【課題】 表示装置において、光硬化型樹脂からなるシール材の領域に重なる引き出し配線部分のシール材に充分に光照射できると共に、引き出し配線の抵抗値が比較的小さく、シール材の領域において引き出し配線の一部分が断線しても抵抗値の増加が少なく、冗長性に優れたシール材の領域における引き出し配線構造を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置１００を構成するアレイ基板１０と対向基板２０とが、光硬化型樹脂からなるシール材４０で貼り合わされ、少なくとも１種類の引き出し配線６は、シール材４０の領域において、引き出し配線６方向に平行な第１の枝配線部７ａの端部と、引き出し配線６方向に対して斜め方向の第２の枝配線部７ｂの端部とを繋げることにより構成された六角形状の配線経路８を複数並べて配置した蜂の巣構造をしている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の基板間導通端子の導通不良を原因とする不具合が発生している場合において、導通不良となっている基板間接続端子を効率よく探し出せるようにする。
【解決手段】対向基板１２の４隅とＴＦＴ基板１１との間には基板間導通端子１，２，３，４がある。ＴＦＴ基板１１における基板間導通端子１，２と外部回路接続端子８との間には配線Ｌ_１８及びＬ_２８がある。基板間導通端子１及び２間、基板間導通端子１及び３間、基板間導通端子３及び４間、基板間導通端子２及び４間には配線Ｌ_１２，Ｌ_１３，Ｌ_３４，及びＬ_２４がある。配線Ｌ_１８と配線Ｌ_２３の間には基板間導通端子１を迂回する配線Ｌ_ＤＴＲ１がある。配線Ｌ_２８と配線Ｌ_２４の間には基板間導通端子２を迂回する配線Ｌ_ＤＴＲ２がある。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示パネル内の流体を封止する封止材の位置および寸法精度確認用の金属膜パターンによるショートを防止することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】流体の注入口２３ｂが形成された注入口部２３ａを有してなるシール部２３を間にして貼り合わされた貼り合せ基板１１と、注入口２３ｂを封止する封止材９０と、貼り合わせ基板１１の端部に設けられ、複数の金属膜パターン３０と、長方形状の基部２４ａを有し、基部２４ａの短手方向に並設された複数の外部接続用端子２４とを有してなる表示パネル１０を備える表示装置であって、複数の金属膜パターン３０の各金属膜パターン３０は、長方形状のパターン基部３０ａを有し、パターン基部３０ａの短手方向中心位置が、基部２４ａの短手方向中心位置と等しくなるように短手方向に並設され、かつパターン基部３０ａの短手方向の幅が、同一の並び位置の基部２４ａの短手方向の幅以下に形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を生産性高く作製する方法を提供する。また、該微結晶半導体膜を用いて、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】反応室内に第１の電極及び第２の電極が備えられたプラズマＣＶＤ装置を用いて、堆積性気体及び水素を第１の電極及び第２の電極の間に配置された基板を含む反応室内に供給した後、第１の電極に高周波電力を供給することにより反応室内にプラズマを発生させて、基板に微結晶半導体膜を形成する。なお、プラズマが発生している領域において、基板端部と重畳する領域のプラズマ密度を、基板端部と重畳する領域より内側の領域のプラズマ密度より高くし、基板端部より内側の領域に微結晶半導体膜を形成する。また、上記微結晶半導体膜の作製方法を用いて、半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽くかつフレキシブル性を有した電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気装置は、機能素子を挟んで対向配置された第１基板および第２基板と、機能素子よりも第１基板側に設けられた第１電極（裏面電極）と、第２基板に設けられ第１電極と電気的に接続された第２電極と、第１基板と第２基板とが重なる領域であって第１電極と第２電極との間に挟まれた領域に、機能素子と、当該機能素子を駆動する電子部品とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】引出配線が複数の層のそれぞれに形成された場合において、同じ層に形成された隣接する引出配線間の短絡を簡易な構成で確実に検出することができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板２は、引出配線６１₁，６１₃，６１₅，６１₇が接続されたゲート端子５１に接続される第１接続配線６４₁，６４₃，６４₅，６４₇と、引出配線６１₂，６１₄，６１₆が接続されたゲート端子５１に接続される第２接続配線６４₂，６４₄，６４₆と、互いに隣接する２本の第１接続配線および第２接続配線を１本に束ねる束配線６５₁〜６５₄と、束配線のうちで互いに隣接しない束配線６５₂，６５₄へ検査信号を入力可能な第１検査配線６６と、束配線のうち第１検査配線６６が接続されておらずかつ互いに隣接しない束配線６５₁，６５₃へ検査信号を入力可能な第２検査配線６７とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示領域の縁端部付近で表示品位が低下するのを抑える。
【解決手段】仮想線２００の内側である表示領域では、表示画素１１０ａがマトリクス状に配列している。仮想線２００の外側では、表示領域を囲むように周辺領域が形成されて、ブラックマトリクスで遮光される。周辺領域では、ダミー画素１１０ｂが配列している。ダミー画素１１０ｂのうち、表示画素１１０ａに隣り合う位置のダミー画素１１０ｂを、表示領域の周縁に沿った方向でみて１画素おきに白色および黒色の交互配列するように、画素電極に印加する電圧が規定される。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少なくし、且つ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを含む回路と、当該第１の基板とシール材で固定された第２の基板とを有し、当該シール材、当該第１の基板、及び当該第２の基板で囲まれる閉空間は、減圧状態、或いは乾燥空気を充填する半導体装置に関する。当該シール材は、少なくとも前記トランジスタを囲み、閉じられたパターン形状を有する。また当該回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタを含む駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す
る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、
プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化
物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ダイナミックレンジを広くすることができる光センサを提供する。
【解決手段】光センサは、光検出素子と、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）に対して電位差ΔＶ＿ＲＳＴ（Ｖ１）の第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）を発生させるパルス信号を、リセット信号として供給するリセット信号配線と、読み出し信号を供給する読み出し信号配線と、センシング期間（Ｔ１）に、光検出素子が受光した光量に応じて電位が変化する蓄積ノードと、蓄積ノードの電位変化に応じた信号を、出力配線へ読み出すセンサスイッチング素子とを備える。リセット信号配線では、センシング期間の少なくとも一部において、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）と第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）との間の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】第１の保持体の保持面に保持された複数の部品を、第２の保持体に各部品ごとに対応して予め定めれた所定の移載位置に移載する処理時間の短縮を図れる技術を提供する。
【解決手段】ダイシングテープ６の保持面およびガラス基板８の部品実装面８ａが対向して支持された状態で、ダイシングテープ６に保持された当該部品７がガラス基板８の部品実装面８ａに押圧されることで、当該部品７がダイシングテープ６からガラス基板８の部品実装面８ａに設けられた移載位置に移載されるため、ダイシングテープ６の保持面からの部品７の取り出しと、取り出された部品７のガラス基板８の部品実装面８ａへの移載が同一工程で行われるので、処理時間の短縮を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、限られた基板上の領域内で蓄積容量の容量値を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に設けられた画素電極（９）と、基板と画素電極との間に設けられ、互いに交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、基板とデータ線との間に設けられ、データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第２ソースドレイン領域を有する半導体層（３０ａ）と、データ線と半導体層との間に設けられた第１絶縁膜（４２）と、データ線と画素電極との間に設けられた第２絶縁膜（４３）と、半導体層と画素電極との間に設けられ、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を貫通するように設けられた溝（９１）内の少なくとも一部に設けられた溝内部分（７０ａ）を有する蓄積容量（７０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶ディスプレーのアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板は画素領域を画成するゲートラインとデータラインとを備え、前記画素領域内に薄膜トランジスタ、共通電極および電極ストリップ構造の画素電極とが形成され、前記共通電極は前記データラインを覆う第２絶縁層上に形成され、前記画素電極は前記共通電極を覆う第３絶縁層上に形成される。これによって、表示領域の面積が拡大され、開口率が効果的に向上される。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート配線と、ソース配線と、液晶分子の初期配向方向に対して左回りに鋭角に交差する第１交差線方向に沿って延出した帯状の第１主電極及び前記初期配向方向に対して右回りに鋭角に交差する第２交差線方向に沿って延出した帯状の第２主電極を含む画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され前記第１交差線方向に沿って延出した帯状の第３主電極及び前記第２主電極の直上の位置を挟んで両側に配置され前記第２交差線方向に沿って延出した帯状の第４主電極を含む対向電極と、前記対向電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内側にスペースを確保できるようにフレキシブル配線基板を屈曲させることを目的とする。
【解決手段】第２フレキシブル配線基板３２の搭載部４２は、発光部品２４が搭載された面を液晶表示パネル１０の裏面１８に向けて、液晶表示パネル１０の裏面１８側に配置される。第１フレキシブル配線基板３０は、接続端子３４が形成された部分が液晶表示パネル１０の表示面１６側の端部に接合され、液晶表示パネル１０の端部から引き出されて屈曲し、搭載部４２の発光部品２４が搭載された面とは反対側の面にスペースをあけて重ねられ、外部端子３６は裏面１８側に配置される。延出部４４は、搭載部４２から引き出され、搭載部４２の方向に戻るように屈曲し、第１フレキシブル配線基板３０の外表面４６上で第１フレキシブル配線基板３０と重なる。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）