【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】 特性のばらつきを抑制した半導体素子を備える半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）と第２領域（Ｓｂ）との間の少なくとも一部にスリット（ＳＬ）を形成する工程と、第１開口部（Ｏａ）および第２開口部（Ｏｂ）の設けられたマスク層（Ｍ）を形成する工程と、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）に触媒元素（Ｃｔ）を導入し、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）のそれぞれの結晶化を行う工程と、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）をパターニングした第１島状半導体層（１２２）および第２島状半導体層（１４２）を用いて半導体素子（１２０）および半導体素子（１４０）を作製する工程と包含する。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体の吸収端波長より長波長の光を半導体に照射する機構と、該光の調節機構とを設置することで、半導体の閾値電圧変化を補償又は抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子を備えた半導体装置であって、前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射する機構と、前記光が通過する光路の一部に設けられた、光の強度、照射時間又は波長から選択される少なくとも１つの要素を調節する調光機構と、を有し、前記調光機構によって調節された前記光により、前記半導体素子の閾値電圧を変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造できる、チオフェンとフェニレンからなる溶解性に優れた低分子有機半導体材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする有機半導体材料。


（一般式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基又は置換もしくは無置換のアルキルチオ基又は水素を表わし、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５及びＲ^６の少なくとも一つは、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基又は置換もしくは無置換のアルキルチオ基であり、ｎは１〜８の整数を表わす。） （もっと読む）

【課題】静電気の荷電量に関係なしに静電気から液晶表示基板を保護すること。
【解決手段】画像を表示する多数の画素電極と半導体素子とを有している透明な絶縁の第１基板と、前記第１基板上に形成され前記半導体素子と連結された配線と、隣接した前記配線との間に連結され、前記第１基板から発生される静電気を消耗させる多数のスパーク誘導回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとして
も、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを
低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のト
ランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、ＴＦＴ基板に、走査
線１１ａとデータ線６ａとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走
査線１１ａとデータ線６ａとの交差領域８０に、ＴＦＴ３０の半導体層１が設けられてお
り、対向基板に、ＴＦＴ３０を遮光する、半導体層１と少なくとも一部が平面視した状態
で重なる島状のＢＭ２５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板と対向基板の間隔をＴＦＴ基板に形成した支柱によって規定し、かつ支柱部分からの光漏れをなくする。
【解決手段】ドレイン線１０７と走査線１０４の交点にＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する支柱１３０を形成する。支柱１３０が形成される交点ではドレイン線１０７の幅を大きくすることによって光漏れを防止する。また、支柱１３０が形成される交点では、走査線１０４の幅を小さくすることによって、ドレイン線１０７と走査線１０４間の容量の増加を防止する。また、支柱１３０は特定の色の画素、例えば青画素Ｂに対応する交点に形成する。これによって、支柱１３０を形成したことによる透過率の差および、薄膜トランジスタの特性差を初期的に補償する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気保護素子を備えた液晶表示装置に関し、冗長性に優れ、比較的低い電圧が長時間発生する静電気に対しても十分な保護機能を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】静電気保護素子部２８、３０は、外部取り出し電極１６、１８に接続されるソース電極（Ｓ）と共通線２２、２４に接続されるドレイン電極（Ｄ）とを有する第１のＴＦＴ３２と第１のＴＦＴ３２ゲート電極（Ｇ）に接続された導電体４２と、外部取り出し電極１６、１８に接続されたソース電極（Ｓ）と導電体４２に接続されたドレイン電極（Ｄ）と電気的に孤立しているゲート電極（Ｇ）とを有する第２のＴＦＴ３８と、共通線２２、２４に接続されたソース電極（Ｓ）と導電体４２に接続されたドレイン電極（Ｄ）と電気的に孤立しているゲート電極（Ｇ）とを有する第３のＴＦＴ４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】抵抗制御が容易で、品質の良好な薄膜トランジスタ構造、表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ構造１０において、半導体層２２は、ｐ型不純物イオンのみドープされたチャネル領域３０を備えている。半導体層２２は、チャネル領域３０を間に挟むと共に、ソース領域３５及びドレイン領域３６として機能する一対の高濃度不純物領域３３を備えている。半導体層２２は、ソース領域３５とチャネル領域３０と、及び、ドレイン領域３６とチャネル領域３０と、の間にそれぞれ形成されてｎ型不純物イオンのみドープされた低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域３１，３２）を備えている。ゲート電極２４は、チャネル領域３０及びＬＤＤ領域３１，３２をオーバーラップするように形成されている。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきを抑制できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガラス基板２上に設けられエッチングにより形成された端部５を有する多結晶又は非晶質Ｓｉからなる半導体層４と、半導体層４の両側に設けられたソース領域８およびドレイン領域９と、ソース領域８およびドレイン領域９間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域１０と、チャネル領域１０上にゲート絶縁膜６を介して設けられたゲート電極７と、チャネル領域１０のチャネル幅方向のゲート電極７で被覆された端部５に電流が流れないように絶縁化された絶縁膜１１とを具備し、ゲート電極７で被覆された端部５がしきい値電圧に寄与しない構造にした。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の剥離の発生率を抑えた半導体装置を作製することを課題とする。また、トランジスタの不良発生率を低減した半導体装置を提供することを課題とする。また、回路配置を最適化した小型の半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】（１１０）面を主表面に有する単結晶半導体基板において、主表面にイオンを照射して単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、単結晶半導体基板を、脆化層において分離させることにより、絶縁表面を有する基板上に、（１１０）面を主表面とする単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の＜１１０＞軸方向がチャネル長方向となるように、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上した液晶表示装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板と、基板上に形成されたトランジスタと、トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の微結晶構造を有する半導体層と、微結晶構造を有する半導体層上のバッファー層と、を有し、トランジスタのチャネル幅Ｗと、トランジスタのチャネル長Ｌとは、０．１≦Ｗ／Ｌ≦１．７の関係を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば周辺回路を構成するトランジスタの特性を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、複数の画素電極９ａと、複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、（ｉ）基板上における第１方向（Ｘ方向）に沿ったチャネル長を夫々有すると共に第１方向に交わる第２方向（Ｙ方向）に所定間隔を隔てて並列するように形成された複数のチャネル領域７４Ｃと、複数のチャネル領域に対して共通に夫々電気的に接続されたソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄとを有する半導体層７４と、（ii）複数のチャネル領域に重なるように第２方向に沿って延在するゲート電極７１Ｇとを有するトランジスタ７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴのＬ長バラツキを抑制する。
【解決手段】絶縁基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３および非結晶質シリコン膜４を順に形成する工程と、前記非結晶質シリコン膜４のチャネル領域となる領域上のみにチャネル保護膜を形成する工程とを含み、前記チャネル保護膜を形成する工程では、当該チャネル保護膜がエッチングレートの異なる複数の層５ａ，５ｂからなる積層構造を有するとともに、当該積層構造における最下層５ａが当該最下層５ａを除く他の層５ｂのエッチングバラツキをリセットするための選択性を持つ膜構成となるように、当該チャネル保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン薄膜トランジスターにふさわしいＡ／Ｄ変換回路を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０１上に薄膜ポリシリコンを能動層に用いたト
ランジスターを備えた電子回路であって、測定量を電流量に変換するセンサー１と、前記
電流量に応じた電圧に変換する電流電圧変換回路（コンデンサー１２、コンデンサー１４
、トランジスター１１、トランジスター１５）と、変換された電圧を検出し、所定の信号
を出力する電圧検出回路（コンパレーター回路３）とを備え、前記電圧検出回路は、複数
のＣＭＯＳクロックド・インバーター（クロックド・インバーター３７０、３８０）で構
成され、前記ＣＭＯＳクロックド・インバーターを構成するＮチャネル型トランジスター
のチャネル幅とＰチャネル型トランジスターのチャネル幅の比が異なる。 （もっと読む）

【課題】酸化物を含むチャネル層を有し、信頼性のある薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物を含むチャネル層を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、絶縁基板、絶縁基板上に形成され、酸化物を含むチャネル層、チャネル層上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極、ゲート電極上に形成されている層間絶縁膜、層間絶縁膜上に形成され、第１導電層と第２導電層を含んでソース電極を有するデータ線、層間絶縁膜上に形成され、第１導電層と第２導電層を含むドレイン電極、ドレイン電極の第１導電層から延長された画素電極、データ線及びドレイン電極上に形成されている保護膜、並びに保護膜上に形成されている間隔材を含む。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の表示品質を向上させる。
【解決手段】 複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された多数個のＴＦＴ素子とを有し、前記多数個のＴＦＴ素子は、それぞれ、前記複数本の走査信号線のうちの１本にゲートが接続され、前記複数本の映像信号線のうちの１本にドレインまたはソースのいずれか一方が接続されている表示パネルを有する表示装置であって、前記多数個のＴＦＴ素子は、前記ゲートが接続されている走査信号線の信号入力端からの距離および前記ドレインまたはソースのいずれか一方が接続されている映像信号線の信号入力端からの距離に応じて、それぞれのＴＦＴ素子のチャネル幅またはチャネル長あるいはその両方が異なる表示装置。 （もっと読む）

【課題】視野角特性に優れた高品質な液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の液晶素子と、第２の液晶素子とを含む画素を有し、前記第１の液晶素子の画素電極は、前記第１のスイッチを介して信号線に電気的に接続され、前記第１の液晶素子の画素電極は、前記第２のスイッチ及び前記第１の抵抗を介して前記第２の液晶素子の画素電極に電気的に接続され、前記第２の液晶素子の画素電極は、前記第３のスイッチ及び前記第２の抵抗を介してＣｓ線と電気的に接続され、前記第１の液晶素子の共通電極は、前記第２の液晶素子の共通電極と電気的に接続されており、前記信号線に前記画素の階調に応じた電位を入力することにより、視野角特性に優れた高品質な表示を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】視野角特性に優れた高品質な液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１のスイッチと、第２のスイッチと、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチとは異なるタイミングで制御される第３のスイッチと、第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の液晶素子と、第２の液晶素子とを含む画素を有し、前記第１の液晶素子の画素電極は、前記第１のスイッチを介して信号線に電気的に接続され、前記第１の液晶素子の画素電極は、前記第２のスイッチ及び前記第１の抵抗を介して前記第２の液晶素子の画素電極に電気的に接続され、前記第２の液晶素子の画素電極は、前記第３のスイッチ及び前記第２の抵抗を介してＣｓ線と電気的に接続され、前記第１の液晶素子の共通電極は、前記第２の液晶素子の共通電極と電気的に接続されており、前記信号線に前記画素の階調に応じた電位を入力することにより、視野角特性に優れた高品質な表示を得ることができる。 （もっと読む）