【課題】低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】対向配置された第一基板１０と第二基板２０との間に液晶層５０が挟持され、液晶層５０の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置１００である。第一基板１０には、画素電極１５と、画素電極１５に電位差を生じる転移電極６１と、その一端側が転移電極６１に接続される抵抗加熱部と、が設けられる。 （もっと読む）

【課題】閲覧面側から書込む光書込み表示媒体において、閲覧のために読出し光の照射を受けることによる経時的な光導電層の劣化に基づく表示画像品質の劣化を防止する。
【解決手段】光書込み型表示媒体１０は、印加される電圧に応じて選択的に光学特性が変化し、入射した可視光を選択的に透過又は反射させる表示層１８と、この表示層１８を透過した所定範囲の波長を有する可視光のうち、第１の波長領域の可視光の照射に応じて電気抵抗が変化する光導電層２６と、表示層１８を透過した第１の波長領域に含まれる波長を有する可視光を透過させ、少なくとも第１の波長領域以外の波長を有する第２の波長領域の可視光を吸収する選択透過層２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層された液晶表示装置について良好な表示品位を得ることである。
【解決手段】液晶表示装置１０は複数の画素２０を含んでいる。各画素２０は、一対の基板の一方の基板に設けられ、絶縁膜を介して積層された画素電極１６０と共通電極１４０と、画素電極１６０および共通電極１４０よりも液晶層側に配置された配向膜と、画素電極１６０と共通電極１４０との間の液晶層を介した液晶容量に接続された回路容量と、を有している。画素電極１６０と共通電極１４０とのいずれかは、液晶層側に配置され配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有するくし歯状電極で構成されている。回路容量は、スリット部の開放端側から閉鎖端側へ向けて配向膜がラビングされた画素２０と、閉鎖端側から開放端側へ向けてラビングされた画素２０とで、互いに容量値が異なる。 （もっと読む）

【課題】無機材料系の新たな配向膜を用いることにより、液晶のプレチルト角などを確実に制御することができるとともに、信頼性を向上することのできる液晶装置を提供すること。
【解決手段】ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶装置において、素子基板１０および対向基板２０に配向膜１５、２５を形成するにあたっては、筋状に並列する断面矩形の複数列の凹凸形成用下地膜４１を形成した後、ＨＤＰＣＶＤ法により、凹凸形成用下地膜４１を覆うようにシリコン酸化膜４３を形成する。シリコン酸化膜４３には、凹凸形成用下地膜４１の上方に楔状の頂上部４２が形成され、かかるシリコン酸化膜４３を配向膜１５、２５として利用する。 （もっと読む）

【課題】 対向電極の負荷容量が増大しても、消費電力の増大を抑えて対向電極の電圧変動を抑えることができる対向電極電圧生成回路等を提供する。
【解決手段】 電気光学物質を挟んで画素電極と対向する対向電極に高電位側電圧又は低電位側電圧を供給するための対向電極電圧生成回路６６は、その出力に第１の高電位側安定化容量素子ＣＳＨαの一端が接続され、第１の高電位側電圧ＶＣＯＭＨαを出力する第１のＶＣＯＭＨ生成回路１００と、その出力に第２の高電位側安定化容量素子ＣＳＨの一端が接続され、第２の高電位側電圧ＶＣＯＭＨを出力する第２のＶＣＯＭＨ生成回路１０２とを含む。対向電極ＣＥに高電位側電圧を供給するとき、第１のＶＣＯＭＨ生成回路１００の出力を対向電極ＣＥと電気的に接続した後に、第２のＶＣＯＭＨ生成回路１０２の出力を対向電極ＣＥと電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】製品歩留まりの高いアレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、複数の配線と、配線に接続され、複数の導電部を有し、複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び配線から外れているとともに１方向に他の導電部及び配線に間隔を置いて設けられた非重畳部３１、３２、３３を含んでいる複数の画素Ｐと、を形成する。画素Ｐに欠陥が生じているかどうか検査し、画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の非重畳部にレーザ光を照射し、レーザ光が照射された非重畳部を切断し、欠陥の画素を修復する。 （もっと読む）

【課題】画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層された液晶表示装置について良好な表示品位を得ることである。
【解決手段】液晶表示装置１０は、一対の基板と、一対の基板に狭持された液晶層と、第一電極１６４と、第二電極と、配向膜と、配線１５６とを含む。第一電極１６４は、一対の基板の一方の基板に、複数の画素のそれぞれに設けられ、スリット１６４ｓを挟んで配列された複数の枝部１６４ｙを有する。第二電極は、第一電極１６４と絶縁層を介して積層され、第一電極の液晶層と反対側に設けられている。配向膜は、第一電極１６４の液晶層側に設けられ、スリット１６４ｓに略平行にラビングされている。配線１５６は、第一電極１６４に隣接し、スリット１６４ｓに略平行に延伸されている。平面視において、第一電極１６４と配線１５６との間隔と、配線１５６の幅との合計寸法が５μｍ以上１５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の長いトランジスタの高速駆動を実現するとともに、チャネル長の短いトランジスタにおける特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、第１多結晶領域（Ｐ１）を有する第１半導体層（１１２）と、第１ゲート電極（１１４）とを含む第１トランジスタ（１１０）と、第２多結晶領域（Ｐ２）を有する第２半導体層（１２２）と、第２ゲート電極（１２４）とを含む第２トランジスタ（１２０）とを備える。第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】材料費、工程数を低減しその結果歩留まりを向上させ、コストを低減する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。半導体層の画素電極となる部分は、半導体領域よりも抵抗率が低い。また、保持電荷蓄積容量部にも抵抗率の低い領域を用いることができる。加えて、電極を延設し配線として用いることもできる。光制御素子はエレクトロルミネッセンス素子、液晶セル、電気泳動型粒子セル等を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、横電界駆動の透過表示部と縦電界駆動の反射表示部との間で表示が反転しないようにすることである。
【解決手段】マトリクス状に配置されるデータライン３１とゲートライン２９の各交差箇所に２つのスイッチング素子２３，２５が設けられ、一方のスイッチング素子２３は透過表示部１２のためでその出力端は、透過表示部１２の容量ＴＣを介して透過表示用共通電極４２に接続され、他方のスイッチング素子２５は反射表示部１４のためでその出力端は、反射表示部１４の保持容量ＲＣ_ＳＣを介して反射表示用保持容量電極４１に接続され、また、液晶容量ＲＣ_ＬＣを介して反射表示用共通電極７０に接続される。透過表示用共通電極４２の電位と、反射表示用共通電極７０の電位とは互いに逆相とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストが安価な表示媒体および表示システムを提供すること。
【解決手段】光導電体１８は、データ電極２０および画素電極２２よりも透光基板１２側に配設されているので、データ電極２０および画素電極２２を透明材料で構成しなくても、透光基板１２側からの光は、光導電体１８に照射される。したがって、データ電極２０および画素電極２２の材料選択の自由度が高く、これらのデータ電極２０および画素電極２２を、安価な材料で構成することができるので、表示媒体１０の製造コストが安価となるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】TFTアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス基板11と、上方に順次ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15が被覆しているゲートライン12b及びゲートライン12bと一体となるゲート電極12aと、ゲートライン12b及びゲート電極12a、ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15の両側に形成された絶縁層16と、オーミック接触層15に形成され、半導体層14の中間位置の上方でオーミック接触層15を分断する分断溝15aと、絶縁層16及びオーミック接触層15の上方に形成されたデータライン及び第1、第2のソース・ドレイン電極と、を備えるTFTアレイ基板であり、該TFTアレイ基板はスリットフォトリソグラフィー処理を使用しない4回のフォトリソグラフィー処理により製造できる。 （もっと読む）

【課題】センシング駆動の際に隣接するセンシングサブ画素に流入される他のセンシングサブ画素の光によってセンシングされた映像信号が歪む問題を解決する。
【解決手段】表示機能以外に文書やイメージまたは位置情報入力機能が追加され表示機能とイメージ入力機能を一体化したイメージセンサー内蔵型の液晶表示装置で、センシング対象物を順にｎ水平ラインずつセンシング動作を行う時、赤色、緑色、青色の画素のいずれかの画素を先にセンシングしてデータドライバに入力し、残りのセンサー画素に生成されるダミーデータをリセットして前記ダミーデータによるセンシング映像の歪曲を防いで、より安定的なセンシング動作を実現する。 （もっと読む）

【課題】横電界駆動方式の半透過型液晶表示装置において、透過表示部と反射表示部とで良好な表示を行うことである。
【解決手段】マトリクス状に配置されるデータライン３１とゲートライン２９の各交差箇所に配置されるスイッチング素子２５は、その出力端に画素電極３６が設けられ、容量を介して共通電極との間に電界がかけられる。この共通電極を、透過表示部用の共通電極を透過表示用共通電極４２とし、反射表示部用の共通電極を反射表示用共通電極４１として、それぞれを独立とし、透過表示用共通電極４２の電位と、反射表示用共通電極４１の電位とを互いに逆相とする。別の方法として、スイッチング素子を透過表示部用と反射表示部用にそれぞれ用い、画素電極と共通電極とを透過表示部用と反射表示部用とでそれぞれ独立とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】４回のマスク工程でアレイ基板を製造でき、２メタル積層構造においてアンダーカット現象を防止すると共に順テーパを形成でき、また、ウェーブノイズの発生を防止して高画質を実現すると共に、開口領域を拡大して高輝度を実現する。
【解決手段】第１マスク工程により第１基板の画素部にゲート電極及びゲートラインを形成する段階、第２マスク工程によりゲート電極の上部に第１絶縁膜が介在した状態で島状のアクティブパターンを形成し、画素部にゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインを形成する段階、第３マスク工程により画素部にソース及びドレイン電極を形成し、画素領域に画素電極を形成する段階、ソース及びドレイン電極の上部にソース及びドレイン電極と順テーパを有するソース及びドレイン電極パターンをそれぞれ形成する段階、第４マスク工程により第１基板上に第２絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置における開口率低下を抑制する。
【解決手段】中継層９３は、第２層間絶縁層４２の上面４２ａから第２層間絶縁層４２の端面４２ｂ及び下部容量電極７１の端面７１ｂに延びている。中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。したがって、液晶装置１によれば、非開口領域に形成された下部容量電極７１と、中継層９３との接続領域を小さく、或いはまったく無くすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を下げて適切な値にできるコンタクト部の形成方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールの形成方法では、（１）基板上に第１の導電膜を成膜したのち、該第１の導電膜をパターニングして第１の電極配線を形成する第１の工程と、（２）該基板上に絶縁膜を成膜する第２の工程と、（３）該絶縁膜にコンタクトホールを形成する第３の工程と、（４）該絶縁膜上に第２の導電膜を成膜したのち、該第２の導電膜をパターニングして第２の電極配線を形成する第４の工程とを含むコンタクトホールの形成方法であって、該コンタクトホールのコンタクト抵抗を下げるために、該第１の導電膜をパターニングした後であって、該絶縁膜を成膜する前に、第１の導電膜の表面を酸化雰囲気下でＵＶ光を照射するＵＶ処理をすることで表面を酸化処理する。 （もっと読む）

【課題】製造過程がシンプルで、製品サイズを縮小させた表示装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の表示装置２は、基板２１、電極アレイ２２、非晶質カラム（Column）式集積駆動回路２３及び非晶質ロー式集積駆動回路２４を備える。基板２１は表面２１１を有し、電極アレイ２２は基板２１の表面２１１に形成される。非晶質カラム式集積駆動回路２３は、基板２１の表面２１１に形成されて、電極アレイ２２に電気的に接続される。非晶質ロー式集積駆動回路２４は、基板２１の表面２１１に形成されて、電極アレイ２２に電気的に接続される。また、本発明は表示装置２の製造方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層に、紫外光であって、レーザビームの幅が１００μｍ以下で、レーザビームの幅に対するレーザビームの長さの比が１対５００以上であり、レーザビームのプロファイルの半値幅が５０μｍ以下であるパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性半導体膜を形成する。ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）