【課題】有機パッシベーション膜の上に形成されたＩＴＯによる電極を覆う層間絶縁膜が剥離する現象を防止する。
【解決手段】
トップゲートのＴＦＴには映像信号線と接続するためのコンタクトホール１３０が形成されている。ＴＦＴを覆って、無機パッシベーション膜１０８、有機パッシベーション膜１０９がこの順で形成され、その上にコモン電極１１０が形成され、さらにその上に層間絶縁膜１１１が形成されている。層間絶縁膜１１１にはガス抜きのためのスルーホール１４０が形成されている。スルーホール１４０の径をコンタクトホール１３０の径よりも大きくする。ガス抜きのためのスルーホール１４０から有機パッシベーション膜１０９からのガスを放出させ、層間絶縁膜１１１の剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】安定した電流駆動能力を発揮させる。
【解決手段】アレイ基板２０の製造方法は、基板上にゲート電極２４ａを形成するゲート電極形成工程と、ゲート電極２４ａ上に不純物を含有するゲート絶縁膜２４ｂ、半導体膜ＳＭ、導電膜ＣＯの順で成膜する成膜工程と、導電膜ＣＯ上にレジストＲＳを塗布し、そのレジストＲＳに対してフォトマスクを介して露光を行った後に現像を行うことでレジストＲＳをパターニングするレジストパターニング工程と、パターニングされたレジストＲＳをマスクとして導電膜ＣＯをエッチングすることで開口領域ＯＰを挟んで配されるソース電極２４ｄ及びドレイン電極２４ｅを形成する導電膜パターニング工程と、開口領域ＯＰから半導体膜ＳＭを介してゲート絶縁膜２４ｂに含有される不純物を脱離させる不純物脱離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】 狭額縁化を図ることができ、ちらつきの発生を抑制することができる、表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置のアレイ基板１は、複数の信号線、複数の走査線Ｇ、複数の画素、第１駆動回路及び第２駆動回路を有している。複数の画素は、薄膜トランジスタをそれぞれ有している。表示領域は、行方向Ｘに分割された複数の分割領域を有している。奇数行の複数の走査線Ｇに接続された複数の画素の薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、第１駆動回路に最も近い分割領域で最も小さく、第１駆動回路から遠い分割領域になるにつれて次第に大きくなる。偶数行の複数の走査線に接続された複数の画素の薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、第２駆動回路に最も近い分割領域で最も小さく、第２駆動回路から遠い分割領域になるにつれて次第に大きくなる。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを備えた高精細な画素を有する電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の画素Ｐは、第１方向（Ｘ方向）に延在する走査線３ａと、走査線３ａに交差する第２方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと、走査線３ａおよびデータ線６ａに電気的に接続された薄膜トランジスター３０と、を備え、薄膜トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に平面的に重なるように配置され、Ｘ方向に延在するドレイン領域３０ａ５と、Ｙ方向に延在するソース領域３０ａ１と、Ｘ方向に延在する第１延在部とＹ方向に延在する第２延在部とを含むチャネル領域３０ａ３と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ３に対向するゲート電極部３０ｇと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の提供する
【解決手段】第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に介在する液晶分子を含む液晶層と、第１の基板の上に位置するゲート線と、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線およびデータ線に接続されている第１の薄膜トランジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、ゲート線および第２の薄膜トランジスタに接続されている第３の薄膜トランジスタと、第３の薄膜トランジスタに接続されている基準電圧線と、第１の薄膜トランジスタに接続されている第１の副画素電極と、第２の薄膜トランジスタに接続されている第２の副画素電極とを有する画素電極とを備える液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と別体に形成された拡張導電部によって、ＴＦＴスイッチング素子の有効チャネル長を短くする。
【解決手段】アレイ基板であって、ベース基板を有し、ベース基板に縦横に交差するデータラインとゲートラインが形成されてマトリックス状に配列する複数の画素ユニットが画成され、各画素ユニットにスイッチング素子が設置される。各スイッチング素子は、ゲート電極、活性層、ソース電極およびドレイン電極と、拡張導電部とを有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記活性層に接触する端部は対向してチャネル領域を定義し、前記拡張導電部は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に隣接して電気的に接触し、前記拡張導電部の端部は、前記拡張導電部に接触するソース電極またはドレイン電極を超え、前記チャネル領域内に延び、少なくとも前記チャネル領域内で前記活性層に接触する。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、正確な表示を行う半導体装置などを提供することを課題とする。または、視野角の広い表示装置などを提供することを課題とする。または、画面の焼き付きを低減した表示装置などを提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、酸化物半導体（ＯＳ：オキサイドセミコンダクター）を有するトランジスタ、特に、酸化物半導体を有する薄膜ＭＯＳトランジスタを用いて、回路を構成する。その酸化物半導体は、実質的に真性な半導体となっている。そのため、非常にオフ電流が低い。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を点灯状態にして前記光検出回路により第１のデータ信号を生成し、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第２のデータ信号を生成し、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を比較することにより、比較した２つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減する。
【解決手段】画素部を含み、第１の動作モードのときに選択信号を出力し、第２の動作モードのときに選択信号の出力が停止する選択信号出力回路と、入力された画像信号をもとに画素データ信号を生成して出力する画素データ信号出力回路と、冷陰極管を備え、画素部に光を射出するバックライトユニットと、を具備し、画素部は、第１の動作モードのときに、ゲート電極に選択信号が入力され、ソース電極及びドレイン電極の一方に画素データ信号が入力され、第２の動作モードのときにオフ状態を維持するトランジスタと、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される第１の電極及び第２の電極により電圧が印加される複数の液晶分子を有する液晶と、を備え、トランジスタは、チャネルが形成され、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である酸化物半導体層を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第２の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜上において該第２の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値を１×１０^−１２Ａ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製に際して、処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記希ガスプラズマ処理は、好ましくは前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみを異ならせる。希ガスとしてはアルゴンが好ましく、前記半導体膜には希ガス元素を２．５×１０^１８ｃｍ^−３以上含ませることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）