って延出したゲート配線と、絶縁基板の上方において第１方向に交差する第２方向に沿って延出したソース配線と、少なくとも第２方向に沿って延出しゲート配線及びソース配線から離間したガードリング配線と、ソース配線とガードリング配線との間においてガードリング配線に最も近く第２方向に沿って延出した第１配線と、ソース配線と第１配線との間において第１配線に最も近く第２方向に沿って延出した第２配線と、を備えた第１基板と、第１基板に対向した第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、第１配線は、ガードリング配線及び第２配線から離間し、第１配線とガードリング配線との最短距離が第１配線と第２配線との最短距離より長いことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第２の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜上において該第２の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】より確実に過度の電圧変動を低減して輻射ノイズの発生を抑制することにより、駆動用ＩＣチップの動作の安定化を図ることができるとともに、製造工程の容易化および製造コストの低廉化を図る。
【解決手段】電極基板２の端子部２ａにおける駆動用ＩＣチップ１１の実装位置の近傍であり、かつ駆動用ＩＣチップ１１と外部配線９との間における端子電極１０に、誘電体１５および導電体１６が順次積層されてなるバイパスコンデンサ１７を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にｉ型（真性）化されたものである。 （もっと読む）

【課題】バックライトからの光を有効利用することによって非自発光表示部の輝度を向上させた液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
液晶層を介して対向配置される一対の透明基板を備え、少なくとも、光を透過し得る透光領域と光を遮光する遮光領域を有する非自発光表示部と、非自発光表示部の裏面側からバックライト光を照射するバックライト部とを備える液晶表示装置であって、前記一対の透明基板の内で前記バックライト部側に配置される透明基板は、当該透明基板の液晶層側に積層され、前記透光領域に対応する開口領域が形成される金属薄膜からなる反射膜を備え、前記開口領域に入射される前記バックライト光を通過させると共に、前記反射膜が形成される領域に入射される前記バックライト光を前記バックライト部側に配置される透明基板に反射させる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライバー集積回路チップの電源連結構造に関し、より詳細には、ドライバー集積回路チップ内部のルーティングパターンをＬＯＧと並列で配置して、チップの両端に配置された電源を連結することで配線を簡素化してライン抵抗を減少させることができるドライバー集積回路チップの電源連結構造を提供する。
【解決手段】本発明によるドライバー集積回路チップの電源連結構造によると、ドライバー集積回路チップの入出力端子の配線数を減少させて配線を簡素化して、これによりチップサイズを減らして及び製造費用を減少させることができる効果があり、チップ内部のルーティングパターンとＬＯＧを並列で連結することでライン抵抗が減少されて、信号の遅延を減らすことができる長所がある。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電を防止するための金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過して酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】 保護材の塗布時間を短縮し、液晶表示モジュール（液晶表示装置）の低コスト化を図る。
【解決手段】 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、前記第１の基板は、前記第２の基板と重ならない非重畳領域と、前記非重畳領域に実装された半導体チップとを有する液晶表示装置であって、前記半導体チップは、前記第１の基板の前記非重畳領域上に形成された保護材で覆われており、前記半導体チップ上における前記保護材の厚さは、０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】画素電極表示板、液晶表示板アセンブリ、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示板アセンブリは、共通電極を含む上部表示板と、共通電極と向かい合う複数の画素を含む下部表示板と、画素の各々に含まれ、相互に離隔した第１及び第２の領域と、第１及び第２の領域の第１及び第２の副画素と、第１の副画素に含まれ、上部表示板又は下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第１の角度方向に配列され、第１の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第１の微細ブランチを含む第１の副画素電極と、第２の副画素に含まれ、偏光子の偏光軸に対して第２の角度方向に配列され、第２の角度方向は、実質的に２０°内で第１の角度方向と異なり、第２の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第２の微細ブランチを含む第２の副画素電極と、上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層とを含む。 （もっと読む）

【課題】高透過率化が可能であり、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】帯状の第１主電極部と、前記第１主電極部の一端部に接続され前記第１主電極部とは異なる方向に延在した第１副電極部とを有する画素電極を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置され、前記第１主電極部と略平行な帯状に形成され前記第１主電極部との間に横電界を形成するように配置された第２主電極部を有する対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）