【課題】抜き取り検査間の間に、カラーフィルタ基板全数の再検査を必要とするような大きなトラブル発生を未然に防止できて、且つカラーフィルタ基板の全数を検査しても生産性を低下させることのない透明電極の検査方法を提供することを目的とした。
【解決手段】透明基板上にカラーフィルタと透明導電膜を形成した後に、前記基板を搬送ライン上に設置された紫外光源と紫外線センサーの間を通過させ、前記透明基板と透明導電膜の積層部分の透過率を測定することで、前記カラーフィルタ上の透明導電膜の有無を判断することを特徴とするインライン透明導電膜検査方法。 （もっと読む）

【課題】横電界方式を採用するに当たって、組立性を損ねることなく、界面反射によるコントラスト低下を抑えつつ、液晶パネルの薄型化、狭額縁化を実現する。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置において、対向基板１３の表面に透明導電樹脂部１７を設ける一方、電極パッド部１８上に透明導電樹脂部１７およびＧＮＤ接続線２２に電気的に接続されるＧＮＤ接続用電極部２０を設ける。そして、液晶パネル１１の表面の帯電を、透明導電樹脂部１７、ＧＮＤ接続用電極部２０、電極接続線２１およびＦＰＣ側ＧＮＤ接続線２２を経由して、セット側プリント基板の接地へ逃がすようにする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー技術に限定されることなくパターンの形成が可能であり、安価なパターン形成方法を使用できるためコストを抑制でき、また、配線パターンのサイズや形状を自由に設計できるため、製品応用への範囲が広く、大量生産が可能な、配線パターンの見えない積層体を提供すること。
【解決手段】可視光波長領域における屈折率が１．８以上、２．２以下の透明基板１と、透明基板１上の一部に形成された酸化亜鉛膜２とを備え、透明基板１の可視光領域の光の波長に対応する屈折率に対して、酸化亜鉛膜２の可視光領域の光の波長に対応する屈折率が、プラス５％およびマイナス５％の範囲内であり、透明基板１の裏面から入射されて、透明基板１のみを透過して出射される光の可視光領域における分光透過率に対して、透明基板１の裏面から入射されて、透明基板１および透明基板１の一部に形成された酸化亜鉛膜２を透過して出射される光の可視光領域における分光透過率が、プラス５％およびマイナス５％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インクジェットプリンタを用いた塗布法によって良好なパターン形状を形成できる透明導電膜形成用インクを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成用インクは、透明導電性粒子と、分散剤と、表面改質剤と、溶媒とを含み、前記溶媒の含有量は、前記インク全体の重量に対して、４０〜９９重量％であり、前記溶媒は、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、ジエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル及びジプロピレングリコールメチルエーテルアセテートからなる群から選らばれる少なくとも一種であり、基板との接触角が、５°〜１０°であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化物からなる電極は半導体装置の作成工程中に加わる加熱処理により結晶化し易い。結晶化により表面凹凸が大きくなった電極を用いた薄膜素子は、短絡が起こり易く、素子の信頼性が低下してしまう。加熱処理しても結晶化が進まない透光性を有する導電性酸窒化物およびその作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水素原子を不純物添加したインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸窒化物が３５０℃で加熱しても結晶化しない透光性を有する導電膜であることを見いだし、課題の解決に至った。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線等を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、相交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、該交差に設けられた画素電極（９）と、（i）一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域（１ａ´）を有する半導体膜と、（ii）ゲート電極（３ａ）とを含むトランジスタ（３０）と、ゲート電極上に配置された遮光部（１１ｂ）と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極（７２）とを備える。第１及び第２絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第１部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホール（８０１）が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量（７０）を形成している。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止する。
【解決手段】液晶表示装置１は、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、絶縁膜３１の表面に積層された第１透明電極２１と、反射領域１９に配置され、第１透明電極２１における一部の表面に積層された反射電極２３と、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、反射電極２３の表面全体に積層されると共に、反射電極２３の外側において第１透明電極２１の表面に積層された第２透明電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示パネルに用いられるカラーフィルタ形成基板であって、除電膜としてＩＴＯ膜を用いた場合に比べて薄くして、透過性が良く、且つ、除電膜としての機能を果たせる除電膜を配したカラーフィルタ形成基板を提供する。同時に、そのようなカラーフィルタ形成基板を用いたＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示パネルを提供する。
【解決手段】 透明基板の一方の面上に着色層であるカラーフィルタを配し、且つ、他方の面上に除電膜としての透明導電膜を配している、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示パネル用のカラーフィルタ形成基板であって、前記除電膜としての透明導電膜が非晶質である。更に、前記除電膜としての透明導電膜がインジウム亜鉛酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決することを課題の一とする。高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域との間であって、且つ少なくともソース領域及びドレイン領域側に、窒素、ＮＨ基、またはＮＨ_２基を有する非晶質半導体層をバッファ層として有する。非晶質半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオン電流を高めると共に、微結晶半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性を損ねることなく密着性及び耐久性に優れた導電性材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電性材料は、支持体上に、１層以上の導電性層を有し、前記支持体と前記導電性層の間に２層以上の易接着層を有する。導電性層は好ましくはＰＥＤＯＴとＰＳＳを含有し、支持体は好ましくはＰＥＴで形成され、２層以上の易接着層は、それぞれ、ポリウレタン、ポリエステル及びポリアクリルのいずれかで構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】開口率（透過率）の低下を抑制する。
【解決手段】液晶装置（１００）は、第１基板（１０）と、第２基板（２０）と、サブ画素部（７１）に対応する第１電極（９ａ）と、隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個のサブ画素部で構成される表示画素部を横断して延びる開口部（１１ｂ）を備える第２電極（１１）と、液晶層（５０）と、スペーサ（４０）と、サブ画素部の境界を覆うと共に、スペーサを覆う第１遮光部（２３ａ）と、及び第１者後部が覆うサブ画素部の境界とは異なるサブ画素部の境界を覆うと共に、スペーサを覆わない第２遮光部（２３ｂ）を備える遮光膜（２３）とを備え、第１遮光部は、表示画素部のうちの両端のサブ画素部以外のサブ画素部の境界を覆い、第１遮光部の面積は、第２遮光部の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの形成方法とは異なる方法で、反射表示領域を明るく表示することが望まれていた。
【解決手段】反射層５１において一部の外光は反射（図中破線矢印）するが、第２層間絶縁層１６ｓに侵入した外光は、反射層５１と反射層５２との間において、図示（図中実線矢印）するように繰返し反射される。このとき、原理的に反射層５１と反射層５２との間における定在波の波長光が共振し、強い光となって液晶層４０側に射出される。このとき、反射層５１と反射層５２との間の距離に応じて、反射表示領域毎に異なる色（赤色、緑色、あるいは青色）の波長光を共振させることができるので、共振した波長を有する光によって、例えばカラーフィルタを薄くすることなく反射表示領域におけるカラー表示を明るくすることができる。 （もっと読む）

【課題】レアメタルであるインジウムを使用せず、酸化亜鉛を使用し、高い電気伝導性を備えた透明導電膜付き基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜をマグネトロンスパッタリング法により成膜し、前記成膜工程において基板にバイアスを印加して成膜すること、および、印加するバイアスは、成膜の初期段階でのバイアスの値がＲ０、初期段階後のバイアスの値がＲとすると、Ｒ０/Ｒを１．２〜２．５にすることにより課題を達成した。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】コスト及び消費電力の増大を招くことなく、透過率を向上することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した構成の液晶表示パネルＬＰＮを備え、
アレイ基板ＡＲは、第１電極Ｅ１と、第１電極と絶縁層ＩＬを介して対向するように配置され第１電極と対向するスリットＳＬが形成された第２電極Ｅ２と、第２電極を覆うとともに液晶層に接する第１配向膜ＡＬ１と、を備え、
対向基板ＣＴは、第１配向膜より厚い膜厚を有し且つ液晶層に接する第２配向膜ＡＬ２を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】各画素の開口率の低下を殆ど招くことなく、動画像を表示する際の残像及び尾引き等の表示上の不具合を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）と、一対の基板間に挟持された電気光学物質（５０）と、互いに交差するように設けられたデータ線（６）及び走査線（１１）と、データ線及び走査線の交差に夫々対応して設けられた複数の画素と、複数の画素のうち第１画素毎に設けられ、一端側に位置する二つの角部が切り欠かれてなる平面形状を有する第１画素電極（９１）と、複数の画素のうち第１画素と互いに隣り合う第２画素毎に設けられ、一端とは異なる他端側に位置する二つの角部が切り欠かれてなる平面形状を有する第２画素電極（９２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】偏光性を有し、可視光の透過率が良好な透明導電性電極及びこれを用いた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電性電極２９は、透明な基板の表面に形成された薄膜状の透明導電性電極２９であって、長さＬが可視光の最長波長よりも長く、幅Ｗが可視光の最長波長の波長よりも短い微細長孔３８が前記微細長孔３８の幅方向に等間隔で複数個形成されていることを特徴とする。前記微細長孔３８を前記微細長孔の幅方向に平行に形成すると、前記透明導電性電極にワイヤグリッド型偏光板と同様の偏光性が付与されるため、前記微細長孔を有しない透明導電性電極の場合よりもよりも特定の偏光性を有する光の透過率が向上する。この透明導電性電極を液晶表示装置の電極として用いると、電気的には従来例の場合と同様であるが、より明るい表示ができる液晶表示装置となる。 （もっと読む）