【課題】 電気的特性の良い半導体装置を得る。
【解決手段】 下地絶縁膜１０２上に対向して形成されたソース／ドレイン領域１０３、ソース／ドレイン領域１０３の間にチャネル部を形成し、一部がソース／ドレイン領域１０３上に重なる半導体膜１０４、半導体膜１０４上にゲート絶縁膜１０５を介して形成されたゲート電極１０６を備える。ゲート電極１０６の幅は半導体膜１０４の幅よりも大きく、半導体膜１０４は、ソース／ドレイン領域１０３に重なる部分の膜厚がソース領域とドレイン領域の間の膜厚よりも薄い。また、ソース／ドレイン領域１０３は、ゲート電極１０６とオーバラップする部分において、チャネル部中央に向かって厚みが漸次薄くなる。 （もっと読む）

【課題】垂直配向方式の液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】垂直配向方式の液晶ディスプレイは、複数の画素領域からなり、各画素領域はソースラインとゲートラインとにより駆動される。第一基板は、第二基板の反対側に位置し、それらの間に液晶層が配置される。第一画素駆動装置と第二画素駆動装置とは、第一画素電極と第二画素電極とに結合され、第一基板上に形成される。第一画素電極と第二画素電極は、複数のスリットを有し、第一画素駆動装置及び第二画素駆動装置は、異なる開電流を有し、第一画素電極及び第二画素電極は異なる電圧を有して、液晶層は二つの異なる方位を有する液晶方位領域を有する。複数のスリット又は突起を有するコモン電極は、第二基板の内側に形成される。 （もっと読む）

【課題】 長期間の使用後もトランジスタの動作が安定な半導体装置、この半導体装置を備えた液晶ディスプレイパネル及び電子機器、並びに前記半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 トランジスタＴ５はそのしきい値電圧の絶対値が増加する方向に変動するように使用されるものであり、トランジスタＴ６はそのしきい値電圧の絶対値が低下する方向に変動するように使用されるものである。トランジスタＴ５のチャネル領域６には、リンを１×１０^１２ｃｍ^−２の濃度で導入し、トランジスタＴ６のチャネル領域６には、リンを３×１０^１２ｃｍ^−２の濃度で導入する。これにより、トランジスタＴ５の作製当初のしきい値電圧の絶対値を、トランジスタＴ６の初期しきい値の絶対値よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】実質的なチャネル長の長さを短くし、半導体装置を微細化することができる半導体装置及びその作製方法を提供する。また、実質的なチャネル長の長さを短くすることによってゲート容量を減少させることができ、半導体装置の高速動作及び高性能化を実現できる半導体装置及び、その作製方法を提供する。また、製造工程を簡略化することができる作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成されたる島状半導体膜と、島状半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置であって、ゲート電極は高密度プラズマにより表面を酸化されることによって、スリミング化し、実質的なチャネル長を短くしている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射により安定して効率よく結晶粒の位置とその大きさを制御した大粒径結晶を有する多結晶半導体膜を形成し、さらにその多結晶半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能な薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】 固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に島状に基本波の吸収が可能な光吸収層を形成し、基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できるＴＦＴ等を提供する。ＴＦＴは、小熱容量部と大熱容量部とを有する多結晶Ｓｉ膜からなり、小熱容量部が少なくともチャネル部として用いられものである。そして、多結晶Ｓｉ膜は、小熱容量部が完全溶融するとともに大熱容量部が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによる結晶粒膜によって形成されている。小熱容量部と大熱容量部との界面から成長した粗大結晶粒によってチャネル部が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。
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【課題】
本発明の課題は、結晶化状態に影響を受けずに均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供することにある。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上に形成されている複数のゲート線、ゲート線と交差する複数のデータ線、ゲート線及びデータ線と各々連結されている複数の薄膜トランジスタ、そして薄膜トランジスタと各々連結されている複数の画素電極を含み、複数の薄膜トランジスタは、多様な漏洩電流値を有して、基板全体に不規則に分布している。 （もっと読む）

【課題】均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャンネル領域を有し、多結晶シリコンからなる複数の半導体と、半導体上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、チャンネル領域と重畳するゲート線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域と接続されているデータ線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン領域と接続されている画素電極とを備え、半導体の表面は複数の突起（Ｐ）を有し、半導体の長さ（Ｘ）が突起（Ｓ）間の距離の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】 ボトムゲート型の薄膜トランジスタを画素ドットごとのスイッチング素子とする透過型の液晶表示装置において、電源オフ時の残像を速やかに消去できるとともに、このために製造コストの増大または製品の不具合等を招かないものを提供する。
【解決手段】画素領域内にあって、製造装置または工程の特性上、電源を切った際の画素電極からのリーク電流が小さくなる領域にて、遮光膜311に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）121のチャネル部の輪郭とほぼ重なり合う抜き部312を設ける。また、この抜き部312には、着色膜321を２層または３層重ねておくことで、光遮蔽率（ＯＤ値）を適当な値とする。このようにして、電源オフ時にリーク電流を発生させるとともに、使用時に、過度の光のリークによる表示ムラ等の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）