表示装置および電子機器
【課題】封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１Ａは、駆動側基板１０および対向基板１８間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部１０Ａと、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂに配設されたトランジスタＴＦＴ１１と、額縁領域１０Ｂにおいて、トランジスタＴＦＴ１１を被覆して設けられた平坦化膜１３（絶縁膜）と、画素部１０Ａを封止すると共に平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられたシール層１９とを備えたものである。
【解決手段】液晶表示装置１Ａは、駆動側基板１０および対向基板１８間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部１０Ａと、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂに配設されたトランジスタＴＦＴ１１と、額縁領域１０Ｂにおいて、トランジスタＴＦＴ１１を被覆して設けられた平坦化膜１３（絶縁膜）と、画素部１０Ａを封止すると共に平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられたシール層１９とを備えたものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、パネル基板間に表示素子や駆動素子がパッケージされてなる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や、有機ＥＬ（Electro luminescence：以下ＥＬと称す）表示装置などの映像表示装置では、表示パネル内へ水分が介入すると、液晶層や有機ＥＬ層の特性が劣化したり、配線層などに腐食が発生したりする。このため、表示装置では、パネル周囲をシール材などにより接着封止した構造を有する。このような表示パネルの封止構造については、これまでにも様々な提案がなされている（特許文献１，２）。
【０００３】
例えば、特許文献１，２には、周辺回路や画素を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配設された基板上に、電極や発光層などが積層された構造を有する表示パネルの周囲をシール材によって封止した手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号公報
【特許文献２】特開平１−２３９５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような表示装置では、表示領域（有効表示領域）およびその周辺領域（額縁領域）に、画素や周辺回路の駆動素子として、ＴＦＴが配設される。ところが、上記特許文献１の手法では、そのようなＴＦＴを無機絶縁膜からなる平坦化膜上に設け、その更に外側を囲むようにシール材を設けた封止構造となっている。十分な封止性能を持たせるためには、シール材の幅をある程度確保する必要があるため、そのようなＴＦＴの外側にシール材を設ける封止構造では、パネルの狭額縁化を実現しにくい。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の表示装置は、一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、一対の基板のうちの一方の基板上において、画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、一方の基板上の額縁領域に、１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、額縁領域において、画素部を封止すると共に絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層とを備えたものである。
【０００８】
本開示の表示装置では、一対の基板間において、画素部の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子を被覆して絶縁膜が設けられ、かつ封止層が、額縁領域において画素部を封止すると共にその絶縁膜の端縁部を覆って設けられる。これにより、額縁領域において省スペース化を図りつつ、アクティブ素子および画素部への水分等の介入が抑制される。
【０００９】
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の表示装置によれば、一対の基板間において、画素部の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子を被覆して絶縁膜を設け、かつ額縁領域において画素部を封止すると共にその絶縁膜の端縁部を覆うように封止層を設ける。これにより、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示における第１の実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示パネル）の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置における周辺回路の一例を表す機能ブロック図である。
【図３】比較例１および実施例に係る液晶表示装置の額縁面積を説明するための断面図である。
【図４】本開示における第２の実施の形態に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図５】変形例１に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図６】本開示における第３の実施の形態に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図７】変形例２に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図８】変形例３に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図９】変形例４に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１０】変形例５に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１１】変形例６に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１２】変形例７に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１３】変形例８に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１４】変形例９に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１５】変形例１０に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１６】上記各実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（シール層の端縁部が、ＴＦＴ（低温ポリシリコンを用いたボトムゲート構造）を被覆する平坦化膜の端縁部よりも外側に設けられてなる封止構造を有する液晶表示装置の例）
２．第２の実施の形態（シール層と平坦化膜との間に保護膜を設けた例）
３．変形例１（シール層と平坦化膜との間に保護膜を設けた場合の他の例）
４．第３の実施の形態（ＦＦＳモードにより表示駆動される液晶表示装置の例）
５．変形例２（ＦＦＳモードの液晶表示装置において、一対の電極間に設けられる絶縁膜と保護膜とを同一工程においてパターン形成した例）
６．変形例３（ＦＦＳモードの液晶表示装置において、一対の電極間に設けられる絶縁膜を額縁まで延在形成し、保護膜として利用した例）
７．変形例４（ＴＦＴ（ボトムゲート構造）上に電極保護膜を設けた例）
８．変形例５（ＴＦＴとしてトップゲート構造のトランジスタを設けた例）
９．変形例６（ＴＦＴ（トップゲート構造）上に電極保護膜を設けた例）
１０．変形例７（ＴＦＴとして非晶質シリコンを用いた場合の例）
１１．変形例８（額縁領域において、平坦化膜に凹部を設けた例）
１２．変形例９（凹部を設けた場合の他の例）
１３．変形例１０（シール層が、対向基板側の平坦化膜の端縁部を被覆した例）
１４．適用例（電子機器への適用例）
【００１３】
＜第１の実施の形態＞
［液晶表示装置１の構成例］
図１は、本開示における第１の実施の形態に係る液晶表示装置１Ａの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ａは、表示パネルにおいて、一対の基板（駆動側基板１０および対向基板１８）間に、画素部１０Ａを封止したものである。画素部１０Ａでは、例えばマトリクス状に複数の画素（例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のサブピクセル）が配置されている。尚、図１には図示しないが、駆動側基板１０の下方には、バックライトが配設され、駆動側基板１０の光入射側および対向基板１８の光出射側にはそれぞれ、偏光板が貼り合わせられている（以下の実施の形態も同様）。液晶表示装置１Ａでは、画素部１０Ａが、その周辺の額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９（封止層）により接着封止された構造を有している。尚、本実施の形態では、いわゆる縦電界モードによって表示駆動される液晶表示装置について説明する。
【００１４】
液晶表示装置１Ａでは、駆動側基板１０上に、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂにわたって、複数のＴＦＴ１１や配線層（信号線、走査線など）、保持容量素子（図示せず）などが配設されており、これらのＴＦＴ１１等を被覆するように平坦化膜１３が設けられている。画素部１０Ａでは、平坦化膜１３上に、複数の画素電極１４Ａが配設されており、各画素電極１４Ａは、平坦化膜１３に設けられたコンタクトホールを介して下層のＴＦＴ１１に電気的に接続されている。対向基板１８の一面側には、カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂが設けられ、これらが平坦化膜１６によって覆われている。平坦化膜１６上には、対向電極１４Ｂが配設されている。これらの駆動側基板１０と対向基板１８との間に液晶層１５が挟持され、画素電極１４Ａと対向電極１４Ｂとを通じて液晶層１５へ電圧が供給されるようになっている。尚、画素電極１４Ａおよび対向電極１４Ｂの液晶層１５側の面にはそれぞれ、図示しない配向膜が形成されている。
【００１５】
駆動側基板１０は、例えばガラス基板よりなる。この駆動側基板１０上には、上記のような画素部１０Ａが設けられると共に、その周辺の額縁領域１０Ｂに、画素部１０Ａを表示駆動するための周辺回路（例えば後述の信号線駆動回路６１，走査線駆動回路６２，バックライト駆動部６３およびタイミング制御部６４）が配設されたものである。
【００１６】
ＴＦＴ１１は、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）の薄膜トランジスタである。具体的には、ＴＦＴ１１では、駆動側基板１０上にゲート電極１２１が配設され、このゲート電極１２１上には、層間絶縁膜１２３ａ（ゲート絶縁膜）を間にして、半導体層１２２が設けられている。半導体層１２２上には、層間絶縁膜１２３ｂが積層され、この層間絶縁膜１２３ｂに形成されたコンタクトホールを埋め込むようにソース・ドレイン電極１２４が配設されている。
【００１７】
ゲート電極１２１は、トランジスタに印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって半導体層１２２中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極１２１は、例えばモリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種からなる単体もしくは合金、もしくはこれらのうちの２種以上からなる積層膜である。あるいはＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）およびＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）等の透明導電膜から構成されていてもよい。
【００１８】
層間絶縁膜１２３ａ，１２３ｂは、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜である。
【００１９】
半導体層１２２は、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものであり、例えば低温ポリシリコンにより構成されている。尚、この半導体層１２２には、低温ポリシリコンに限らず、非晶質シリコン（後述）または微結晶シリコンが用いられていてもよく、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ，ＩｎＧａＺｎＯ）などの酸化物半導体が用いられていてもよい。
【００２０】
ソース・ドレイン電極１２４は、ＴＦＴ１１のソースまたはドレインとして機能するものであり、半導体層１２２のソース領域またはドレイン領域と電気的に接続されている。例えばモリブデン，チタン，アルミニウム，銀および銅のうちの１種からなる単体もしくは合金、またはこれらのうちの２種以上からなる積層膜である。これらのソース・ドレイン電極１２４には、信号線（後述の信号線ＤＴＬ）が電気的に接続されている（あるいは、ソース・ドレイン電極１２４が信号線として機能している）。本実施の形態では、このような信号線とＴＦＴ１１とを覆って平坦化膜１３が設けられている（信号線およびＴＦＴが平坦化膜１３よりも下層に配設されている）。
【００２１】
平坦化膜１３は、例えばポリイミド、ノボラック系樹脂またはアクリル系樹脂などの感光性を有する有機絶縁膜よりなる。この平坦化膜１３は、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂに渡って形成されており、画素部１０Ａおよび額縁領域１０Ｂの双方に配設されたＴＦＴ１１を被覆している。換言すると、額縁領域１０Ｂにおいて、ＴＦＴ１１上に平坦化膜１３が積層されている。本実施の形態では、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うように、シール層１９が設けられている。
【００２２】
シール層１９は、接着性を有すると共に水分透過率の低い樹脂材料、例えばＵＶ硬化性や熱硬化性を有するエポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などにより構成されている。このシール層１９は、例えば上記樹脂材料を駆動側基板１０上の額縁領域１０Ｂに、例えば各種コート法を用いて塗布形成した後、硬化させることにより形成する。本実施の形態では、額縁領域１０Ｂにおいて、このシール層１９の端縁Ｅ２が、平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側（画素部１０Ａと反対側）に設けられている。即ち、有機絶縁膜よりなる平坦化膜１３の端縁部１３ｅが外部に露出しないような封止構造となっている。
【００２３】
画素電極１４Ａは、各画素へ各色の映像信号に対応する映像電位を印加するためのものであり、画素毎に配設されている。この画素電極１４Ａは、例えばＩＴＯなどの透明導電膜により構成されている。対向電極１４Ｂは、各画素に共通の電極として、これらの複数の画素電極１４Ａに対向して設けられ、例えばコモン電位が印加されるようになっている。
【００２４】
液晶層１５は、上記画素電極１４Ａおよび対向電極１４Ｂを通じて供給される駆動電圧に応じて、そこを透過する光の透過率を制御する素子である。この液晶層１５には、例えばＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モード、ＴＮ（Twisted Nematic）モードまたはＥＣＢ（Electrically controlled birefringence）モードなどの縦電界モードにより表示駆動される液晶を含むものである。尚、配向膜としては、例えば液晶層１５としてＶＡモードの液晶を用いた場合には、例えばポリイミドよりなる垂直配向膜が用いられる。
【００２５】
平坦化膜１６は、例えば有機絶縁膜よりなり、平坦化機能と共に、カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂの保護膜としての機能も有している。但し、このような有機絶縁膜に限らず、無機絶縁膜により構成されていてもよい。
【００２６】
カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂは、例えば感光性樹脂と、顔料や染料などの着色材料とを含むものである。カラーフィルタ１７Ａは、例えば画素毎に赤色、緑色または青色のいずれかの色のフィルタが設けられている。対向基板１８は、例えばガラスやプラスチックなどの透明基板よりなる。
【００２７】
尚、図示しない一対の偏光板（偏光子，検光子）は、例えば互いにクロスニコルの状態で配置されており、バックライト（後述のバックライト３６）からの光を電圧無印加状態（オフ状態）では遮断、電圧印加状態（オン状態）では透過させるようになっている。
【００２８】
（周辺回路）
図２は、液晶表示素子を含む画素（ＰＸＬ）を含む画素部１０Ａと、その周辺回路の構成を表したものである。このように、駆動側基板１０上の画素部１０Ａ内には、複数の画素（ＰＸＬ）が例えばマトリクス状に２次元配置されており、この画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂには、例えば走査線駆動回路６２および信号線駆動回路６１が配設されている。また、この他にも、例えばタイミング制御部６４、バックライト駆動部６３および、例えば映像信号に対して所定の補正処理を施す映像信号処理回路等が設けられている。各画素（ＰＸＬ）は、走査線ＷＳＬおよび信号線ＤＴＬに接続されている。
【００２９】
タイミング制御部６４は、走査線駆動回路６２および信号線駆動回路６１の駆動タイミングを制御すると共に、入力される映像信号Ｄinを信号線駆動回路６１へ供給するものである。走査線駆動回路６２は、タイミング制御部６４によるタイミング制御に従って、各画素を線順次駆動するものである。信号線駆動回路６１は、各画素へそれぞれ、タイミング制御部６４から供給される映像信号Ｄinに基づく映像電圧を供給するものである。具体的には、映像信号Ｄinに対してＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換を施すことにより、アナログ信号である映像信号を生成し、各画素へ出力する。
【００３０】
バックライト３６は、液晶層１５へ向けて光を照射する光源であり、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）やＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp）等を複数含むものである。このバックライト３６は、バックライト駆動部６３によって駆動され、点灯状態および消灯状態が制御されるようになっている。
【００３１】
（作用・効果）
液晶表示装置１Ａでは、図２に示したように、タイミング制御部６４へ外部入力信号（Ｄin）が入力されると、走査線駆動回路６２および信号線駆動回路６１が、画素部１０Ａの各画素（ＰＸＬ）を表示駆動する。具体的には、タイミング制御部６１の制御に応じて、走査線駆動回路６２が、各画素に接続された走査線ＷＳＬに走査信号を順次供給すると共に、信号線駆動回路６１が、外部入力信号（Ｄin）に基づく映像信号を、所定の信号線ＤＴＬに供給する。これにより、映像信号が供給された信号線ＤＴＬと走査信号が供給された走査線ＷＳＬとの交差点に位置する画素が選択され、その画素に駆動電圧が印加される。
【００３２】
上記のようにして選択された画素では、画素電極１４Ａおよび対向電極１４Ｂを通じて駆動電圧が供給され、これにより、液晶層１５における液晶分子の配向状態が、その駆動電圧の大きさに応じて変化する。その結果、液晶層１５における光学的特性が変化し、バックライト３６から液晶層１５へ入射した光は、画素毎に変調されて、対向基板１８上へ出射する。液晶表示装置１では、このようにして映像が表示される。
【００３３】
この液晶表示装置１では、額縁領域１０Ｂにおいて、画素部１０Ａが周辺封止された構造を有する。本実施の形態では、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９によって画素部１０Ａが封止されるが、この額縁領域１０Ｂには、ＴＦＴ１１が配設され、かつそのＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３が形成されている。このような構成において、平坦化膜１３の端縁部１３ｅがシール層１９によって覆われている（シール層１９の端縁Ｅ２が平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けられている）。これにより、封止性能を低減することなく、額縁領域１０Ｂの省スペース化を図ることができる。以下、その理由について説明する。
【００３４】
図３（Ａ）〜（Ｄ）は、額縁領域における配線層（信号線）およびシール層のレイアウトによる封止性能および額縁面積の違いについて説明するための断面模式図である。図３（Ａ）は、本実施の形態のレイアウト構成を簡略化して表したものであり、図３（Ｂ），（Ｃ）は比較例１に係る液晶表示装置について示したものである。図３（Ｄ）は比較例２に係る液晶表示装置について示したものである。
【００３５】
図３（Ｂ）に示したように、比較例１の液晶表示装置では、基板１０１上に、無機絶縁膜よりなる平坦化膜１０２が設けられている。この平坦化膜１０２には、複数のＴＦＴ（図示せず）が埋設されている（あるいは、平坦化膜１０２よりも下層に複数のＴＦＴが設けられている）。これら複数のＴＦＴは、それぞれが信号線１０３に電気的に接続されているが、比較例１では、信号線１０３が平坦化膜１０２上に配設されている。この比較例１では、額縁領域１００Ｂには設けられたＴＦＴ１０３の更に外側を囲うように、シール層１０６が形成されている（シール層１０６下にＴＦＴおよび信号線１０３を含む周辺回路を形成できない）。このような場合、額縁領域１００Ｂに形成可能なシール層１０６の幅（以下、シール幅という）Ｄ３が比較的小さくなり、十分な封止性能が得られない可能性がある。
【００３６】
一方、図３（Ｃ）に示したように、上記比較例１の構造において、十分な封止性能を得るために、シール層１０６のシール幅を大きくすると、それに伴って、額縁領域１００Ｂの面積（幅）も拡大してしまう。
【００３７】
他方、図３（Ｄ）に示したように、比較例２の液晶表示装置では、基板１０１上に、複数のＴＦＴ（図示せず）とそれぞれに接続された信号線１０３が設けられ、これらの複数のＴＦＴおよび信号線１０３を覆って、有機絶縁膜よりなる平坦化膜１０７が形成されている。この平坦化膜１０７上にシール層１０６が形成されている。このような構造を有する比較例２では、平坦化膜１０７の端部から水分が介入し易いことから、平坦化膜１０７の端部に腐食防止のために一定以上の幅Ｘを確保する必要が生じる。このため、額縁領域が大きくなり易い。
【００３８】
これに対し、本実施の形態では、図３（Ａ）に示したように、駆動側基板１０上に配設された複数のＴＦＴ（ここでは図示せず）およびこれらに電気的に接続された信号線１１ｈを被覆して平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うようにシール層１９が形成されている。即ち、平坦化膜１３よりも下層にＴＦＴおよび信号線１１ｈを設けると共に、この平坦化膜１３が更に、封止性能が高い（水分透過率が低い）シール層１９によって覆われている。ここで、平坦化膜１３は無機絶縁膜よりも水分を透過し易い有機絶縁膜により構成されるが、パネルの最も外側の全面がシール層１９によって封止されることにより、ＴＦＴおよび信号線１１ｈがパネルの外側に近い領域に設けられた場合であっても、その電極や配線部分が水分によって腐食しにくい。また、シール幅についても十分に確保されるため、液晶層１５における液晶保持特性の劣化も抑制される。即ち、例えば画素部１０Ａの周辺領域において、ＴＦＴ１１および配線層（走査線，信号線など）を含む駆動回路（上述した走査線駆動回路６２，信号線駆動回路６１など）を、よりパネルの外縁よりに設け（シール層１９下のスペースを有効活用し）、額縁領域１０Ｂの幅を狭くできる。このように、液晶表示装置１Ａでは、水分の介入を防ぎつつも、額縁領域１０Ｂの省スペース化が図られる。
【００３９】
以上説明したように、本実施の形態では、駆動側基板１０および対向基板１８間において、額縁領域１０Ｂに配設されたＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３を設け、かつ画素部１０Ａを封止するシール層１９を、その平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うように設ける。これにより、液晶表示装置１Ａでは、水分の介入に起因する配線層の腐食や液晶保持特性の劣化を抑制しつつ、額縁領域１０Ｂの省スペース化を図ることができる。よって、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【００４０】
次に、本開示における第２の実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ｂ）について説明する。以下では、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４１】
＜第２の実施の形態＞
図４は、液晶表示装置１Ｂの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｂは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、表示パネルにおいて、駆動側基板１０および対向基板１８間に、画素部１０Ａを封止したものである。液晶表示装置１Ｂにおいても、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、封止層２０により接着封止された構造を有している。また、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂにわたって、複数のＴＦＴ１１が配設され、これらのＴＦＴ１１を被覆するように平坦化膜１３が設けられている。但し、本実施の形態では、封止層２０が、シール層２０ａと保護膜２０ｂとの積層構造を有している。尚、画素部１０Ａを駆動する周辺回路の構成については、上記第１の実施の形態と同様である。
【００４２】
シール層２０ａは、上記第１の実施の形態におけるシール層１９と同様、接着性を有すると共に水分透過率の低い樹脂材料、例えばＵＶ硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などにより構成されている。ここでは、シール層２０ａが、少なくともその一部において、保護膜２０ｂと重畳して設けられている。
【００４３】
保護膜２０ｂは、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの無機絶縁膜から構成されている。この保護膜２０ｂは、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられている。この保護膜２０ｂは、少なくとも平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆っていればよく、平坦化膜１３上の全面を被覆していなくともよい。
【００４４】
上記第１の実施の形態では、シール層１９の端縁Ｅ２を平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けたが、本実施の形態では、シール層２０ａの端縁Ｅ２が平坦膜１３の端縁Ｅ１よりも内側に設けられている。但し、シール層２０ａの端縁Ｅ２は、保護膜２０ｂの内側（画素部１０Ａの側）の端縁部Ｅ３よりも外側に設けられていることが望ましい。即ち、平坦化膜１３がシール層２０ａおよび保護膜２０ｂのうちのどちらか、または両方により覆われていることが望ましい。
【００４５】
本実施の形態においても、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ａに配設されたＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って封止層２０が設けられている。このように、パネルの最も外側の全面が封止層２０によって封止されることにより、ＴＦＴ１１がパネルの外側に近い領域に設けられた場合であっても、その電極や配線部分が水分によって腐食しにくい。また、封止層２０（シール層２０ａ）におけるシール幅を十分に確保可能であるため、液晶層１５における液晶保持特性の劣化も抑制される。従って、本実施の形態の液晶表示装置１Ｂにおいても、上記第１の実施の形態と同様、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【００４６】
また、本実施の形態では、封止層２０がシール層２０ａと、保護膜２０ｂの積層構造を有しており、保護膜２０ｂが平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆っている。無機絶縁膜よりなる保護膜２０ｂがシール層２０ａの下層に設けられることにより、シール層２０ａの設置面積にばらつきがあった場合にも、平坦化膜１３への水分の介入が抑制される。シール層２０ａは、上述のように塗布形成されるため、シール幅にばらつきが生じ易いが、そのようなばらつきが生じた場合であっても、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを露出しないようにすることができ、略一定の封止性能を保持することができる。
【００４７】
即ち、本実施の形態のように、シール層２０ａの端縁Ｅ２が平坦膜１３の端縁Ｅ１よりも内側に設けられていた場合であっても（シール層２０ａが平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆っていなくとも）、平坦膜１３への水分の介入を抑制することができる。
【００４８】
＜変形例１＞
あるいは、図５に示したように、保護膜２０ｂを有する構造において、シール層２０ａの端縁Ｅ２が平坦膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けられていてもよい。シール層２０ａと保護膜２０ｂとの積層構造により、より封止性能が向上する。尚、上記第２の実施の形態および変形例１では、額縁領域１０Ｂにおいて、保護膜２０ｂが平坦化膜１３上の一部のみを覆って設けられているが、この保護膜２０ｂが、平坦化膜１３上の額縁領域１０Ｂにおける全域を覆っていてもよい。
【００４９】
次に、本開示における第３の実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ｃ）について説明する。以下では、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５０】
＜第３の実施の形態＞
図６は、液晶表示装置１Ｃの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｃは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、表示パネルにおいて、駆動側基板１０および対向基板１８間に、画素部１０Ａを封止したものである。液晶表示装置１Ｃにおいても、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止された構造を有している。また、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂにわたって、複数のＴＦＴ１１が配設され、これらのＴＦＴ１１を被覆するように平坦化膜１３が設けられている。但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｃは、横電界モード（ここでは、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを例に挙げる）により表示駆動がなされるようになっている。尚、画素部１０Ａを駆動する周辺回路の構成については、上記第１の実施の形態と同様である。
【００５１】
このような液晶表示装置１Ｃは、例えば平坦化膜１３上に、共通電極２１Ａが配設され、この共通電極２１Ａ上には絶縁膜２２（層間絶縁膜）を介して画素電極２１Ｂが配設されている。この画素電極２１Ｂ上には液晶層１５Ａが形成され、対向基板１８によって封止されている。対向基板１８の液晶層１５Ａ側の面には、上記第１の実施の形態と同様、カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂと、平坦化膜１６が積層されている。
【００５２】
液晶層１５Ａは、駆動電圧に応じて、そこを透過する光の透過率を制御する素子であり、上述のようにＦＦＳモードにより駆動されるものである。尚、このＦＦＳモード以外にも、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モード等の他の横電界モードの液晶を用いるようにしてもよい。但し、ＩＰＳモードの場合には、絶縁膜２２を有さない構造であってもよい。
【００５３】
画素電極２１Ｂは、画素毎に設けられると共に、ＴＦＴ１１のソース・ドレインに電気的に接続されており、映像信号に対応する電位が供給されるようになっている。この画素電極２１Ｂは、例えばＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電膜により構成され、櫛歯状にパターニングされて（複数のスリットを有して）いる。この画素電極２１Ｂのスリットを介して液晶層１５Ａへ横電界が印加されるようになっている。共通電極２１Ａは、例えばＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電膜により構成され、各画素に共通の電極として設けられている。
【００５４】
絶縁膜２２は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜により構成されている。
【００５５】
本実施の形態においても、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ａに配設されたＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が設けられている。これにより、ＴＦＴ１１がパネルの外側に近い領域に設けられた場合であっても、その電極や配線部分が水分によって腐食しにくい。また、シール幅を十分に確保可能であるため、液晶層１５Ａにおける液晶保持特性の劣化も抑制される。従って、本実施の形態のようにＦＦＳモードにより表示駆動される液晶表示装置１Ｃにおいても、上記第１の実施の形態と同様、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【００５６】
＜変形例２＞
上記第３の実施の形態では、横電界モード（ＦＦＳモード）により表示駆動される液晶表示装置について説明したが、このような液晶表示装置においても、上記第２の実施の形態で説明したような保護膜（無機絶縁膜）を設けた構造としてもよい。その一例を図７に示す。このように、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って、保護膜２２ａを設け、この保護膜２２ａに重畳するように、シール層２０ａが設けられている。また、ここでは、シール層２０ａの端縁Ｅ２が、平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも内側に配置されている。但し、上述のように、シール層２０ａの端縁Ｅ２が、平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けられていてもよい。
【００５７】
ＦＦＳモードの液晶表示装置では、画素部１０Ａにおいて、上述のように、共通電極２１Ａと画素電極２１Ｂとの間に、無機絶縁膜よりなる絶縁膜２２が設けられている。そのため、絶縁膜２２を形成する工程において、保護膜２２ａを形成することが可能である。即ち、平坦化膜１３上の全面に渡って、上述した無機絶縁膜を例えばＣＶＤ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素部１０Ａには絶縁膜２２、額縁領域１０Ｂには、保護膜２２ａをそれぞれ、一括してパターン形成する。
【００５８】
本変形例においても、シール層２０ａおよび保護膜２２ａの積層構造により、上記第１，２の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、保護膜２２ａを、画素部１０Ａの形成プロセスの一部と同工程において、形成することができる。よって、保護膜２２ａの形成のために新たに製造プロセスを追加することなく（フォトマスクのパターンを変更するだけで）、保護膜２２ａを形成できる。
【００５９】
＜変形例３＞
上記変形例２では、ＦＦＳモードの液晶表示装置において、保護膜２２ａと絶縁膜２２とを分離して設け、それらの形成時においてパターニングする場合について説明したが、保護膜と絶縁膜とが分離されていなくともよい。即ち、図８に示したように、画素部１０Ａに設けられる絶縁膜２２ｂを、額縁領域１０Ｂまで延在して設け（詳細には平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うように設け）、この額縁領域１０Ｂに対応する部分を、上記第２の実施の形態および変形例２における保護膜として機能させるようにしてもよい。尚、絶縁膜２２ｂは、上記絶縁膜２２と同様、シリコン酸化物などの無機絶縁膜により構成されている。
【００６０】
上記変形例２では、絶縁膜２２を形成する工程において、保護膜２２ａを同時にパターン形成したが、本変形例では、平坦化膜１３上の全面に渡って絶縁膜２２ｂを成膜すればよく、画素部１０Ａおよび額縁領域１０Ｂ毎に分離する必要がない。よって、製造プロセスをより簡易化（フォトマスクパターンの簡易化）することができる。
【００６１】
次に、上記第１〜第３の実施の形態および変形例１〜３において説明した液晶表示装置の他の変形例（変形例４〜１０）について説明する。本開示に係る表示装置は、以下に説明するように、上述した液晶表示装置に限定されず、様々な構成を取ることができる。また、いずれの場合においても、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。尚、以下では、上記第１の実施の形態において説明した縦電界モードの液晶表示装置を例に挙げて説明を行うが、上記第３の実施の形態等において説明したＦＦＳモードあるいはＩＰＳモードの液晶表示装置にも同様に適用可能である。
【００６２】
＜変形例４＞
図９は、変形例４に係る液晶表示装置１Ｄの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｄは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上において、額縁領域１０ＢにＴＦＴ１１が配設されており、これらのＴＦＴ１１を被覆するように平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００６３】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｄでは、ＴＦＴ１１上、具体的には、層間絶縁膜１２３ｂ上の全面にわたって、ソース・ドレイン電極１２４を被覆するように電極保護膜２３が設けられている。電極保護膜２３は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜により構成されている。この電極保護膜２３上に平坦化膜１３が設けられている。このような電極保護膜２３を設けることにより、ＴＦＴ１１や配線層への水分の介入を効果的に抑制することができる。
【００６４】
＜変形例５＞
図１０は、変形例５に係る液晶表示装置１Ｅの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｅは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上において、額縁領域１０ＢにＴＦＴ１１Ａが配設されており、これらのＴＦＴ１１Ａを被覆するように平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００６５】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｅでは、ＴＦＴ１１Ａとして、いわゆるトップゲート型（スタガ型）の薄膜トランジスタである。例えば、駆動側基板１０上に、半導体層１２２が設けられており、この半導体層１２２上に層間絶縁膜１２３ａを介してゲート電極１２１が配設されている。これらの層間絶縁膜１２３ａおよびゲート電極１２１を覆うように層間絶縁膜１２３ｂが設けられている。層間絶縁膜１２３ｂ上には、層間絶縁膜１２３ａおよび層間絶縁膜１２３ｂに設けられたコンタクトホールを埋め込むようにソース・ドレイン電極１２４が配設され、半導体層１２２と電気的に接続されている。
【００６６】
＜変形例６＞
尚、上記のようなトップゲート型のＴＦＴ１１Ａを用いた液晶表示装置１Ｅにおいても、図１１に示したように、ＴＦＴ１１Ａ上に電極保護膜２３を設けてもよい。
【００６７】
＜変形例７＞
図１２は、変形例７に係る液晶表示装置１Ｆの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｆは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上において、額縁領域１０ＢにＴＦＴ１１Ｂが配設されており、これらのＴＦＴ１１Ｂを被覆するように平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００６８】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｆでは、ＴＦＴ１１Ｂが、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタとなっている。このＴＦＴ１１Ｂでは、例えば、駆動側基板１０上に、ゲート電極１２１が設けられており、このゲート電極１２１上に層間絶縁膜１２３ａを介して半導体層１２５が形成されている。この半導体層１２５上に、一対のソース・ドレイン電極１２４が互いに分離して配設されている。このようなＴＦＴ１１Ｂを覆って平坦化膜１３が形成されている。
【００６９】
＜変形例８＞
図１３は、変形例８に係る液晶表示装置１Ｇの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｇは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ｂにおいて、ＴＦＴ１１を被覆する平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００７０】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｇでは、額縁領域１０Ｂにおいて、平坦化膜１３の更に外側に、平坦化膜１３の端縁部１３ｅの側面に沿って（端縁部１３ｅの周囲を囲むように）、壁部１３Ａが、端縁Ｅ１から所定の間隔をあけて設けられている。この壁部１３Ａは、例えば、平坦化膜１３と同一材料により同一の厚み（高さ）で設けられている。このような壁部１３Ａは、平坦化膜１３の形成工程において、上述したような有機絶縁膜（感光性樹脂）を基板全面にわたって例えばコート法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターン露光することにより、一括して形成可能である。このような壁部１３Ａを設けることにより、壁部１３Ａと端縁部１３ｅとの間にシール材料が充填され、シール幅がばらついた場合であっても、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを被覆し易くなる。
【００７１】
＜変形例９＞
尚、上記変形例８では、シール層１９の端縁Ｅ２が、壁部１３Ａよりも内側に配置された構成を例示したが、シール層１９の端縁Ｅ２は、図１４に示したように、上記壁部１３Ａよりも外側に設けられていてもよい。尚、上記変形例８，９の壁部１３Ａは、平坦化膜１３と同一材料より構成されていてもよいが、他の材料により構成されていてもよい。また、平坦化膜１３と必ずしも同一の厚み（高さ）となっていなくともよい。
【００７２】
＜変形例１０＞
図１５は、変形例１０に係る液晶表示装置１Ｈの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１ＨＧは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ｂにおいて、ＴＦＴ１１を被覆する平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００７３】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｈでは、額縁領域１０Ｂにおいて、対向基板１８側に設けられた平坦化膜１６の端縁部１６ｅをも覆って形成されている。具体的には、平坦化膜１６の端縁Ｅ４が、対向基板１８の端縁Ｅ５よりも内側に設けられており、シール層１９の端縁Ｅ２が、平坦化膜１６の端縁Ｅ４よりも外側に配置されている。これにより、対向基板１８側から液晶層１５への水分の介入を抑制することができる。
【００７４】
＜適用例＞
次に、図１６〜図２１を参照して、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置（液晶表示装置）の適用例（モジュールおよび適用例１〜５）について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００７５】
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図１６に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動側基板１０の一辺に、対向基板１８から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路６１および走査線駆動回路６２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７６】
（適用例１）
図１７は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０が、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００７７】
（適用例２）
図１８は、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２が、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００７８】
（適用例３）
図１９は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１，文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有しており、その表示部５３３は、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００７９】
（適用例４）
図２０は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１，この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２，撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、その表示部５４４は、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００８０】
（適用例５）
図２１は、適用例５に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００８１】
以上、いくつかの実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、本開示における絶縁膜として、有機絶縁膜よりなる平坦化膜を例示したが、このような有機絶縁膜に限らず、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物などよりなる無機絶縁膜が用いられていてもよい。
【００８２】
また、上記実施の形態等では、本開示のアクティブ素子として薄膜トランジスタを例に挙げて説明したが、これに限定されず、周辺回路に配設されるアクティブ素子であればよく、例えばダイオードや他のスイッチング素子等にも同様に適用可能である。
【００８３】
また、上記実施の形態等では、液晶表示装置を例に挙げたが、本開示における表示装置はこのような液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。この場合にも、上述したように、画素部１０Ａの額縁領域１０Ｂには、画素駆動回路（例えば、走査線駆動回路、信号線駆動回路および電源線駆動回路）が設けられ、ＴＦＴや配線層（走査線、信号線、電源線）が配設される。有機ＥＬ表示装置では、駆動側基板上に、それらのＴＦＴ等を覆うように平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に、ＴＦＴのソース・ドレインに電気的に接続されたアノード電極、有機ＥＬ層およびカソード電極がこの順に積層される。
【００８４】
尚、本開示の表示装置および電子機器は、以下の（１）〜（１７）に記載したような構成であってもよい。
（１）一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、前記一対の基板のうちの一方の基板上において、前記画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、前記一方の基板上の前記額縁領域に、前記１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、前記額縁領域において、前記画素部を封止すると共に前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層とを備えた表示装置。
（２）前記アクティブ素子は薄膜トランジスタである、上記(1)に記載の表示装置。
（３）前記薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続された配線層とが、前記絶縁膜により被覆されている、上記(2)に記載の表示装置。
（４）前記絶縁膜は有機絶縁膜よりなる平坦化膜である、上記(1)〜(3)のいずれかに記載の表示装置。
（５）前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール材よりなり、前記封止層の端縁が、前記絶縁膜の端縁よりも外側に設けられている、上記(4)に記載の表示装置。
（６）前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有する、上記(3)〜(5)のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記保護膜は無機絶縁膜よりなる、上記(6)に記載の表示装置。
（８）前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、縦電界モードにより駆動される液晶層と、前記液晶層を挟んで対向配置された一対の電極とを有する、上記(1)〜(7)のいずれかに記載の表示装置。
（９）前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、横電界モードにより表示駆動される液晶層と、前記液晶層の前記一方の基板側に設けられた一対の電極とを有する、上記(1)〜(8)のいずれかに記載の表示装置。
（１０）前記一対の電極間に層間絶縁膜を有する、上記(9)に記載の表示装置。
（１１）前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有し、前記保護膜が、前記層間絶縁膜と同一材料により構成されている、上記(10)に記載の表示装置。
（１２）前記絶縁膜の前記端縁部の周囲に壁部を有する、上記(1)〜(11)のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記一方の基板のうちの他方の基板の前記画素部側に、カラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層を被覆する他の絶縁膜とを有し、前記封止層は、前記他の絶縁膜の端縁部を覆って設けられている、上記(1)〜(12)のいずれかに記載の表示装置。
（１４）前記薄膜トランジスタ上に電極保護膜を備えた、上記(2)〜(13)のいずれかに記載の表示装置。
（１５）前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型薄膜トランジスタである、上記(2)〜(14)のいずれかに記載の表示装置。
（１６）前記薄膜トランジスタは、トップゲート型薄膜トランジスタである、上記(2)〜(15)のいずれかに記載の表示装置。
（１７）前記薄膜トランジスタは、低温ポリシリコン、微結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層を有する、上記(2)〜(16)のいずれかに記載の表示装置。
【符号の説明】
【００８５】
１Ａ〜１Ｈ…液晶表示装置、１０…駆動側基板、１１，１１Ａ，１１Ｂ…ＴＦＴ、１３…平坦化膜、１２１…ゲート電極、１２２，１２５…半導体層、１２３ａ，１２３ｂ…層間絶縁膜、１２４…ソース・ドレイン電極、１４Ａ，２１Ｂ…画素電極、１４Ｂ…対向電極、１５，１５Ａ…液晶層、１６…平坦化膜、１７Ａ…カラーフィルタ、１７Ｂ…遮光層、１８…対向基板、１９，２０ａ…シール層、２０…封止層、２０ｂ，２２ｂ…保護膜、２１Ｂ…共通電極、２２…絶縁膜、６１…信号線駆動回路、６２…走査線駆動回路。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、パネル基板間に表示素子や駆動素子がパッケージされてなる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や、有機ＥＬ（Electro luminescence：以下ＥＬと称す）表示装置などの映像表示装置では、表示パネル内へ水分が介入すると、液晶層や有機ＥＬ層の特性が劣化したり、配線層などに腐食が発生したりする。このため、表示装置では、パネル周囲をシール材などにより接着封止した構造を有する。このような表示パネルの封止構造については、これまでにも様々な提案がなされている（特許文献１，２）。
【０００３】
例えば、特許文献１，２には、周辺回路や画素を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配設された基板上に、電極や発光層などが積層された構造を有する表示パネルの周囲をシール材によって封止した手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号公報
【特許文献２】特開平１−２３９５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような表示装置では、表示領域（有効表示領域）およびその周辺領域（額縁領域）に、画素や周辺回路の駆動素子として、ＴＦＴが配設される。ところが、上記特許文献１の手法では、そのようなＴＦＴを無機絶縁膜からなる平坦化膜上に設け、その更に外側を囲むようにシール材を設けた封止構造となっている。十分な封止性能を持たせるためには、シール材の幅をある程度確保する必要があるため、そのようなＴＦＴの外側にシール材を設ける封止構造では、パネルの狭額縁化を実現しにくい。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の表示装置は、一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、一対の基板のうちの一方の基板上において、画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、一方の基板上の額縁領域に、１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、額縁領域において、画素部を封止すると共に絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層とを備えたものである。
【０００８】
本開示の表示装置では、一対の基板間において、画素部の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子を被覆して絶縁膜が設けられ、かつ封止層が、額縁領域において画素部を封止すると共にその絶縁膜の端縁部を覆って設けられる。これにより、額縁領域において省スペース化を図りつつ、アクティブ素子および画素部への水分等の介入が抑制される。
【０００９】
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の表示装置によれば、一対の基板間において、画素部の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子を被覆して絶縁膜を設け、かつ額縁領域において画素部を封止すると共にその絶縁膜の端縁部を覆うように封止層を設ける。これにより、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示における第１の実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示パネル）の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置における周辺回路の一例を表す機能ブロック図である。
【図３】比較例１および実施例に係る液晶表示装置の額縁面積を説明するための断面図である。
【図４】本開示における第２の実施の形態に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図５】変形例１に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図６】本開示における第３の実施の形態に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図７】変形例２に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図８】変形例３に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図９】変形例４に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１０】変形例５に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１１】変形例６に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１２】変形例７に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１３】変形例８に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１４】変形例９に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１５】変形例１０に係る液晶表示装置の画素部と額縁部との境界付近の概略構成を表す断面図である。
【図１６】上記各実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（シール層の端縁部が、ＴＦＴ（低温ポリシリコンを用いたボトムゲート構造）を被覆する平坦化膜の端縁部よりも外側に設けられてなる封止構造を有する液晶表示装置の例）
２．第２の実施の形態（シール層と平坦化膜との間に保護膜を設けた例）
３．変形例１（シール層と平坦化膜との間に保護膜を設けた場合の他の例）
４．第３の実施の形態（ＦＦＳモードにより表示駆動される液晶表示装置の例）
５．変形例２（ＦＦＳモードの液晶表示装置において、一対の電極間に設けられる絶縁膜と保護膜とを同一工程においてパターン形成した例）
６．変形例３（ＦＦＳモードの液晶表示装置において、一対の電極間に設けられる絶縁膜を額縁まで延在形成し、保護膜として利用した例）
７．変形例４（ＴＦＴ（ボトムゲート構造）上に電極保護膜を設けた例）
８．変形例５（ＴＦＴとしてトップゲート構造のトランジスタを設けた例）
９．変形例６（ＴＦＴ（トップゲート構造）上に電極保護膜を設けた例）
１０．変形例７（ＴＦＴとして非晶質シリコンを用いた場合の例）
１１．変形例８（額縁領域において、平坦化膜に凹部を設けた例）
１２．変形例９（凹部を設けた場合の他の例）
１３．変形例１０（シール層が、対向基板側の平坦化膜の端縁部を被覆した例）
１４．適用例（電子機器への適用例）
【００１３】
＜第１の実施の形態＞
［液晶表示装置１の構成例］
図１は、本開示における第１の実施の形態に係る液晶表示装置１Ａの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ａは、表示パネルにおいて、一対の基板（駆動側基板１０および対向基板１８）間に、画素部１０Ａを封止したものである。画素部１０Ａでは、例えばマトリクス状に複数の画素（例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のサブピクセル）が配置されている。尚、図１には図示しないが、駆動側基板１０の下方には、バックライトが配設され、駆動側基板１０の光入射側および対向基板１８の光出射側にはそれぞれ、偏光板が貼り合わせられている（以下の実施の形態も同様）。液晶表示装置１Ａでは、画素部１０Ａが、その周辺の額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９（封止層）により接着封止された構造を有している。尚、本実施の形態では、いわゆる縦電界モードによって表示駆動される液晶表示装置について説明する。
【００１４】
液晶表示装置１Ａでは、駆動側基板１０上に、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂにわたって、複数のＴＦＴ１１や配線層（信号線、走査線など）、保持容量素子（図示せず）などが配設されており、これらのＴＦＴ１１等を被覆するように平坦化膜１３が設けられている。画素部１０Ａでは、平坦化膜１３上に、複数の画素電極１４Ａが配設されており、各画素電極１４Ａは、平坦化膜１３に設けられたコンタクトホールを介して下層のＴＦＴ１１に電気的に接続されている。対向基板１８の一面側には、カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂが設けられ、これらが平坦化膜１６によって覆われている。平坦化膜１６上には、対向電極１４Ｂが配設されている。これらの駆動側基板１０と対向基板１８との間に液晶層１５が挟持され、画素電極１４Ａと対向電極１４Ｂとを通じて液晶層１５へ電圧が供給されるようになっている。尚、画素電極１４Ａおよび対向電極１４Ｂの液晶層１５側の面にはそれぞれ、図示しない配向膜が形成されている。
【００１５】
駆動側基板１０は、例えばガラス基板よりなる。この駆動側基板１０上には、上記のような画素部１０Ａが設けられると共に、その周辺の額縁領域１０Ｂに、画素部１０Ａを表示駆動するための周辺回路（例えば後述の信号線駆動回路６１，走査線駆動回路６２，バックライト駆動部６３およびタイミング制御部６４）が配設されたものである。
【００１６】
ＴＦＴ１１は、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）の薄膜トランジスタである。具体的には、ＴＦＴ１１では、駆動側基板１０上にゲート電極１２１が配設され、このゲート電極１２１上には、層間絶縁膜１２３ａ（ゲート絶縁膜）を間にして、半導体層１２２が設けられている。半導体層１２２上には、層間絶縁膜１２３ｂが積層され、この層間絶縁膜１２３ｂに形成されたコンタクトホールを埋め込むようにソース・ドレイン電極１２４が配設されている。
【００１７】
ゲート電極１２１は、トランジスタに印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって半導体層１２２中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極１２１は、例えばモリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種からなる単体もしくは合金、もしくはこれらのうちの２種以上からなる積層膜である。あるいはＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）およびＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）等の透明導電膜から構成されていてもよい。
【００１８】
層間絶縁膜１２３ａ，１２３ｂは、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜である。
【００１９】
半導体層１２２は、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものであり、例えば低温ポリシリコンにより構成されている。尚、この半導体層１２２には、低温ポリシリコンに限らず、非晶質シリコン（後述）または微結晶シリコンが用いられていてもよく、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ，ＩｎＧａＺｎＯ）などの酸化物半導体が用いられていてもよい。
【００２０】
ソース・ドレイン電極１２４は、ＴＦＴ１１のソースまたはドレインとして機能するものであり、半導体層１２２のソース領域またはドレイン領域と電気的に接続されている。例えばモリブデン，チタン，アルミニウム，銀および銅のうちの１種からなる単体もしくは合金、またはこれらのうちの２種以上からなる積層膜である。これらのソース・ドレイン電極１２４には、信号線（後述の信号線ＤＴＬ）が電気的に接続されている（あるいは、ソース・ドレイン電極１２４が信号線として機能している）。本実施の形態では、このような信号線とＴＦＴ１１とを覆って平坦化膜１３が設けられている（信号線およびＴＦＴが平坦化膜１３よりも下層に配設されている）。
【００２１】
平坦化膜１３は、例えばポリイミド、ノボラック系樹脂またはアクリル系樹脂などの感光性を有する有機絶縁膜よりなる。この平坦化膜１３は、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂに渡って形成されており、画素部１０Ａおよび額縁領域１０Ｂの双方に配設されたＴＦＴ１１を被覆している。換言すると、額縁領域１０Ｂにおいて、ＴＦＴ１１上に平坦化膜１３が積層されている。本実施の形態では、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うように、シール層１９が設けられている。
【００２２】
シール層１９は、接着性を有すると共に水分透過率の低い樹脂材料、例えばＵＶ硬化性や熱硬化性を有するエポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などにより構成されている。このシール層１９は、例えば上記樹脂材料を駆動側基板１０上の額縁領域１０Ｂに、例えば各種コート法を用いて塗布形成した後、硬化させることにより形成する。本実施の形態では、額縁領域１０Ｂにおいて、このシール層１９の端縁Ｅ２が、平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側（画素部１０Ａと反対側）に設けられている。即ち、有機絶縁膜よりなる平坦化膜１３の端縁部１３ｅが外部に露出しないような封止構造となっている。
【００２３】
画素電極１４Ａは、各画素へ各色の映像信号に対応する映像電位を印加するためのものであり、画素毎に配設されている。この画素電極１４Ａは、例えばＩＴＯなどの透明導電膜により構成されている。対向電極１４Ｂは、各画素に共通の電極として、これらの複数の画素電極１４Ａに対向して設けられ、例えばコモン電位が印加されるようになっている。
【００２４】
液晶層１５は、上記画素電極１４Ａおよび対向電極１４Ｂを通じて供給される駆動電圧に応じて、そこを透過する光の透過率を制御する素子である。この液晶層１５には、例えばＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モード、ＴＮ（Twisted Nematic）モードまたはＥＣＢ（Electrically controlled birefringence）モードなどの縦電界モードにより表示駆動される液晶を含むものである。尚、配向膜としては、例えば液晶層１５としてＶＡモードの液晶を用いた場合には、例えばポリイミドよりなる垂直配向膜が用いられる。
【００２５】
平坦化膜１６は、例えば有機絶縁膜よりなり、平坦化機能と共に、カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂの保護膜としての機能も有している。但し、このような有機絶縁膜に限らず、無機絶縁膜により構成されていてもよい。
【００２６】
カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂは、例えば感光性樹脂と、顔料や染料などの着色材料とを含むものである。カラーフィルタ１７Ａは、例えば画素毎に赤色、緑色または青色のいずれかの色のフィルタが設けられている。対向基板１８は、例えばガラスやプラスチックなどの透明基板よりなる。
【００２７】
尚、図示しない一対の偏光板（偏光子，検光子）は、例えば互いにクロスニコルの状態で配置されており、バックライト（後述のバックライト３６）からの光を電圧無印加状態（オフ状態）では遮断、電圧印加状態（オン状態）では透過させるようになっている。
【００２８】
（周辺回路）
図２は、液晶表示素子を含む画素（ＰＸＬ）を含む画素部１０Ａと、その周辺回路の構成を表したものである。このように、駆動側基板１０上の画素部１０Ａ内には、複数の画素（ＰＸＬ）が例えばマトリクス状に２次元配置されており、この画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂには、例えば走査線駆動回路６２および信号線駆動回路６１が配設されている。また、この他にも、例えばタイミング制御部６４、バックライト駆動部６３および、例えば映像信号に対して所定の補正処理を施す映像信号処理回路等が設けられている。各画素（ＰＸＬ）は、走査線ＷＳＬおよび信号線ＤＴＬに接続されている。
【００２９】
タイミング制御部６４は、走査線駆動回路６２および信号線駆動回路６１の駆動タイミングを制御すると共に、入力される映像信号Ｄinを信号線駆動回路６１へ供給するものである。走査線駆動回路６２は、タイミング制御部６４によるタイミング制御に従って、各画素を線順次駆動するものである。信号線駆動回路６１は、各画素へそれぞれ、タイミング制御部６４から供給される映像信号Ｄinに基づく映像電圧を供給するものである。具体的には、映像信号Ｄinに対してＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換を施すことにより、アナログ信号である映像信号を生成し、各画素へ出力する。
【００３０】
バックライト３６は、液晶層１５へ向けて光を照射する光源であり、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）やＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp）等を複数含むものである。このバックライト３６は、バックライト駆動部６３によって駆動され、点灯状態および消灯状態が制御されるようになっている。
【００３１】
（作用・効果）
液晶表示装置１Ａでは、図２に示したように、タイミング制御部６４へ外部入力信号（Ｄin）が入力されると、走査線駆動回路６２および信号線駆動回路６１が、画素部１０Ａの各画素（ＰＸＬ）を表示駆動する。具体的には、タイミング制御部６１の制御に応じて、走査線駆動回路６２が、各画素に接続された走査線ＷＳＬに走査信号を順次供給すると共に、信号線駆動回路６１が、外部入力信号（Ｄin）に基づく映像信号を、所定の信号線ＤＴＬに供給する。これにより、映像信号が供給された信号線ＤＴＬと走査信号が供給された走査線ＷＳＬとの交差点に位置する画素が選択され、その画素に駆動電圧が印加される。
【００３２】
上記のようにして選択された画素では、画素電極１４Ａおよび対向電極１４Ｂを通じて駆動電圧が供給され、これにより、液晶層１５における液晶分子の配向状態が、その駆動電圧の大きさに応じて変化する。その結果、液晶層１５における光学的特性が変化し、バックライト３６から液晶層１５へ入射した光は、画素毎に変調されて、対向基板１８上へ出射する。液晶表示装置１では、このようにして映像が表示される。
【００３３】
この液晶表示装置１では、額縁領域１０Ｂにおいて、画素部１０Ａが周辺封止された構造を有する。本実施の形態では、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９によって画素部１０Ａが封止されるが、この額縁領域１０Ｂには、ＴＦＴ１１が配設され、かつそのＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３が形成されている。このような構成において、平坦化膜１３の端縁部１３ｅがシール層１９によって覆われている（シール層１９の端縁Ｅ２が平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けられている）。これにより、封止性能を低減することなく、額縁領域１０Ｂの省スペース化を図ることができる。以下、その理由について説明する。
【００３４】
図３（Ａ）〜（Ｄ）は、額縁領域における配線層（信号線）およびシール層のレイアウトによる封止性能および額縁面積の違いについて説明するための断面模式図である。図３（Ａ）は、本実施の形態のレイアウト構成を簡略化して表したものであり、図３（Ｂ），（Ｃ）は比較例１に係る液晶表示装置について示したものである。図３（Ｄ）は比較例２に係る液晶表示装置について示したものである。
【００３５】
図３（Ｂ）に示したように、比較例１の液晶表示装置では、基板１０１上に、無機絶縁膜よりなる平坦化膜１０２が設けられている。この平坦化膜１０２には、複数のＴＦＴ（図示せず）が埋設されている（あるいは、平坦化膜１０２よりも下層に複数のＴＦＴが設けられている）。これら複数のＴＦＴは、それぞれが信号線１０３に電気的に接続されているが、比較例１では、信号線１０３が平坦化膜１０２上に配設されている。この比較例１では、額縁領域１００Ｂには設けられたＴＦＴ１０３の更に外側を囲うように、シール層１０６が形成されている（シール層１０６下にＴＦＴおよび信号線１０３を含む周辺回路を形成できない）。このような場合、額縁領域１００Ｂに形成可能なシール層１０６の幅（以下、シール幅という）Ｄ３が比較的小さくなり、十分な封止性能が得られない可能性がある。
【００３６】
一方、図３（Ｃ）に示したように、上記比較例１の構造において、十分な封止性能を得るために、シール層１０６のシール幅を大きくすると、それに伴って、額縁領域１００Ｂの面積（幅）も拡大してしまう。
【００３７】
他方、図３（Ｄ）に示したように、比較例２の液晶表示装置では、基板１０１上に、複数のＴＦＴ（図示せず）とそれぞれに接続された信号線１０３が設けられ、これらの複数のＴＦＴおよび信号線１０３を覆って、有機絶縁膜よりなる平坦化膜１０７が形成されている。この平坦化膜１０７上にシール層１０６が形成されている。このような構造を有する比較例２では、平坦化膜１０７の端部から水分が介入し易いことから、平坦化膜１０７の端部に腐食防止のために一定以上の幅Ｘを確保する必要が生じる。このため、額縁領域が大きくなり易い。
【００３８】
これに対し、本実施の形態では、図３（Ａ）に示したように、駆動側基板１０上に配設された複数のＴＦＴ（ここでは図示せず）およびこれらに電気的に接続された信号線１１ｈを被覆して平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うようにシール層１９が形成されている。即ち、平坦化膜１３よりも下層にＴＦＴおよび信号線１１ｈを設けると共に、この平坦化膜１３が更に、封止性能が高い（水分透過率が低い）シール層１９によって覆われている。ここで、平坦化膜１３は無機絶縁膜よりも水分を透過し易い有機絶縁膜により構成されるが、パネルの最も外側の全面がシール層１９によって封止されることにより、ＴＦＴおよび信号線１１ｈがパネルの外側に近い領域に設けられた場合であっても、その電極や配線部分が水分によって腐食しにくい。また、シール幅についても十分に確保されるため、液晶層１５における液晶保持特性の劣化も抑制される。即ち、例えば画素部１０Ａの周辺領域において、ＴＦＴ１１および配線層（走査線，信号線など）を含む駆動回路（上述した走査線駆動回路６２，信号線駆動回路６１など）を、よりパネルの外縁よりに設け（シール層１９下のスペースを有効活用し）、額縁領域１０Ｂの幅を狭くできる。このように、液晶表示装置１Ａでは、水分の介入を防ぎつつも、額縁領域１０Ｂの省スペース化が図られる。
【００３９】
以上説明したように、本実施の形態では、駆動側基板１０および対向基板１８間において、額縁領域１０Ｂに配設されたＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３を設け、かつ画素部１０Ａを封止するシール層１９を、その平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うように設ける。これにより、液晶表示装置１Ａでは、水分の介入に起因する配線層の腐食や液晶保持特性の劣化を抑制しつつ、額縁領域１０Ｂの省スペース化を図ることができる。よって、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【００４０】
次に、本開示における第２の実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ｂ）について説明する。以下では、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４１】
＜第２の実施の形態＞
図４は、液晶表示装置１Ｂの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｂは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、表示パネルにおいて、駆動側基板１０および対向基板１８間に、画素部１０Ａを封止したものである。液晶表示装置１Ｂにおいても、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、封止層２０により接着封止された構造を有している。また、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂにわたって、複数のＴＦＴ１１が配設され、これらのＴＦＴ１１を被覆するように平坦化膜１３が設けられている。但し、本実施の形態では、封止層２０が、シール層２０ａと保護膜２０ｂとの積層構造を有している。尚、画素部１０Ａを駆動する周辺回路の構成については、上記第１の実施の形態と同様である。
【００４２】
シール層２０ａは、上記第１の実施の形態におけるシール層１９と同様、接着性を有すると共に水分透過率の低い樹脂材料、例えばＵＶ硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂などにより構成されている。ここでは、シール層２０ａが、少なくともその一部において、保護膜２０ｂと重畳して設けられている。
【００４３】
保護膜２０ｂは、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの無機絶縁膜から構成されている。この保護膜２０ｂは、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられている。この保護膜２０ｂは、少なくとも平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆っていればよく、平坦化膜１３上の全面を被覆していなくともよい。
【００４４】
上記第１の実施の形態では、シール層１９の端縁Ｅ２を平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けたが、本実施の形態では、シール層２０ａの端縁Ｅ２が平坦膜１３の端縁Ｅ１よりも内側に設けられている。但し、シール層２０ａの端縁Ｅ２は、保護膜２０ｂの内側（画素部１０Ａの側）の端縁部Ｅ３よりも外側に設けられていることが望ましい。即ち、平坦化膜１３がシール層２０ａおよび保護膜２０ｂのうちのどちらか、または両方により覆われていることが望ましい。
【００４５】
本実施の形態においても、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ａに配設されたＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って封止層２０が設けられている。このように、パネルの最も外側の全面が封止層２０によって封止されることにより、ＴＦＴ１１がパネルの外側に近い領域に設けられた場合であっても、その電極や配線部分が水分によって腐食しにくい。また、封止層２０（シール層２０ａ）におけるシール幅を十分に確保可能であるため、液晶層１５における液晶保持特性の劣化も抑制される。従って、本実施の形態の液晶表示装置１Ｂにおいても、上記第１の実施の形態と同様、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【００４６】
また、本実施の形態では、封止層２０がシール層２０ａと、保護膜２０ｂの積層構造を有しており、保護膜２０ｂが平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆っている。無機絶縁膜よりなる保護膜２０ｂがシール層２０ａの下層に設けられることにより、シール層２０ａの設置面積にばらつきがあった場合にも、平坦化膜１３への水分の介入が抑制される。シール層２０ａは、上述のように塗布形成されるため、シール幅にばらつきが生じ易いが、そのようなばらつきが生じた場合であっても、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを露出しないようにすることができ、略一定の封止性能を保持することができる。
【００４７】
即ち、本実施の形態のように、シール層２０ａの端縁Ｅ２が平坦膜１３の端縁Ｅ１よりも内側に設けられていた場合であっても（シール層２０ａが平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆っていなくとも）、平坦膜１３への水分の介入を抑制することができる。
【００４８】
＜変形例１＞
あるいは、図５に示したように、保護膜２０ｂを有する構造において、シール層２０ａの端縁Ｅ２が平坦膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けられていてもよい。シール層２０ａと保護膜２０ｂとの積層構造により、より封止性能が向上する。尚、上記第２の実施の形態および変形例１では、額縁領域１０Ｂにおいて、保護膜２０ｂが平坦化膜１３上の一部のみを覆って設けられているが、この保護膜２０ｂが、平坦化膜１３上の額縁領域１０Ｂにおける全域を覆っていてもよい。
【００４９】
次に、本開示における第３の実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ｃ）について説明する。以下では、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５０】
＜第３の実施の形態＞
図６は、液晶表示装置１Ｃの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｃは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、表示パネルにおいて、駆動側基板１０および対向基板１８間に、画素部１０Ａを封止したものである。液晶表示装置１Ｃにおいても、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止された構造を有している。また、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａから額縁領域１０Ｂにわたって、複数のＴＦＴ１１が配設され、これらのＴＦＴ１１を被覆するように平坦化膜１３が設けられている。但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｃは、横電界モード（ここでは、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを例に挙げる）により表示駆動がなされるようになっている。尚、画素部１０Ａを駆動する周辺回路の構成については、上記第１の実施の形態と同様である。
【００５１】
このような液晶表示装置１Ｃは、例えば平坦化膜１３上に、共通電極２１Ａが配設され、この共通電極２１Ａ上には絶縁膜２２（層間絶縁膜）を介して画素電極２１Ｂが配設されている。この画素電極２１Ｂ上には液晶層１５Ａが形成され、対向基板１８によって封止されている。対向基板１８の液晶層１５Ａ側の面には、上記第１の実施の形態と同様、カラーフィルタ１７Ａおよび遮光層１７Ｂと、平坦化膜１６が積層されている。
【００５２】
液晶層１５Ａは、駆動電圧に応じて、そこを透過する光の透過率を制御する素子であり、上述のようにＦＦＳモードにより駆動されるものである。尚、このＦＦＳモード以外にも、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モード等の他の横電界モードの液晶を用いるようにしてもよい。但し、ＩＰＳモードの場合には、絶縁膜２２を有さない構造であってもよい。
【００５３】
画素電極２１Ｂは、画素毎に設けられると共に、ＴＦＴ１１のソース・ドレインに電気的に接続されており、映像信号に対応する電位が供給されるようになっている。この画素電極２１Ｂは、例えばＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電膜により構成され、櫛歯状にパターニングされて（複数のスリットを有して）いる。この画素電極２１Ｂのスリットを介して液晶層１５Ａへ横電界が印加されるようになっている。共通電極２１Ａは、例えばＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電膜により構成され、各画素に共通の電極として設けられている。
【００５４】
絶縁膜２２は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜により構成されている。
【００５５】
本実施の形態においても、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ａに配設されたＴＦＴ１１を被覆して平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が設けられている。これにより、ＴＦＴ１１がパネルの外側に近い領域に設けられた場合であっても、その電極や配線部分が水分によって腐食しにくい。また、シール幅を十分に確保可能であるため、液晶層１５Ａにおける液晶保持特性の劣化も抑制される。従って、本実施の形態のようにＦＦＳモードにより表示駆動される液晶表示装置１Ｃにおいても、上記第１の実施の形態と同様、封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能となる。
【００５６】
＜変形例２＞
上記第３の実施の形態では、横電界モード（ＦＦＳモード）により表示駆動される液晶表示装置について説明したが、このような液晶表示装置においても、上記第２の実施の形態で説明したような保護膜（無機絶縁膜）を設けた構造としてもよい。その一例を図７に示す。このように、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って、保護膜２２ａを設け、この保護膜２２ａに重畳するように、シール層２０ａが設けられている。また、ここでは、シール層２０ａの端縁Ｅ２が、平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも内側に配置されている。但し、上述のように、シール層２０ａの端縁Ｅ２が、平坦化膜１３の端縁Ｅ１よりも外側に設けられていてもよい。
【００５７】
ＦＦＳモードの液晶表示装置では、画素部１０Ａにおいて、上述のように、共通電極２１Ａと画素電極２１Ｂとの間に、無機絶縁膜よりなる絶縁膜２２が設けられている。そのため、絶縁膜２２を形成する工程において、保護膜２２ａを形成することが可能である。即ち、平坦化膜１３上の全面に渡って、上述した無機絶縁膜を例えばＣＶＤ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素部１０Ａには絶縁膜２２、額縁領域１０Ｂには、保護膜２２ａをそれぞれ、一括してパターン形成する。
【００５８】
本変形例においても、シール層２０ａおよび保護膜２２ａの積層構造により、上記第１，２の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、保護膜２２ａを、画素部１０Ａの形成プロセスの一部と同工程において、形成することができる。よって、保護膜２２ａの形成のために新たに製造プロセスを追加することなく（フォトマスクのパターンを変更するだけで）、保護膜２２ａを形成できる。
【００５９】
＜変形例３＞
上記変形例２では、ＦＦＳモードの液晶表示装置において、保護膜２２ａと絶縁膜２２とを分離して設け、それらの形成時においてパターニングする場合について説明したが、保護膜と絶縁膜とが分離されていなくともよい。即ち、図８に示したように、画素部１０Ａに設けられる絶縁膜２２ｂを、額縁領域１０Ｂまで延在して設け（詳細には平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆うように設け）、この額縁領域１０Ｂに対応する部分を、上記第２の実施の形態および変形例２における保護膜として機能させるようにしてもよい。尚、絶縁膜２２ｂは、上記絶縁膜２２と同様、シリコン酸化物などの無機絶縁膜により構成されている。
【００６０】
上記変形例２では、絶縁膜２２を形成する工程において、保護膜２２ａを同時にパターン形成したが、本変形例では、平坦化膜１３上の全面に渡って絶縁膜２２ｂを成膜すればよく、画素部１０Ａおよび額縁領域１０Ｂ毎に分離する必要がない。よって、製造プロセスをより簡易化（フォトマスクパターンの簡易化）することができる。
【００６１】
次に、上記第１〜第３の実施の形態および変形例１〜３において説明した液晶表示装置の他の変形例（変形例４〜１０）について説明する。本開示に係る表示装置は、以下に説明するように、上述した液晶表示装置に限定されず、様々な構成を取ることができる。また、いずれの場合においても、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。尚、以下では、上記第１の実施の形態において説明した縦電界モードの液晶表示装置を例に挙げて説明を行うが、上記第３の実施の形態等において説明したＦＦＳモードあるいはＩＰＳモードの液晶表示装置にも同様に適用可能である。
【００６２】
＜変形例４＞
図９は、変形例４に係る液晶表示装置１Ｄの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｄは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上において、額縁領域１０ＢにＴＦＴ１１が配設されており、これらのＴＦＴ１１を被覆するように平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００６３】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｄでは、ＴＦＴ１１上、具体的には、層間絶縁膜１２３ｂ上の全面にわたって、ソース・ドレイン電極１２４を被覆するように電極保護膜２３が設けられている。電極保護膜２３は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜により構成されている。この電極保護膜２３上に平坦化膜１３が設けられている。このような電極保護膜２３を設けることにより、ＴＦＴ１１や配線層への水分の介入を効果的に抑制することができる。
【００６４】
＜変形例５＞
図１０は、変形例５に係る液晶表示装置１Ｅの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｅは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上において、額縁領域１０ＢにＴＦＴ１１Ａが配設されており、これらのＴＦＴ１１Ａを被覆するように平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００６５】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｅでは、ＴＦＴ１１Ａとして、いわゆるトップゲート型（スタガ型）の薄膜トランジスタである。例えば、駆動側基板１０上に、半導体層１２２が設けられており、この半導体層１２２上に層間絶縁膜１２３ａを介してゲート電極１２１が配設されている。これらの層間絶縁膜１２３ａおよびゲート電極１２１を覆うように層間絶縁膜１２３ｂが設けられている。層間絶縁膜１２３ｂ上には、層間絶縁膜１２３ａおよび層間絶縁膜１２３ｂに設けられたコンタクトホールを埋め込むようにソース・ドレイン電極１２４が配設され、半導体層１２２と電気的に接続されている。
【００６６】
＜変形例６＞
尚、上記のようなトップゲート型のＴＦＴ１１Ａを用いた液晶表示装置１Ｅにおいても、図１１に示したように、ＴＦＴ１１Ａ上に電極保護膜２３を設けてもよい。
【００６７】
＜変形例７＞
図１２は、変形例７に係る液晶表示装置１Ｆの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｆは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上において、額縁領域１０ＢにＴＦＴ１１Ｂが配設されており、これらのＴＦＴ１１Ｂを被覆するように平坦化膜１３が設けられ、この平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００６８】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｆでは、ＴＦＴ１１Ｂが、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタとなっている。このＴＦＴ１１Ｂでは、例えば、駆動側基板１０上に、ゲート電極１２１が設けられており、このゲート電極１２１上に層間絶縁膜１２３ａを介して半導体層１２５が形成されている。この半導体層１２５上に、一対のソース・ドレイン電極１２４が互いに分離して配設されている。このようなＴＦＴ１１Ｂを覆って平坦化膜１３が形成されている。
【００６９】
＜変形例８＞
図１３は、変形例８に係る液晶表示装置１Ｇの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１Ｇは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ｂにおいて、ＴＦＴ１１を被覆する平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００７０】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｇでは、額縁領域１０Ｂにおいて、平坦化膜１３の更に外側に、平坦化膜１３の端縁部１３ｅの側面に沿って（端縁部１３ｅの周囲を囲むように）、壁部１３Ａが、端縁Ｅ１から所定の間隔をあけて設けられている。この壁部１３Ａは、例えば、平坦化膜１３と同一材料により同一の厚み（高さ）で設けられている。このような壁部１３Ａは、平坦化膜１３の形成工程において、上述したような有機絶縁膜（感光性樹脂）を基板全面にわたって例えばコート法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターン露光することにより、一括して形成可能である。このような壁部１３Ａを設けることにより、壁部１３Ａと端縁部１３ｅとの間にシール材料が充填され、シール幅がばらついた場合であっても、平坦化膜１３の端縁部１３ｅを被覆し易くなる。
【００７１】
＜変形例９＞
尚、上記変形例８では、シール層１９の端縁Ｅ２が、壁部１３Ａよりも内側に配置された構成を例示したが、シール層１９の端縁Ｅ２は、図１４に示したように、上記壁部１３Ａよりも外側に設けられていてもよい。尚、上記変形例８，９の壁部１３Ａは、平坦化膜１３と同一材料より構成されていてもよいが、他の材料により構成されていてもよい。また、平坦化膜１３と必ずしも同一の厚み（高さ）となっていなくともよい。
【００７２】
＜変形例１０＞
図１５は、変形例１０に係る液晶表示装置１Ｈの断面構造（画素部１０Ａと額縁領域１０Ｂとの境界付近の断面構造）を表したものである。液晶表示装置１ＨＧは、上記第１の実施の形態の液晶表示装置１Ａと同様、駆動側基板１０および対向基板１８間に画素部１０Ａを封止したものであり、画素部１０Ａが、額縁領域１０Ｂにおいて、シール層１９により接着封止されている。また、駆動側基板１０上の額縁領域１０Ｂにおいて、ＴＦＴ１１を被覆する平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆ってシール層１９が形成されている。
【００７３】
但し、本実施の形態の液晶表示装置１Ｈでは、額縁領域１０Ｂにおいて、対向基板１８側に設けられた平坦化膜１６の端縁部１６ｅをも覆って形成されている。具体的には、平坦化膜１６の端縁Ｅ４が、対向基板１８の端縁Ｅ５よりも内側に設けられており、シール層１９の端縁Ｅ２が、平坦化膜１６の端縁Ｅ４よりも外側に配置されている。これにより、対向基板１８側から液晶層１５への水分の介入を抑制することができる。
【００７４】
＜適用例＞
次に、図１６〜図２１を参照して、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置（液晶表示装置）の適用例（モジュールおよび適用例１〜５）について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００７５】
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図１６に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動側基板１０の一辺に、対向基板１８から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路６１および走査線駆動回路６２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７６】
（適用例１）
図１７は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０が、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００７７】
（適用例２）
図１８は、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２が、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００７８】
（適用例３）
図１９は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１，文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有しており、その表示部５３３は、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００７９】
（適用例４）
図２０は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１，この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２，撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、その表示部５４４は、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００８０】
（適用例５）
図２１は、適用例５に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る表示装置に相当する。
【００８１】
以上、いくつかの実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、本開示における絶縁膜として、有機絶縁膜よりなる平坦化膜を例示したが、このような有機絶縁膜に限らず、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物などよりなる無機絶縁膜が用いられていてもよい。
【００８２】
また、上記実施の形態等では、本開示のアクティブ素子として薄膜トランジスタを例に挙げて説明したが、これに限定されず、周辺回路に配設されるアクティブ素子であればよく、例えばダイオードや他のスイッチング素子等にも同様に適用可能である。
【００８３】
また、上記実施の形態等では、液晶表示装置を例に挙げたが、本開示における表示装置はこのような液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。この場合にも、上述したように、画素部１０Ａの額縁領域１０Ｂには、画素駆動回路（例えば、走査線駆動回路、信号線駆動回路および電源線駆動回路）が設けられ、ＴＦＴや配線層（走査線、信号線、電源線）が配設される。有機ＥＬ表示装置では、駆動側基板上に、それらのＴＦＴ等を覆うように平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に、ＴＦＴのソース・ドレインに電気的に接続されたアノード電極、有機ＥＬ層およびカソード電極がこの順に積層される。
【００８４】
尚、本開示の表示装置および電子機器は、以下の（１）〜（１７）に記載したような構成であってもよい。
（１）一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、前記一対の基板のうちの一方の基板上において、前記画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、前記一方の基板上の前記額縁領域に、前記１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、前記額縁領域において、前記画素部を封止すると共に前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層とを備えた表示装置。
（２）前記アクティブ素子は薄膜トランジスタである、上記(1)に記載の表示装置。
（３）前記薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続された配線層とが、前記絶縁膜により被覆されている、上記(2)に記載の表示装置。
（４）前記絶縁膜は有機絶縁膜よりなる平坦化膜である、上記(1)〜(3)のいずれかに記載の表示装置。
（５）前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール材よりなり、前記封止層の端縁が、前記絶縁膜の端縁よりも外側に設けられている、上記(4)に記載の表示装置。
（６）前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有する、上記(3)〜(5)のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記保護膜は無機絶縁膜よりなる、上記(6)に記載の表示装置。
（８）前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、縦電界モードにより駆動される液晶層と、前記液晶層を挟んで対向配置された一対の電極とを有する、上記(1)〜(7)のいずれかに記載の表示装置。
（９）前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、横電界モードにより表示駆動される液晶層と、前記液晶層の前記一方の基板側に設けられた一対の電極とを有する、上記(1)〜(8)のいずれかに記載の表示装置。
（１０）前記一対の電極間に層間絶縁膜を有する、上記(9)に記載の表示装置。
（１１）前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有し、前記保護膜が、前記層間絶縁膜と同一材料により構成されている、上記(10)に記載の表示装置。
（１２）前記絶縁膜の前記端縁部の周囲に壁部を有する、上記(1)〜(11)のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記一方の基板のうちの他方の基板の前記画素部側に、カラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層を被覆する他の絶縁膜とを有し、前記封止層は、前記他の絶縁膜の端縁部を覆って設けられている、上記(1)〜(12)のいずれかに記載の表示装置。
（１４）前記薄膜トランジスタ上に電極保護膜を備えた、上記(2)〜(13)のいずれかに記載の表示装置。
（１５）前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型薄膜トランジスタである、上記(2)〜(14)のいずれかに記載の表示装置。
（１６）前記薄膜トランジスタは、トップゲート型薄膜トランジスタである、上記(2)〜(15)のいずれかに記載の表示装置。
（１７）前記薄膜トランジスタは、低温ポリシリコン、微結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層を有する、上記(2)〜(16)のいずれかに記載の表示装置。
【符号の説明】
【００８５】
１Ａ〜１Ｈ…液晶表示装置、１０…駆動側基板、１１，１１Ａ，１１Ｂ…ＴＦＴ、１３…平坦化膜、１２１…ゲート電極、１２２，１２５…半導体層、１２３ａ，１２３ｂ…層間絶縁膜、１２４…ソース・ドレイン電極、１４Ａ，２１Ｂ…画素電極、１４Ｂ…対向電極、１５，１５Ａ…液晶層、１６…平坦化膜、１７Ａ…カラーフィルタ、１７Ｂ…遮光層、１８…対向基板、１９，２０ａ…シール層、２０…封止層、２０ｂ，２２ｂ…保護膜、２１Ｂ…共通電極、２２…絶縁膜、６１…信号線駆動回路、６２…走査線駆動回路。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、
前記一対の基板のうちの一方の基板上において、前記画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、
前記一方の基板上の前記額縁領域に、前記１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、
前記額縁領域において、前記画素部を封止すると共に前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記アクティブ素子は薄膜トランジスタである
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続された配線層とが、前記絶縁膜により被覆されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は有機絶縁膜よりなる平坦化膜である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール材よりなり、
前記封止層の端縁が、前記絶縁膜の端縁よりも外側に設けられている
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記封止層は、
前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、
前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記保護膜は無機絶縁膜よりなる
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、
縦電界モードにより駆動される液晶層と、
前記液晶層を挟んで対向配置された一対の電極とを有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、
横電界モードにより表示駆動される液晶層と、
前記液晶層の前記一方の基板側に設けられた一対の電極と
を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記一対の電極間に層間絶縁膜を有する
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止層は、
前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、
前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有し、
前記保護膜が、前記層間絶縁膜と同一材料により構成されている
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記絶縁膜の前記端縁部の周囲に壁部を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記一方の基板のうちの他方の基板の前記画素部側に、
カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層を被覆する他の絶縁膜とを有し、
前記封止層は、前記他の絶縁膜の端縁部を覆って設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタ上に電極保護膜を備えた
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型薄膜トランジスタである
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタは、トップゲート型薄膜トランジスタである
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記薄膜トランジスタは、低温ポリシリコン、微結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層を有する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１８】
一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、
前記一対の基板のうちの一方の基板上において、前記画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、
前記一方の基板上の前記額縁領域に、前記１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、
前記額縁領域において、前記画素部を封止すると共に前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層と
を備えた表示装置を有する電子機器。
【請求項１】
一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、
前記一対の基板のうちの一方の基板上において、前記画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、
前記一方の基板上の前記額縁領域に、前記１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、
前記額縁領域において、前記画素部を封止すると共に前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記アクティブ素子は薄膜トランジスタである
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続された配線層とが、前記絶縁膜により被覆されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は有機絶縁膜よりなる平坦化膜である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記封止層は、前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール材よりなり、
前記封止層の端縁が、前記絶縁膜の端縁よりも外側に設けられている
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記封止層は、
前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、
前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記保護膜は無機絶縁膜よりなる
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、
縦電界モードにより駆動される液晶層と、
前記液晶層を挟んで対向配置された一対の電極とを有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素部の前記複数の画素はそれぞれ、
横電界モードにより表示駆動される液晶層と、
前記液晶層の前記一方の基板側に設けられた一対の電極と
を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記一対の電極間に層間絶縁膜を有する
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止層は、
前記画素部を前記一対の基板間に接着封止するシール層と、
前記絶縁膜と前記シール層との間に設けられ、少なくとも前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた保護膜とを有し、
前記保護膜が、前記層間絶縁膜と同一材料により構成されている
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記絶縁膜の前記端縁部の周囲に壁部を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記一方の基板のうちの他方の基板の前記画素部側に、
カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層を被覆する他の絶縁膜とを有し、
前記封止層は、前記他の絶縁膜の端縁部を覆って設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタ上に電極保護膜を備えた
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型薄膜トランジスタである
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタは、トップゲート型薄膜トランジスタである
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記薄膜トランジスタは、低温ポリシリコン、微結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる半導体層を有する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１８】
一対の基板間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部と、
前記一対の基板のうちの一方の基板上において、前記画素部の周辺の額縁領域に配設された１または複数のアクティブ素子と、
前記一方の基板上の前記額縁領域に、前記１または複数のアクティブ素子を被覆して設けられた絶縁膜と、
前記額縁領域において、前記画素部を封止すると共に前記絶縁膜の端縁部を覆って設けられた封止層と
を備えた表示装置を有する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−２５５８４０（Ｐ２０１２−２５５８４０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２７５９９（Ｐ２０１１−１２７５９９）
【出願日】平成２３年６月７日（２０１１．６．７）
【出願人】（５９８１７２３９８）株式会社ジャパンディスプレイウェスト (90)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月７日（２０１１．６．７）
【出願人】（５９８１７２３９８）株式会社ジャパンディスプレイウェスト (90)
【Ｆターム（参考）】
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