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Fターム[2H092JB61]の内容

Fターム[2H092JB61]の下位に属するFターム

位置 (1,154)
層構造 (357)
容量素子の接続 (1,973)

Fターム[2H092JB61]に分類される特許

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【課題】本発明は、製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反射領域を有する液晶表示装置であって、透明のガラス基板10と、ガラス基板10上に、ゲート電極11と同一レイヤで形成され、複数の開口部2を有する付加容量電極1と、付加容量電極1上に形成される絶縁膜4と、付加容量電極1上に絶縁膜4を介して形成される反射電極6とを備え、反射電極6の表面は、開口部2により形成された凹凸を有する。 (もっと読む)


コレステリック液晶表示装置は、コレステリック液晶物質層及びアクティブマトリックス・アドレッシング構成を備えたセルを備えている。アクティブマトリックス・アドレッシング構成は、液晶物質を平面状態及びホメオトロピック状態へ駆動するために用いられる。中間調を達成するため、アクティブマトリックス・アドレッシング構成は、各ビデオ期間において複数回走査され(50)、画素が平面状態及びホメオトロピック状態へ駆動される相対時間は、画像データ(51,52)に応じて制御される。 (もっと読む)


【課題】温度及び個体ばらつきに対する補正を行い、フォトセンサーの精度を向上させ、S/N比の低下を抑制し、画質を向上させることを目的とする。
【解決手段】第1、第2の基板間に液晶が封入されてなる液晶パネルと、液晶パネルの第1の基板の面に光を照射するバックライト8と、周囲の光の照度を検出する光検出手段と、光検出手段による検出結果に応じてバックライト8を制御する照明制御手段12とが備えられ、光検出手段には、第1の基板もしくは第2の基板にそれぞれ設けられる第1,第2のフォトセンサー21,22が備えられ、第1のフォトセンサー21は、少なくとも外光Aが照射され、第2のフォトセンサー22は、外光遮光部28によって少なくとも外光Aの照射が遮断されている。 (もっと読む)


【課題】液晶の寿命や画面の視野角を損なうことなく液晶の応答を速くすることにより、動画表示での画質を向上できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置では、映像信号補正部が、直前のフレームの映像信号と現在のフレームの映像信号とに基づいて第1補正映像信号を生成し、第1補正映像信号と次のフレームの映像信号とに基づいて第2補正映像信号を生成する。データ駆動部は、映像信号補正部から出力される第2補正映像信号をデータ電圧に変えて画素に供給する。特に、画素電圧の目標値の下限が画素電圧の実際の下限より高い。 (もっと読む)


【課題】 誤って遮光手段により光センサの受光面が覆われた場合であっても、誤動作が発生しない液晶装置、発光装置及び電子機器並びに液晶装置の制御方法及び発光装置の制御方法を提供すること。
【解決手段】 液晶層21を挟持するTFTアレイ基板22及び対向基板23を有する液晶パネル11と、環境光を受光して該環境光の強度情報を取得する第1から第3受光素子35〜37と、第1から第3受光素子35〜37で検出された前記環境光の強度に基づいて液晶パネル11に表示する画像の表示状態を制御するバックライト制御回路13とを備え、バックライト制御回路13が、第1から第3受光素子35〜37のそれぞれで検出する前記環境光の強度の変化量が第1から第3受光素子35〜37のうちの半数以上で所定値を超えたとき、前記環境光の強度が変化したと判別する判別部58を有する。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることのできるアレイ基板とこれを具備する液晶表示パネル、及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線とソース配線によって定義された複数の画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、ゲート配線とソース配線とに連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、前記スイッチング素子上に形成される第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の下に形成される第2絶縁膜とを有し、前記第2絶縁膜の厚さは、前記光の赤色ピーク波長帯に依存する。 (もっと読む)


【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリクス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 透過反射型液晶表示装置の画質の向上の方法と画素構造を提供する。
【解決手段】 本発明は、透過反射型液晶表示装置の画質を向上する方法及びそのための画素構造を提供する。各サブピクセル域は透過域と反射域とを含む。サブピクセル域では、データライン、第1ゲートライン、第2ゲートライン、共通ラインが、液晶層の駆動電圧を制御する。透過域は、第1電荷蓄積容量を有する透過電極を有し、反射域は、第2電荷蓄積容量を有する反射電極を有する。第1及び第2ゲートラインは、第1及び第2制御状態にそれぞれにすることができる。第1及び第2の電荷蓄積容量比は、調整蓄積コンデンサによって、調整を行い、ゲートラインの制御状態に基づいて制御を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】開口率が改善された駆動回路一体型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板の非表示領域に位置する第1及び第2半導体層と表示領域に位置する第3半導体層とを形成する段階;ゲート絶縁膜を形成し各半導体層の中央部に各々対応する第1〜第3ゲート電極及び第3ゲート電極に連結されるゲート配線を形成する段階;各ゲート絶縁膜上に第1〜第3コンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する段階;層間絶縁膜上に第1〜第3ソース電極と第1〜第3ドレイン電極とを形成し第3ソース電極に連結してデータ配線を形成する段階;ソース電極、ドレイン電極及びデータ配線上に位置して、ドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階;第3ドレイン電極に連結される画素電極を形成する段階;画素電極上の非表示領域と表示領域の非画素領域に位置するブラックマトリックスを形成する段階を含む。 (もっと読む)


【課題】表示装置の遮光性及び配向性を同時に改善する。
【解決手段】基板11上に透明な画素電極31を駆動するための薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極11の下層の位置に導電性の遮光層が設けられている液晶表示装置において、第一の平坦化膜25が薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された第一の平坦化膜25の上に遮光層が配され、第二の平坦化膜29が遮光層の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された第二の平坦化膜29の上に画素電極31が配されており、導電性の遮光層は、第一の遮光層27と第二の遮光層28とに分離しており、第一の遮光層27は画素電極31に接続しており、第二の遮光層28は共通電位にある。 (もっと読む)


【課題】階調表示を実現させるための全く新しい方法を提案する。
【解決手段】複数の画素を含む画素領域と、複数の画素と電気的に接続された保護回路とを有し、前記複数の画素は、第1の電極と第2の電極、第1の電極と第2の電極の間に印加される電圧によって配向状態が制御される液晶とを有し、1画像を表示する期間において、第1の電極に信号電圧を複数回入力してアナログの階調を表示し、前記第2の電極にはオフセット電圧を入力する。 (もっと読む)


【課題】 大面積を低コストで形成することが要求される表示部と、高移動度が求められる駆動回路部の双方について、各々の要求を満たすことが可能な表示素子用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 透明絶縁基板(ガラス基板1)上に表示部と駆動回路部を有する表示素子用アレイ基板である。表示部の薄膜トランジスタは、非単結晶シリコン層(多結晶シリコン層3)を活性層とする非単結晶薄膜トランジスタTrAであり、駆動回路部の薄膜トランジスタは、ガラス基板1に貼り付けられた単結晶シリコン層4を活性層とする単結晶薄膜トランジスタTrBである。表示部の薄膜トランジスタTrAと駆動回路部の薄膜トランジスタTrBは、同一プロセスにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置において、色調が均一である視野角の範囲が広く、ブラウン管並の視野角を実現でき、かつ、画質を向上させる。
【解決手段】一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方に形成される複数の走査信号線と、複数の映像信号線と、当該走査信号線と映像信号線で形成される複数の画素領域内に、画素電極と対向電極を有する液晶表示装置において、前記画素電極は、前記映像信号線の延在方向に対し、θの角度を有する辺と−θの角度を有する辺とを有して形成される。前記画素電極のθの角度を有する辺と−θの角度を有する辺は、一つの画素領域内に形成される。あるいは、θの角度を有する辺と−θの角度を有する辺は、一つの画素電極内に形成される。 (もっと読む)


【課題】Cuに添加する添加元素が、Cu部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してCuの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリックス状に交叉する電極線17、18と、その交点に配置された液晶画素20と、外部の駆動回路に接続された端子電極とを有するアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において、電極線17、18、電極、配線層、端子電極のうちの少なくとも一つを銅を主成分とし、基板との界面に銅に添加した添加元素の酸化物層を形成する銅合金で形成する。この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがCuより小さく、Cu中における拡散係数がCuの自己拡散係数より大きく、Cu中における1at.%当たりの電気抵抗上昇率が5μΩ・cm以下であり、Cu中における活量係数γが、活量係数γ>1の関係を満足する。 (もっと読む)


【課題】 画素間隙を狭くして画素電極を高密度に配置した場合でも、画素電極間の液晶層部分に高い電圧をかけずにすみ、信頼性の高い、良好な表示品質を得ることができる反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 反射面を備えた画素電極11を有する画素をマトリクス状に配置した半導体基板1と、前記半導体基板上に形成した液晶層12と、前記液晶層上に形成した透明電極層13と、前記透明電極層上に形成した透明基板14と、を有する反射型液晶表示装置であって、全ての前記画素電極の前記反射面上であって、隣り合う前記画素電極間の隙間である画素間隙の前記液晶層側を少なくとも覆う画素間隙用絶縁層62を設ける。 (もっと読む)


【課題】黒輝度および白輝度の両方をともに最適化することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】CSドライバおよび/またはゲートドライバは、容量配線106−1〜106−mおよび/またはゲートライン105−1〜105−mの両端側にそれぞれ設け、ゲートラインおよび容量配線を選択的に駆動する垂直駆動回路102と、小振幅のコモン電圧信号を生成する生成回路104と、を有し、各画素回路は、第1画素電極および第2画素電極を有する液晶セルLC201と、第1電極および第2電極を有する保持容量CS201と、を含み、液晶セルの第1画素電極と保持容量の第1電極とTFTの一端子が接続され、保持容量の第2電極が対応する行に配列された容量配線に接続され、液晶セルの第2画素電極にはコモン電圧信号が印加され、CSドライバは、画素書き込み時の極性信号に基づいて各行毎に独立して対応する容量配線を駆動する。 (もっと読む)


【課題】レスキュー配線を利用した映像信号線の修復に起因して輝度ムラが生じるのを防止する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、各々のレスキュー配線RLにおいて、1水平周期Tと、末端配線RL2の平均幅Wと、末端配線RL2の長さLと、末端配線RL2のシート抵抗R0と、末端配線RL2の単位面積当りの配線容量C0と、映像信号線VLの抵抗RLと、映像信号線VLの配線容量CLと、映像信号線VL及びこれと映像信号線ドライバXDRとを接続している配線のうち映像信号線ドライバXDRから映像信号線VLと末端配線RL1との交差部までの部分の抵抗と、末端配線RL1のうち上記交差部から中間配線RL3との接続部までの部分の抵抗と、中間配線RL3の抵抗との和Riとは、下記不等式に示す関係を満足していることを特徴とする。
【数1】
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【課題】アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置において、画素ピッチを微細化しても、画素電極に十分な蓄積容量を付加でき、画素電極に通じるコンタクトホール径を小さくできるようにする。
【解決手段】液晶装置は、TFTアレイ基板(10)上にTFT(30)、データ線(6a)、走査線(3a)、容量線(3b)及び画素電極(9a)を備える。画素電極及びTFT間は、バリア層(80)を中継して二つのコンタクトホール(8a、8b)により電気的に接続される。半導体層の一部と容量線が第1誘電体膜(2)を挟持して第1蓄積容量(70a)を構成し、容量線とバリア層の一部が第2誘電体膜(81)を挟持して第2蓄積容量(70b)を構成する。 (もっと読む)


【課題】信号線に供給する画像信号について、同じ階調電圧で供給しても、カラーフィルターの色毎に透過率の差を無くし、また、この場合に駆動回路でその調整を行うことなく、アレイ基板上で色毎の階調差をなくす補正ができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】容量結合駆動方を行う液晶表示装置10において、アレイ基板12には補助容量線22が配線され、補助容量線22に対応する位置であって、かつ、画素毎に補助容量用半導体層36が設けられ、カラーフィルター層66の色の透過率が低いほど、補助容量線22と補助容量用半導体層36との重なる部分の面積Sを小さくする。 (もっと読む)


【課題】段差形状部を含む領域に立体的に容量素子を形成した場合において、容量素子を構成する対向した電極間において短絡が生じることのない電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1層間絶縁41に形成されたコンタクトホール83の側面部に、上側に凸な曲面部を有し、かつ前記曲面部の表面が、上端部において、第1層間絶縁膜の表面と連続する形状を有するサイドウォール200を形成し、該サイドウォール200の表面上及びコンタクトホール83の底面を含む領域上において容量素子70を形成する構成とした。 (もっと読む)


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