【課題】画像表示機能と画像取り込み機能を同一基板上に備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、画素マトリクス、イメージセンサ、およびそれらを駆動するための周辺回路を同一基板上に備えている。かつ半導体装置は、イメージセンサの構造・製造プロセスを、画素マトリクスおよび周辺駆動回路の構造・製造プロセスと整合性を持たせることにより安価に作製することができる。また、センサ機能を搭載しても、従来のパネルと基板形状及び大きさは変化しない。そのため、小型化、軽量化することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＭＳＨＤ（マルチスイッチ・ハーフソース駆動方式）ディスプレイパネルの画質を改善するための方法及びそれに用いられるデバイスを開示する。
【解決手段】 その方法は、最初に、極性ライン反転ソースドライバを用いるステップであって、それによって、ＭＳＨＤディスプレイパネルの複数のピクセルを駆動する、用いるステップと、その後、極性ドット反転でフレームを表示するステップとを含む。そのデバイスは、極性ライン反転ソースドライバと、ＭＳＨＤディスプレイパネルとを備え、極性ライン反転ソースドライバは、ＭＳＨＤディスプレイパネルの複数のピクセルを駆動する。ＭＳＨＤディスプレイパネルのピクセルは、極性ドット反転の形式でフレームを表示する。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、その工程数の削減を可能にする構造を提供することにより、歩留まりを向上させ、製造コストの低下を実現する。
【解決手段】ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第１の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法、また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。即ち、光吸収層の一部にレーザビーム１０５を照射し、当該照射領域の一部を除去する。残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のコンタクト・バイアスあるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線とピクセル電極間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。フォトイメージ形成型絶縁層の厚さは、前記重複領域で約１．５μｍから２．５μｍであり、前記液晶ディスプレイは少なくとも約６５％のピクセル口径比と約４０から５００μｍのピクセル間隔を有する。 （もっと読む）

【課題】ホワイトバランス、コントラスト比等の改善によって高い表示品位を実現可能な垂直配向型の液晶パネルを提供することである。
【解決手段】イエローグリーン（ＹＧ）およびエメラルドグリーン（ＥＧ）の画素を構成する画素８１では、平面視上、配向突起２３０，２３２に遮光膜２４２，２４４が重なっており、遮光膜２４２，２４４の形成領域内に配向突起２３０，２３２の形成領域が含まれている。赤（Ｒ）および青（Ｂ）の画素を構成する画素８０は、遮光膜２４２，２４４を有していない。保持容量１７０の平面視形状を、保持容量１７０の形成領域内に配向突起２３０の形成領域が含まれ保持容量１７０の輪郭が配向突起２３０に沿うように、形成してもよい。遮光膜２４０の開口部の面積を画素８０よりも画素８１について小さくする等によって画素電極１３８の一部を遮光してもよい。 （もっと読む）

【課題】細い線状の微細な薄膜パターンが精度良く安定して形成することができる薄膜パターン形成基板、デバイスの製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】基板表面に薄膜パターンが形成された基板Ｐであって、この基板Ｐは、機能液Ｌを注入することができる液体注入部Ａ２と、機能液Ｌが流動するように接続して配置された液体流動部Ａ１とが設けられている。これら、液体注入部Ａ２と液体流動部Ａ１との線幅において、液体注入部Ａ２の幅ｄが、液体流動部Ａ１の線幅ｂの２倍以下であり、機能液Ｌの直径より大きい構成である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフ電流を低減することができるＴＦＴの製造方法及びその製造装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴの製造方法は、半導体層を有し、半導体層の上にソース電極９及びドレイン電極１２が形成されるＴＦＴの製造方法である。そして、ソース電極９とドレイン電極１２との間から半導体層の一部をエッチングする工程と、ソース電極９とドレイン電極１２との間から一部をエッチングされた半導体層にＨｅプラズマ処理を施す工程と、Ｈｅプラズマ処理後に、半導体層にＨ_２プラズマ処理を施す工程とを備える。さらに、Ｈ_２プラズマ処理後に、ソース電極９及びドレイン電極１２の上に保護絶縁膜１４を成膜する工程とを備える。また、Ｈｅプラズマ処理及びＨ_２プラズマ処理は、保護絶縁膜１４を成膜するチャンバと同一チャンバ内で行われる。 （もっと読む）

【課題】高開口率を実現する液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶５０を挟持する互いに対向配置された一対の基板１０，２０と、一対の基板１０，２０の液晶５０側に設けられた一対の電極９，２１と、を備える液晶装置６０である。一対の電極９，２１の少なくとも一方は、膜密度が３５％以上９５％以下、膜厚が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、可視光透過率が９５％以上、屈折率が１．３以上１．８以下、比抵抗が８×１０^−３Ωｃｍ以下の特性を有する透明導電膜からなる。 （もっと読む）

【課題】高画質の液晶表示装置を製造するための方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置の製造方法は、第１基板上に、ゲート電極とゲート配線を形成する段階と、ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に、アクティブ層とオーミックコンタクト層を形成する段階と、オーミックコンタクト層上に、相互に離隔されたソース電極及びドレイン電極を形成して、ゲート配線と交差するデータ配線を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層を乾式エッチング装置のチェンバーでエッチングして、アクティブ層の一部を露出する段階と、チェンバー内で、露出されたアクティブ層の一部を覆う保護膜を形成する段階と、ドレイン電極に連結される画素電極を形成する段階と、画素電極と第２基板間に液晶層を位置させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示素子を製造する際に、スイッチング素子を形成した段階で、欠陥のある画素が複数種類の画素のうちどの種類の画素（絵素）であるかを識別することが可能であると共に、画素の種類によって画素開口面積及び蓄積容量等の違いが生じることがなく、各画素の特性が均一に揃っている表示装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板５のゲート配線１２に各絵素１０（絵素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）の種類を識別可能な識別部７（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が各絵素１０毎に設けられ、識別部７はゲート配線１２の一部が除去された部分として形成され、ＴＦＴアレイ基板５の裏面から識別可能であり、表示画像に実質的に影響を与えないように形成して液晶表示装置１を構成した。 （もっと読む）

【課題】マスク工程の増加なく、アクティブテール現象とウェーブノイズ不良を解決できる液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示素子の製造方法は、第１基板、及び第２基板を準備する段階と、第１基板上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜、半導体膜、導電膜、及びフォトレジスト膜を順次積層する段階と、ハーフトーンマスクを利用してフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、フォトレジスト膜パターンを利用して導電膜及び半導体膜をパターニングする段階と、第１アッシング工程を行ってフォトレジスト膜パターンの一部を除去する段階と、一部が除去されたフォトレジスト膜パターンを利用して導電膜をパターニングすることによりソース／ドレイン電極を形成する段階と、第１基板上に保護膜及び画素電極を形成する段階と、第１基板と第２基板との間に液晶層を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を減少させるための表示基板及びそれを具備した表示装置を提供する。
【解決手段】表示基板は、表示領域に形成された複数の画素部と、表示領域を取り囲む周辺領域に形成され、第１導電層で形成された第１配線と、第１配線上に重畳するように第２導電層で形成された第２配線とを含む信号配線部と、第１配線と一体に形成された第１パッドと第２配線と一体に形成された第２パッドとを含む信号パッド部とを含む。 （もっと読む）

【課題】大きな画面を有する大型表示パネルや、複数の表示パネルをタイル状に並べた超大型表示を可能とする表示パネルを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイのピッチが画素電極のピッチよりも小さいことにより、プリント基板よりも小さな薄膜トランジスタ基板を用いて表示パネルを駆動できるようにした。そのため、複数の表示パネルを近接させても、配線接続を行う寸法余裕を充分に得られ、隣接する表示画面の間に無駄な領域を生じることがないため、大型表示画面を容易に実現できる。また、薄膜トランジスタの均一性を上げることができ、品質のよい表示パネルが得られる。さらに、ガラス基板でなく、プリント基板を用いる構造によって、破損し難い表示パネルを提供できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示パネルの周辺の外側領域に機能素子を外付けすることを要せずに、機能素子を搭載することで高機能化を図ることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子（１２）とを有する。そして、複数の前記画素からなる表示に供される領域内に、前記駆動素子（１２）の機能と異なる機能を備えた機能素子（１８）を配置する。これにより、種々の機能を有する機能素子（１８）をパネル内部に組み込む構成にできるので高機能化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】汎用の駆動回路を用いることを可能としながら、表示に悪影響を与えずに容易に各色画素間の電圧−透過率特性の違いを補償することのできる表示装置を実現する。
【解決手段】画素において、データ信号線ＳＤ（Ｒ）の線幅は変化させず、データ信号線ＳＤ（Ｇ）に画素ごとに画素電極４０との重なり領域を有する箇所において基板面に平行に突出する突出面４５（Ｇ）を備え、データ信号線ＳＤ（Ｂ）に画素ごとに画素電極４０と重なり領域を有する箇所において基板面に平行に突出する突出面４５（Ｂ）を備える。突出面４５（Ｇ）・４５（Ｂ）を除いては、データ信号線ＳＤ（Ｒ）・ＳＤ（Ｇ）・ＳＤ（Ｂ）間で線幅は揃っており、突出面４５（Ｂ）の面積は突出面（Ｇ）の面積よりも大きい。これにより、データ信号線ＳＤと画素電極４０との重なり領域の面積を、（Ｂの重なり領域の面積）＞（Ｇの重なり領域の面積）＞（Ｒの重なり領域の面積）の関係とする。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】映像信号線と、画素電極と、第１の電極が前記映像信号線に接続され第２の電極が薄膜トランジスタと、第１のシリコン窒化膜と、有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜よりも上層に形成された容量電極と、前記容量電極よりも上層で前記画素電極よりも下層に形成された第２のシリコン窒化膜とを有し、前記第２のシリコン窒化膜は、前記第１のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で成膜された膜であり、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜は、両者を一括でドライエッチして形成したコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールを介して前記第２の電極と前記画素電極とが接続されており、前記容量電極には、前記画素電極とは異なる電位が印加されており、前記画素電極と前記第２のシリコン窒化膜と前記容量電極とによって保持容量を構成している。 （もっと読む）

【課題】光透過性基板上の透明電極に対してギャップを均一に保つことが可能な液晶表示装置を実現する。
【解決手段】半導体基板２８に、液晶変調用電極をマトリクス状に複数個配し、液晶を挟んで、透明電極２３を有する光透過性基板４７と半導体基板とを貼り合せ、半導体基板は外部と電気接続するフレキシブルプリント配線板２５と接続されており、透明電極は半導体基板を介さずにフレキシブルプリント配線板の配線に接続され、配線が半導体基板に接続されることで、透明電極と半導体基板との電気接続がされる。半導体基板２８は静電気対策保護回路を備え、透明電極は配線を介して静電気対策保護回路に接続されている。 （もっと読む）

【課題】素子基板上に形成したセンサ素子を静電気から保護でき、かつ、センサ素子による検出を高い精度で行うことのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０において、センサ素子１ｈから信号出力を行うセンサ用信号線１ｊと共通配線ＶＣＯＭとは、ソース・ゲート間、およびドレイン・ゲート間に容量素子１ｚ′を備えたスイッチング素子１ｄ′が介挿されている。スイッチング素子１ｄ′に対しては、半導体素子１ｙを非導通状態とするゲート電圧をゲート電極に供給するための制御用配線１ｎが形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなったときでも、信号線と保持容量端との間のクロストークを減少させ、良好な出力画像が得られる反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】各画素に画像信号を伝送する信号線２を第２メタル層で形成し、保持容量を構成する容量電極１０と信号線２との間に第１メタル層でシールド線１２を配置し、固定電位を与え、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。保持容量は半導体基板上に形成された拡散層からなる共通電極１１と容量電極１０とで構成される。信号線下に半導体基板上に形成された拡散層からなる容量電極と、固定電位とされた共通電極を配置し、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 （もっと読む）