【課題】半導体装置の回路規模を縮小する、または半導体装置の駆動能力の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体によりチャネル領域が形成されるトランジスタをプルダウントランジスタとして適用する。当該酸化物半導体は、２．０ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する。そのため、トランジスタにおけるホットキャリア劣化を抑制することができる。その結果、当該プルダウントランジスタを有する半導体装置の回路規模を縮小することができる。また、プルアップトランジスタのゲートを、当該トランジスタのスイッチングによって浮遊状態とする。なお、当該酸化物半導体を高純度化することで、トランジスタのオフ電流を１ａＡ／μｍ（１×１０^−１８Ａ／μｍ）以下とすることが可能である。その結果、半導体装置の駆動能力の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、温度などの外部因子に対する表示の劣化（表示品質の低下）が抑制された液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示装置の駆動回路部に、選択されたピクセルに逐次画像信号を書き込んで画像を画面に表示すると共に、同一画像を画面に表示する場合には、画像信号を書き込む動作を停止させ、トランジスタをオフ状態として画面に書き込まれた画像をそのまま保持させておく機能を設ける。このような機能をオフ電流を、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満と極めて低いレベルにまで低減されたトランジスタによって実現する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのサイズ比を調整することにより、走査線駆動回路部の動作性能を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この発明の液晶表示装置（表示装置）１００では、トランジスタＴｒ７のチャネル幅Ｗをチャネル幅Ｌで除したサイズ比（Ｗ／Ｌ）の大きさは、トランジスタＴｒ１のチャネル幅Ｗをチャネル幅Ｌで除したサイズ比（Ｗ／Ｌ）の大きさの１５％以上３０％以下の大きさである。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができ、かつ、消費電力が増加するのを抑制しながら、回路構成を簡素化することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この発明の液晶表示装置（表示装置）１００は、画素３に含まれる薄膜トランジスタ１１と、薄膜トランジスタ１１に接続されたゲート線９と、ゲート線９に接続されるメイン走査線駆動回路６およびサブ走査線駆動回路７と、通常時には、メイン走査線駆動回路６は、薄膜トランジスタ１１を駆動する信号を出力するとともに、サブ走査線駆動回路７の出力がハイインピーダンスの状態になるように制御する走査線駆動回路制御部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、ホワイトバランスを維持しつつ、バックライトの赤色化による消費電力の低減を図る。
【解決手段】液晶パネルの各画素における緑サブ画素の開口率ａ_Ｇを所望値に固定した状態で、白輝度効率を、バックライトの色温度の低下に応じて増加する発光効率と、青サブ画素の開口率の増加に応じて減少する画素の透過率との釣り合いから定まる極大値にするように、赤サブ画素及び青サブ画素それぞれの開口率ａ_Ｒ，ａ_Ｂを設定する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】画素駆動用のスイッチング回路に用いる電界効果トランジスタのＯＦＦ電流特性の抑制およびＯＮ電流特性の向上を同時に図ることができ、スイッチング回路の高性能化により画質の向上を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有するスイッチング回路において、少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層１５の少なくとも一部の幅をチャネル長方向に連続的に変化させる。例えば、チャネル部における半導体層１５のソース側の部分の幅をＷ₅₀からＷ₅₁に直線的に減少させ、他の部分は一定の幅Ｗ₅₁とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、及び画素電極を有する画素回路が形成された第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、前記画素電極と前記対向電極との間には液晶素子が挟持されており、前記対向電極に入力される電位は、前記スイッチングトランジスタを介して端子部より供給され、前記スイッチングトランジスタが有する半導体層は、酸化物半導体層である。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、画素への信号の書き込み時間を短縮すること、また、高い電圧を印加する場合でも、信号の書き込みを高速に行うことを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された液晶素子とが設けられた画素を有し、前記トランジスタは、半導体材料として真性又は実質的に真性な酸化物半導体が用いられており、且つオフ電流が１×１０^−１７Ａ／μｍ以下であり、前記画素には、容量素子が設けられていない。容量素子を設けなくてもよいため、信号の書き込み時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた絶縁ゲート型トランジスタに関し、短チャネル効果を極力抑えることのできる構成を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域を形成する酸化物半導体層に、脱水または脱水素化の工程及び酸素を添加する工程を施してキャリア濃度が１×１０^１２／ｃｍ^３未満となる真性又は実質的に真性な半導体を使用し、酸化物半導体層に形成されるチャネルの長さが０．２μｍ以上３．０μｍ以下であって、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、かつゲート絶縁層の厚さが２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下もしくは、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下で、かつゲート絶縁層の厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることで短チャネル効果を抑え、上記チャネル長の範囲でしきい値の変動量を０．５Ｖ未満とすることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と重なるように設けられたゲート絶縁層及び酸化物半導体層と、酸化物半導体層の一部と重なるソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタが、画素部に配設される信号線と画素電極との間に設けられており、薄膜トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下であって、液晶素子に並列した容量素子を設けずに液晶容量のみで電位を保持することが可能となり、画素部には画素電極と接続される容量素子が形成されていない構成の液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗のさらなる低減を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。そのシリコン酸化膜３上に、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ＧＯＬＤ領域４１，４２、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタＴ４と、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＳＤ構造の薄膜トランジスタＴ５と、ｐ型のソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｐ型の薄膜トランジスタＴ６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】電極を精度良く形成できると共に、設計マージンを低減することが可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極２２と、このゲート電極２２を覆って形成されたゲート絶縁膜２３と、このゲート絶縁膜２３上に形成され、薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を構成する有機半導体層２４と、この有機半導体層２４上に形成された構造体３１と、ゲート絶縁膜２３上から構造体３１よりも外側の有機半導体層２４上にわたって形成された、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２５，２６と、このソースドレイン電極２５，２６と同じ材料により、構造体３１の上に形成された、電極材料層３２とを含む半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｄ／Ａ変換回路の構成を複雑にすることなく、多階調表示を可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】外部から入力されるｍビットデジタルビデオデータをｎビットデジタルビデオデータに変換し、ソースドライバに前記ｎビットデジタルビデオデータを供給する回路と（ｍ、ｎは共に２以上の正数、ｍ＞ｎ）、を有する表示装置であって、電圧階調と時間階調とを同時に行い、２m-n個のサブフレームによって１フレームの映像を形成することによって表示を行う。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板において各信号線に存在する抵抗や容量の分布に起因して画素電位に生じるレベルシフトを当該基板内で略均一とすることを目的とする。
【解決手段】走査信号線に平行に共通電極線が形成されるアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板において走査信号の立ち下がりの際に生じる画素電位のレベルシフトの不均一性を解消すべく、走査信号線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、また、共通電極線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、走査信号線−画素電極間容量Ｃｇｄが大きくなるように、各画素回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、保護絶縁層上に画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、保護絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路の第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）