【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第１基板と、絶縁基板の前記第１基板と対向する内面とは反対側の外面において前記アクティブエリアの外側に形成された導電膜と、を備えた第２基板と、前記絶縁基板の外面側に配置された偏光板を含む光学素子と、前記アクティブエリアに配置されるとともに前記導電膜に接触し前記絶縁基板の外面と前記光学素子とを接着する導電性接着剤と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記導電膜と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第
４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位
ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低
レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み
合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】電源用配線のためのプロセス・材料・線幅・膜厚の変更などによる抵抗低減に限度がある場合でも、輝度ムラの少ない有機ＥＬディスプレイ等の面発光表示装置を安価に提供する。
【解決手段】複数の画素回路のそれぞれに接続している複数の電源線と、複数の電源線のそれぞれの端部が所定の間隔で接続されており、電源端子（２３）を有する電源バス（２２）と、を備えており、電源バス（２２）は、その長さ方向に沿って電源端子（２３）から前記端部の方向へと延びる複数のスリット（６１）を有しており、前記複数のスリット（６１）の全部又は一部は、電源バス（２２）内でその周囲が閉じられた形状である、面発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
基板上の配線エリアを広げ、基板幅を狭くし、表示装置の小型化、ひいてはコストの低減を図る。
【解決手段】
表示パネルと、回路基板と、前記表示パネルと前記回路基板を接続するフレキシブルプリント基板とを有し、前記回路基板と前記フレキシブルプリント基板とが異方性導電フィルムにより電気的に接続される表示装置において、前記回路基板に、前記フレキシブルプリント基板１１の実装領域の圧着端子１５および実装領域外の圧着ダミー端子１６を設け、前記圧着ダミー端子の一部を圧着抵抗測定用のテスト端子１８とし、前記基板上で、前記圧着端子１５と前記テスト端子１８とを電気的に配線した。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間に配置されるとともに前記第１ゲート配線から第１距離をおいて形成された非直線状の第１エッジ及び前記第２ゲート配線から前記第１距離よりも短い第２距離をおいて形成された第２エッジを含むコモン配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間に配置されるとともに前記コモン配線にコンタクトした第１電極と、前記第１電極の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され前記第１電極と向かい合うとともに前記コモン配線の前記第１エッジの直上に延在し且つスリットが形成された第２電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主画素電極及び第２主画素電極と、第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主共通電極、第２主共通電極、及び、第３主共通電極とを備え、前記第１主共通電極と前記第２主共通電極との間に前記第１主画素電極が対向するとともに前記第２主共通電極と前記第３主共通電極との間に前記第２主画素電極が対向し、第１方向に直交する第２方向に沿った前記第１主共通電極と前記第１主画素電極との間の第１電極間距離、前記第２主共通電極と前記第１主画素電極との間の第２電極間距離、前記第２主共通電極と前記第２主画素電極との間の第３電極間距離、及び、前記第３主共通電極と前記第２主画素電極との間の第４電極間距離のうち、１つ乃至３つの電極間距離は、他の電極間距離とは異なることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化に対応することができる電子パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】電子パネルは、複数の金属配線１８を覆って金属配線１８の一部を露出させる貫通穴２２を有する絶縁膜２０と、絶縁層上に形成されて貫通穴２２を介して金属配線１８と電気的に導通する酸化物半導体膜２４と、酸化物半導体膜２４に電気的に接続される電極１６を有する電気部品１４と、を有し、酸化物半導体膜２４は、複数の金属配線１８の配列方向に対して交差する方向に延び、長さ方向に直交する幅が異なる第１部分２６及び第２部分２８を有し、第１部分２６の幅は第２部分２８の幅よりも広くなっており、第１部分２６の少なくとも幅の両端を除いた部分が、貫通穴２２から露出する金属配線１８の一部と対向して電気的に接続し、第２部分２８の少なくとも一部が、電気部品１４の電極１６と対向して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上の接続端子に駆動ＩＣを直接実装する表示装置において、生産コストアップを生じることなく、金属配線の露出による絶縁性低下、腐食を発生させることもなく、高い接続信頼性を得る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成された金属配線と、金属配線上に形成された無機絶縁膜１２と、無機絶縁膜上に形成された有機樹脂膜１３と、金属配線上の無機絶縁膜１２および有機樹脂膜１３を除去した部分に形成された透明導電膜１０と、絶縁性基板１上の表示領域外の駆動ＩＣ４実装領域に形成された接続端子７と、表示領域に信号を供給するために、異方性導電膜５によって接続端子７と接続される駆動ＩＣ４のバンプ９とを備えた表示装置であって、駆動ＩＣ４実装領域において、金属配線上以外の領域の無機絶縁膜１２と有機樹脂膜１３とを除去したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の熱を効率的に放散する。
【解決手段】電気光学装置（１）は、電気光学動作を行う電気光学パネル（１００）と、電気光学パネルと電気的に接続されており且つ電気光学パネルの熱を放散する第１放熱配線（２０２）を含む第１配線層、及び電気光学パネルと電気的に接続されており且つ電気光学パネルの熱を放散する第２放熱配線（２０３）を含む第２配線層を有する配線基板（２００）とを備える。前記第１放熱配線と前記第２放熱配線とはスルーホール（２０４）を介して相互に接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）