【課題】液晶表示装置の表示品位の劣化を抑制する。
【解決手段】第１の方向に沿って配置された帯状の主画素電極ＰＥ、主画素電極を挟んだ両側で第１の方向に沿って延出したソース配線Ｓ１，Ｓ２、第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられた共通配線、主画素電極が共通配線と交差する領域に設けられたコンタクト部ＰＣ、共通配線を挟んだ両側で該第２の方向に沿って延出したゲート配線Ｇ１，Ｇ２を備えたアレイ基板と、ソース配線に対向する領域に、第１の方向に沿って設けられた共通電極ＣＥを含む対向基板と、アレイ基板と対向基板との間にスペーサーを配して形成された間隙に保持された液晶層とを有し、スペーサーは、主画素電極上または共通電極上に形成される。 （もっと読む）

【課題】画像表示における視野角を改善し、液晶の配向乱れによる画質劣化を抑制する半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁面上に絶縁膜を有する第１の領域と、絶縁面上に絶縁膜を有さない第２の領域とを有し、第１の領域において、絶縁膜上に第１の導電膜を有し、第２の領域において、絶縁面上に第２の導電膜を有し、第１の導電膜は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を透過する機能を有し、第１の導電膜上に、及び、第２の導電膜上に、液晶層を有し、第１の領域において、絶縁膜は、第１の凸部と第２の凸部とを有し、絶縁膜の端部から第１の導電膜の端部までの距離が、絶縁膜の端部から第２の導電膜の第１の端部までの距離よりも長い領域を有し、第１の凸部と第２の凸部との間の凹部の底の位置から第１の凸部の頂上の位置までの高さが、絶縁面から凹部の底の位置までの高さよりも低い領域を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】外部の装置の外部コネクタに嵌合するコネクタ部の設計の自由度を高めることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板と、当該フレキシブル基板に設定される回路配置領域に設けられる内部回路と、外部の装置から前記内部回路に供給される電気信号により駆動される表示体とを備える表示装置であって、前記フレキシブル基板は、回路配置領域から延在するはみ出し領域を有し、前記フレキシブル基板の前記はみ出し領域には、前記内部回路から当該はみ出し領域の端部にまで延在し、外部の装置に接続される接続用配線が形成され、はみ出し領域の端部には、前記外部の装置の２種類以上の外部コネクタに嵌合するコネクタ部がそれぞれ設けられ、前記コネクタ部は、前記外部コネクタとの嵌合に必要な厚みを補う補強板が、前記フレキシブル基板の前記はみ出し領域の端部に貼合されて構成される、表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 波形なまりや画素の透過率の低下を抑制でき、かつ表示ムラを抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】 デルタ配置の画素を有する表示装置において、画素はソース電極１０４、ドレイン電極１０５及びゲート電極１０１を備えたＴＦＴと、コモン１０８と画素電極１１０とを備えた画素部とを含み、有機パッシベーション膜１２０は、ソース電極１０４のコンタクト部上方に、非対称な開口部を有し、互いに隣接する画素の有機パッシベーション膜１２０の非対称な開口部の向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の上に配置されるとともに第１上面及び前記第１上面から前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記第１上面に配置された上部電極及び前記上部電極と繋がり前記第１コンタクトホールに配置され前記スイッチング素子に電気的に接続された下部電極を有する島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の前記第１上面に配置され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置されるとともに前記中継電極の前記上部電極及び前記下部電極まで貫通した第２コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第２コンタクトホールで前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に第１幅を有し第１方向に交差する第２方向に沿って延出した主画素電極と、第１方向に第１幅よりも大きい第２幅をおいて向かい合う第１エッジ及び第２エッジを有し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極と、前記主画素電極を挟んだ両側で第２方向に沿って延出し前記第１エッジ及び前記第２エッジの少なくとも一方と向かい合う位置で途切れた第１主共通電極と、第１方向に沿って延出し前記第１主共通電極と電気的に接続された第１副共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極に対向し第２方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】高い作業効率および高い検査精度で欠けもしくはクラックを検査可能な表示装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る表示装置１は、第１主面22aに表示領域Ｅ_Ｄを有する第２基
板22と、第２基板22の第１主面22ａ上に集中的に設けられた外部接続用の複数の電極端子WCPと、第２基板22上に第２基板22の外周に沿って１ヶ所で切れた環状に設けられた検査
用配線Ｔと、検査用配線Ｔの一方端側に接続された第１検査用電極TP1と、検査用配線Ｔ
の他方端側に接続された第２検査用電極TP2とを備えており、第１検査用電極TP1および第２検査用電極TP2は、複数の電極端子WCPとともに集中的に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】 複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、を備えた第１基板と、第１方向に沿って延出した第１遮光部及び第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第２遮光部を備え前記第１遮光部と前記第２遮光部の交差部において第１方向及び第２方向とは異なる方向に延出した斜辺を有するブラックマトリクスと、前記交差部と重なる位置から前記第１基板に向かって延出した柱状スペーサと、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】 画像を表示するアクティブエリアに形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第２基板の外面において前記アクティブエリアに対応して配置され、その表面に導電層を備えた第１線膨張係数の光学素子と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された電極パッドと、前記光学素子の前記導電層と前記電極パッドとを電気的に接続するとともに、前記第１線膨張係数の絶対値よりも大きな絶対値の第２線膨張係数の接続部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板に有機パッシベーション膜が形成されておらず、かつ、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を柱状スペーサによって規定する液晶表示装置において、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定とする。
【解決手段】液晶表示パネルの表示領域では、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔は柱状スペーサ１５０によって規定している。液晶表示パネル内において、画素も走査線も映像信号線も形成されていない部分においても、柱状スペーサ１５０によって間隔を規定する。この場合、柱状スペーサ１５０の台座１４０が必要となるが、台座１４０の層構造は、表示領域において間隔を規定する柱状スペーサ１５０が接触するＴＦＴ基板側の層構造と同一にする。これによって、製造コストの上昇をともなうことなく、液晶表示パネルの液晶層３００の間隔を一定にでき、輝度むら、あるいは色むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１Ａは、駆動側基板１０および対向基板１８間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部１０Ａと、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂに配設されたトランジスタＴＦＴ１１と、額縁領域１０Ｂにおいて、トランジスタＴＦＴ１１を被覆して設けられた平坦化膜１３（絶縁膜）と、画素部１０Ａを封止すると共に平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられたシール層１９とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）