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Fターム[2H092GA60]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 電極の構造 (19,386) | 表示領域外電極の構造 (10,180) | 液晶基板上にチップを設けたもの (1,149)

Fターム[2H092GA60]に分類される特許

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【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第1方向に沿って延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、第1ゲート配線と第2ゲート配線との間の略中間に位置した補助容量線と、第2方向に沿って延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、第1ゲート配線及び第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、補助容量線の上方に位置し前記スイッチング素子とコンタクトし第1方向に沿って延出したコンタクト部、コンタクト部の第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、コンタクト部の第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、第1主画素電極と第2主画素電極との間、第1ソース配線及び第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】光の利用効率に優れた素子基板を容易に製造可能な電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】平面視で少なくとも画素電極と重なる領域であって、画素電極側から、第二遮光層、第二絶縁層、第一絶縁層および第一遮光層を貫通する凹部を形成すると共に、凹部の底部を曲面状に形成することとしたので、当該凹部の底部をマイクロレンズとして用いることができる。また、凹部形成工程を、スイッチング素子の半導体層を形成した後に行うこととしたので、スイッチング素子の半導体層を形成する環境に影響されること無く容易に凹部(マイクロレンズ)を形成することができる。これにより、光の利用効率に優れた素子基板を容易に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】製造性を損なうことなく電圧印加による電気光学物質の劣化を抑制可能とした電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、第1基板と第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間に電極が備えられたイオントラップ部と、第1基板及び第2基板の電気光学物質層側の表面に形成された配向膜と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、電気光学物質層に直流電圧を印加する第1トラップ電極と第2トラップ電極とを有しており、第1トラップ電極と配向膜との間、及び第2トラップ電極と配向膜との間の少なくとも一方に、電気光学物質層中のイオン性不純物を吸着保持するトラップ部絶縁膜が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の表示装置は、周辺領域に駆動用ICを配置させる際、周辺領域を狭く形成して、狭額縁化が可能となる表示装置を提供する。
【解決手段】 信号系のバンプ31をIC3の第1の絶縁性基板1端側の長辺3bに配置する際、長辺3bに沿って配置させた電源系バンプ6の位置より、FPC17から離れた位置に連続して配置する。また、信号系バンプ31から延びる引き出し配線32は、IC3が配置される領域であって、IC3が重なる位置に形成し、FPC17に向かわせるように配置する。 (もっと読む)


【課題】スリットの端部の数を低減させてドメインの発生を抑制することができる電界駆動型装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】電界駆動装置としての液晶装置は、画素領域において、互いに異なる色に対応する2以上の矩形のサブ画素4を有している。当該液晶装置は、対向して配置された一対の基板と、当該基板間に配置された液晶と、一方の基板の、液晶に対向する面にサブ画素4ごとに形成された画素電極と、画素電極上に絶縁層を挟んで積層され、サブ画素4の辺の一つに平行なスリット27を複数有する共通電極26と、を備えている。スリット27の少なくとも一部は、複数個分のサブ画素4の幅と略等しい長さを有し、同一の色に対応する各々のサブ画素4には、スリット27の端部28が同一数含まれている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 (もっと読む)


【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×1014/cm未満である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 (もっと読む)


【課題】 有効表示領域周辺の配線や回路を保護し、かつ飛び込み電圧の影響を抑制することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素を含む液晶表示装置において、画素はソース及びドレイン電極105とゲート電極101とを備えたTFTと、コモン電極108と画素電極106(120)とを備えた画素部とを含み、コモン電極108は、画素電極106(120)、ソース及びドレイン電極105上に形成された無機パッシベーション膜107上に設けられ、ゲート電極101は隣接する画素の画素電極120と重なって保持容量を構成する。 (もっと読む)


【課題】垂直配向モードを採用するとともに表示ムラを低減して、マルチプレックス駆動に好適な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置1を、水平方向に伸びるコモン電極3を有する液晶表示パネル10と、出力端子C1〜C6からコモン電極3のそれぞれに走査信号を出力する駆動IC4と、コモン電極3と駆動IC4の出力端子C1〜C6とを接続する配線CL1〜CL6とを用いて構成する。コモン電極3は、配線取り出しの方向が互いに異なるコモン電極3−1、3−3、3−5とコモン電極3−2、3−4、3−6とが、1つずつ交互に配置されるように構成され、配線CL1〜CL6は、駆動IC4の走査信号が、コモン電極3−1、3−3、3−5のそれぞれに出力された後、コモン電極3−2、3−4、3−6のそれぞれに出力されるように配置される。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
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【課題】表示品位に優れ、塗布ムラによる不良発生が少ないフラットパネルディスプレイ及びその製造方法並びに引き出し配線の設計方法の提供。
【解決手段】表示領域から複数の引き出し配線が引き回されるアクティブマトリクス基板を含むフラットパネルディスプレイにおいて、各々の前記引き出し配線は、直線と曲線とが滑らかに接続された形状、例えば、前記表示領域の所定の辺から第1の方向に延在する第1の直線と、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の直線と、が、双方の直線に内接する円弧、楕円弧又は特定の関数で規定される曲線によって滑らかに接続された形状である。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に延出した第1ゲート配線G1及び第2ゲート配線G2と、第2方向に延出した第1ソース配線S1及び第2ソース配線S2と、第1ゲート配線及び第2ゲート配線と第1ソース配線及び第2ソース配線とで囲まれた内側に位置する画素電極PEであって第1ゲート配線及び第1ソース配線と接続されたスイッチング素子とコンタクトするコンタクト部、コンタクト部から第1方向に延出した2本以上の主画素電極PA、及び、第2方向に延出し主画素電極を接続する接続部を備えた画素電極とを備えた第1基板と、第1ゲート配線と第2ゲート配線の上方、及び主画素電極間に位置し第1方向に延出した主共通電極CAと、第1ソース配線と第2ソース配線の上方に位置し第2方向に延出した副共通電極CBとを備えた共通電極を備えた第2基板とを備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】本発明は、マザーガラスから液晶表示装置を分断する際に、引出配線にクラック等が発生するのを抑制することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置1であって、一方の外周部に他方の外周から外側に張り出した張出領域3を有する一対の透明基板2と、一対の透明基板2に設けられた配向膜4と、配向膜4の間に配設された液晶5と、一対の透明基板2の周縁部に設けられたシール材6と、一方の透明基板2に設けられた張出領域3に引き出された複数の引出配線7とを備え、少なくとも複数の引出配線7上の一部に、配向膜4から離隔して配向膜4と同一材料からなる配線保護膜8が設けられており、配線保護膜8は、一部がシール材6と重なっている重なり部8aを有するとともに、張出領域3側に位置する他方の透明基板2の外周よりも外側に位置するように重なり部8aから張出領域3に延在している。 (もっと読む)


【課題】非選択期間において、出力信号のノイズが小さく、且つトランジスタの特性劣化を抑制できる液晶表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタを設け、第1のトランジスタにおいて、第1端子を第1の配線に接続し、第2端子を第2のトランジスタのゲート端子に接続し、ゲート端子を第5の配線に接続し、第2のトランジスタにおいて第1端子を第3の配線に接続し、第2端子を第6の配線に接続し、第3のトランジスタにおいて第1端子を第2の配線に接続し、第2端子を第2のトランジスタのゲート端子に接続し、ゲート端子を第4の配線に接続し、第4のトランジスタにおいて第1端子を第2の配線に接続し、第2端子を第6の配線に接続し、ゲート端子を第4の配線に接続する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層104a、104bを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層103は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層105aまたはドレイン電極層105bの材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】FFS方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、1組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。1組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の表示品位の劣化を抑制する。
【解決手段】第1の方向に沿って配置された帯状の主画素電極PE、主画素電極を挟んだ両側で第1の方向に沿って延出したソース配線S1,S2、第1の方向と交差する第2の方向に沿って設けられた共通配線、主画素電極が共通配線と交差する領域に設けられたコンタクト部PC、共通配線を挟んだ両側で該第2の方向に沿って延出したゲート配線G1,G2を備えたアレイ基板と、ソース配線に対向する領域に、第1の方向に沿って設けられた共通電極CEを含む対向基板と、アレイ基板と対向基板との間にスペーサーを配して形成された間隙に保持された液晶層とを有し、スペーサーは、主画素電極上または共通電極上に形成される。 (もっと読む)


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