液晶装置、及び電子機器
【課題】低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】対向配置された第一基板１０と第二基板２０との間に液晶層５０が挟持され、液晶層５０の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置１００である。第一基板１０には、画素電極１５と、画素電極１５に電位差を生じる転移電極６１と、その一端側が転移電極６１に接続される抵抗加熱部と、が設けられる。
【解決手段】対向配置された第一基板１０と第二基板２０との間に液晶層５０が挟持され、液晶層５０の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置１００である。第一基板１０には、画素電極１５と、画素電極１５に電位差を生じる転移電極６１と、その一端側が転移電極６１に接続される抵抗加熱部と、が設けられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に液晶テレビジョン等に代表される液晶表示装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶表示装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。
【０００３】
このようにＯＣＢモードの液晶表示装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。そこで特許文献１には、液晶分子に局所的にツイスト配向させ、このツイスト配向部を転移核として、初期配向転移を促進する技術が開示されている。また、特許文献２には、液晶パネル中の液晶層をバックライト等の加熱手段を用いて加熱することで液晶の粘度を調整し、特に低温時における初期配向転移の促進を図った技術が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２９５７５６号公報
【特許文献２】特開２００２−２５０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、転移核の形成に時間を要するため、初期配向転移を完了するまでに時間を要するといった問題がある。また、特許文献２に記載された技術では、例えばパネル外部から加熱手段によって加熱されるため、パネル内部の液晶層を十分に加熱するためには消費電流が大きくなるといった問題がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第一基板には、画素電極と、該画素電極に対して電位差を生じる転移電極と、その一端側が前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置によれば、画素電極と転移電極との間に電界が生じ、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、例えば抵抗加熱部の他端側に接続される部材が転移電極に対して電位差があると、前記抵抗加熱部によりジュール熱が発生し、これに伴って液晶層が加熱されることでその粘度が低下する。
したがって、転移核の形成時に液晶層の粘度を低下させることで液晶層中にディスクリネーションが容易に発生し、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【０００８】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の他端側に、前記転移電極に対して電位差を有する他の転移電極が接続されるのが好ましい。
このようにすれば、転移電極及び他の転移電極の電位差により、抵抗加熱部に電流が流れ、ジュール熱を確実に発生させることができる。
このとき、前記転移電極及び前記他の転移電極はそれぞれ略櫛歯形状からなり、前記転移電極と前記他の転移電極の櫛歯部が、互いに噛み合わされ且つ該櫛歯部間に前記画素電極を挟むように配置されており、前記画素電極を挟む前記櫛歯部間が前記抵抗加熱部により接続されるのが望ましい。
このようにすれば、転移電極と他の転移電極との間に異なる電圧を印加することで画素電極を挟む櫛歯電極に電位差を生じさせることができる。よって、抵抗加熱部にジュール熱を確実に発生させ、前記電極に挟まれた領域に対応する液晶層の粘度を低下させることができる。したがって、画素領域の広範囲に亘って初期配向転移を促進させることができる。
【０００９】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記他の転移電極の抵抗値よりも高いのが好ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。
【００１０】
また、上記液晶装置においては、前記転移電極、及び前記他の転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部によって転移電極と他の転移電極との間において電界が様々な方向に生じ、これに伴って液晶層中にディスクリネーションが生じさせやすくなり、初期転移の高速性をさらに高めることができる。
【００１１】
あるいは、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の他端には、前記画素電極が接続されていてもよい。
この構成によれば、画素電極及び転移電極との間における電位差により、抵抗加熱部に電流が流れ、画素領域毎にジュール熱を確実に発生させることができる。したがって、画素領域の全域に亘って液晶層を初期配向転移させることができる。
【００１２】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記画素電極の抵抗値よりも高いのが望ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができるといった効果を得ることができる。
【００１３】
また、上記液晶装置においては、前記転移電極、及び前記画素電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部によって転移電極と画素電極との間において電界が様々な方向に生じ、これに伴って液晶層中にディスクリネーションが生じさせやすくなり、初期転移の高速性をさらに高めることができる。
【００１４】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部と前記液晶層の間には、該液晶層の初期配向方向を規制する配向膜のみが介在しているのが好ましい。
このようにすれば、前記抵抗加熱部と液晶層との間には、配向膜のみが介在した状態となっているので、前記抵抗加熱部に発生した熱によって液晶層を効率的に加熱することができる。
【００１５】
本発明の液晶装置は、対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第二基板に形成された共通電極上には、誘電体層を介し、前記共通電極との間に電位差を生じる転移電極と、前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする。
【００１６】
本発明の液晶装置によれば、共通電極と転移電極との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、抵抗加熱部は、転移電極及び共通電極に対して電位差があるため、前記転移核の形成時に前記抵抗加熱部によりジュール熱が発生し、これによって液晶層が加熱されて粘度が低下する。したがって、粘度の低下した液晶層中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００１７】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部は、前記転移電極、及び前記共通電極に比べ、その抵抗値が高いのが好ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができるといった効果を得ることができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の電子機器によれば、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことのできる液晶装置を備えているので、表示品位に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。さらに本明細書では、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。
【００２１】
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ´線に沿う断面図である。図２は液晶装置を示す等価回路図、図３はサブ画素領域の平面構成図、図４は複数のサブ画素領域に対応する平面構成図であり、図５（ａ）は図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図５（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。図６は液晶分子の配向状態を示す概略図である。
【００２２】
本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴ方式アクティブマトリクス型の液晶装置である。
【００２３】
液晶装置１００は、図１に示すように、素子基板（第一基板）１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板（第二基板）２０と、素子基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶層５０とを備えている。液晶層５０としては、誘電率異方性が正の液晶材料を用いた。
【００２４】
また、液晶装置１００は、素子基板１０及び対向基板２０をシール材５２によって貼り合わせており、液晶層５０をシール材５２で区画された領域内に封止している。シール材５２の内周に沿って周辺見切５３が形成されており、周辺見切５３で囲まれた平面視（対向基板２０側から素子基板１０を見た状態）で矩形状の領域を画像表示領域１０ａとしている。
【００２５】
また、液晶装置１００は、シール材５２の外側領域に設けられたデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と導通する接続端子１０２と、走査線駆動回路１０４を接続する配線１０５とを備えている。
【００２６】
液晶装置１００の画像表示領域１０ａには、図２に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素領域に対応して、画素電極１５と、画素電極１５をスイッチング制御するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０とが設けられている。画像表示領域１０ａにはまた、複数のデータ線６ａと走査線３ａとが格子状に延びて形成されている。
【００２７】
ＴＦＴ３０のソースにデータ線６ａが電気的に接続されており、ゲートには走査線３ａが電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のドレインは画素電極１５と電気的に接続されている。データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２９】
次に、液晶装置１００の詳細な構成について、図３及び図４を参照して説明する。なお図３において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極１５の長軸方向、並びにデータ線６ａの延在方向をＹ軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極１５の短軸方向、走査線３ａ及び容量線３ｂの延在方向をＸ軸方向と規定している。
【００３０】
図３に示すように、各々のサブ画素領域には平面視矩形状の画素電極１５が形成されている。画素電極１５の辺端のうちＹ軸方向に延びる長辺に沿ってデータ線６ａが延在しており、画素電極１５の短辺（Ｘ軸方向）に沿って走査線３ａが延在している。走査線３ａの画素電極１５側に、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが形成されている。また、サブ画素領域の一隅部には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を規制する柱状スペーサ５９が立設されている。
【００３１】
走査線３ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂ及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００３２】
ソース電極６ｂは、半導体層３５と反対側の端部でデータ線６ａと接続されている。ドレイン電極３２は半導体層３５と反対側の端部で平面視略矩形状の容量電極３１と接続されている。容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量１７を構成している。容量電極３１の平面領域内に形成された画素コンタクトホール２５を介して画素電極１５と容量電極３１とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極１５とが導通している。
【００３３】
また、画素電極１５間に第一転移電極（転移電極）６０及び第二転移電極（他の転移電極）６１が設けられている。これら第一、第二転移電極６０，６１は、後述するような液晶装置１００の初期転移操作時に前記画素電極１５との間に電位差を生じ、画素電極１５との間に生じた電界により液晶分子にディスクリネーションを発生させ、これによって液晶層５０内における初期配向転移を促進させるものである。また、これら第一、第二転移電極６０，６１の形成材料としては、Ａｌ等の金属材料を例示できる。
【００３４】
具体的には、第一、第二転移電極６０，６１は、図４に示すように互いが略櫛歯形状から構成されており、互いの櫛歯部６０ａ，６１ａを噛み合わせるとともに、この櫛歯部６０ａ，６１ａ間に前記画素電極１５を挟むように配置される。なお、各櫛歯部６０ａ、６１ａの延在方向は、画素電極１５の長辺方向（ソース線６ａの延在方向）に一致している。
【００３５】
そして、前記櫛歯部６０ａ，６１ａを跨ぎ、かつ走査線３ａの延在方向に沿うように抵抗加熱部４０が形成されており、この抵抗加熱部４０は前記櫛歯部６０ａ，６１ａを接続している。なお、前記抵抗加熱部４０は、平面視した状態で画素電極１５の形成領域に重ならない位置に形成されるのが望ましい。これによれば、抵抗加熱部４０が開口率を低下させるのを防止できる。
【００３６】
本実施形態では、複数のサブ画素領域を跨いだ状態に前記抵抗加熱部４０を形成しているが、各サブ画素領域にそれぞれ対応させて形成するようにしてもよい。前記抵抗加熱部４０の形成材料としては、前記画素電極１５の構成材料と同様にＩＴＯを用いた。また、前記抵抗加熱部４０は、前記画素電極４０に比べて線幅及び膜厚が薄いものから構成されている。すなわち、前記抵抗加熱部４０の抵抗は、前記転移電極６０，６１の抵抗より高いものとなっている。
【００３７】
また、液晶装置１００の断面構成は、図５（ａ），（ｂ）に示すように液晶層５０を挟持して対向する素子基板１０及び対向基板２０と、素子基板１０の外側（液晶層５０と反対側）に配置された位相差板３３及び偏光板３６と、対向基板２０の外側（液晶層５０と反対側）に配置された位相差板３４及び偏光板３７と、偏光板３６の外側に設けられて素子基板１０の外面側から照明光を照射する照明装置６２とを備えて構成されている。前記液晶層５０は、ＯＣＢモードで動作する構成となっており、液晶装置１００の動作時に図６（ａ）に示すように液晶分子５１が概略弓形に配向したベンド配向を呈する。
【００３８】
前記素子基板１０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体１１を基体として備える。基板本体１１の内側（液晶層５０側）には、前記走査線３ａ及び容量線３ｂと、前記走査線３ａ及び容量線３ｂを覆うゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２を介して走査線３ａと対向する半導体層３５と、半導体層３５と接続されたソース電極６ｂ（データ線６ａ）、及びドレイン電極３２と、ドレイン電極３２と接続されるとともにゲート絶縁膜１２を介して容量線３ｂと対向する容量電極３１とが形成されている。すなわち、ＴＦＴ３０とこれに接続された蓄積容量１７とが形成されている（図５（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３９】
ＴＦＴ３０を覆って、ＴＦＴ３０等に起因する基板上の凹凸を平坦化する平坦化膜１３が形成されている。この平坦化膜１３は、シリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜等からなる透明絶縁膜である。平坦化膜１３上に前記画素電極１５、及び第一、第二転移電極６０，６１が設けられている。
【００４０】
また、前記平坦化膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール２５を介して、平坦化膜１３上に形成された画素電極１５と容量電極３１とが電気的に接続されている。画素電極１５、及び前記第一、第二転移電極６０，６１を覆って配向膜１８が形成されている。この配向膜１８、例えばポリイミドからなるものであり、サブ画素領域の長軸方向（図３に示す矢印Ｒ方向）にラビング処理が施されている。
【００４１】
対向基板２０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成され基板本体２１を基体として備える。基板本体２１の内側（液晶層５０側）には、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ２２と、共通電極２３と、配向膜２９とが積層形成されている。
【００４２】
共通電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、複数のサブ画素領域を覆う平面ベタ状に形成されたものである。
【００４３】
配向膜２９は、例えばポリイミドからなるものであり、共通電極２３を覆って形成されている。配向膜２９の表面には、配向膜１８の配向方向Ｒ１と平行な方向（図３に示す矢印Ｒ２方向）のラビング処理が施されている。
【００４４】
（初期転移操作）
次に、ＯＣＢモードの液晶装置１００の初期転移操作を図面に基づいて説明する。ここで、図６は、ＯＣＢモードの液晶分子の配向状態を示す説明図である。
ＯＣＢモードの液晶装置では、表示動作時には、図６（ａ）に示すように液晶分子５１が弓なりに曲がった配向状態（ベンド配向）になっている。そして、液晶装置１００は、表示動作時にベンド配向の曲がり度合いで透過率を変調することで、表示動作の高速応答性を実現する構成となっている。一方、その初期状態（非動作時）においては、図６（ｂ）に示すように液晶分子５１がスプレイ状に開いた配向状態（スプレイ配向）になっている。
【００４５】
ＯＣＢモードの液晶装置１００の場合、電源遮断時における液晶分子の配向状態が図６（ｂ）に示すスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値以上の電圧を液晶分子５１に印加することで、図６（ｂ）に示す初期のスプレイ配向から、図６（ａ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶分子の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分に行われないことで、表示不良や所望の高速応答性が得られないことが発生する。
【００４６】
本実施形態の液晶装置１００では、素子基板１０側に、画素電極１５との間にそれぞれ電位差を生じる第一、第二転移電極６０、６１を備えているので、これら電極１５，６０，６１間に電圧を印加することで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。
【００４７】
液晶装置１００は液晶パネルの駆動制御を行う制御部を備えており、この制御部は対向基板２０側に設けられた共通電極２３の電位を制御する共通電極用制御部と、ＴＦＴ３０を介して画素電極１５の電位を制御する画素電極用制御部とを含んで構成される。また、前記制御部は、前記第一、第二転移電極６０，６１の電位を制御する転移電極用制御部を含んでもよく、これによれば転移電極６０，６１と画素電極１５とを互いに独立に電位制御することができるので、初期転移操作時及び画像表示時の双方で詳細な電位制御が可能になる。
【００４８】
具体的には、前記制御部から前記第一、第二転移電極６０、６１には異なる直流電圧が印加され、各転移電極６０，６１はそれぞれ前記画素電極１５に対して電位差を生じる。具体的には、初期状態において、画素電極１５の電位が０Ｖの場合に、前記第一転移電極６０の電位を５Ｖ、前記第二転移電極６１の電位を−５Ｖとするような電圧をそれぞれ印加する。このとき、各転移電極６０，６１と前記画素電極１５との間に生じる電位差は５Ｖになるので、各転移電極６０，６１と画素電極１５との間には略同じ強度の電界Ｅを発生させることができる。この電界は、液晶層５０中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図３に示したように、第一、第二転移電極６０、６１の櫛歯部６０ａ，６１ｂが画素電極１５の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界Ｅによって、画素電極１５の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。
【００４９】
このとき、第一、第二転移電極６０、６１間に電位差が生じる。すると、前記第一、第二転移電極６０，６１間を接続する抵抗加熱部４０に電流が流れ、これに伴って、ジュール熱が生じることとなる。
【００５０】
ところで、液晶装置１００において、ディスクリネーション（転移核）の形成時間並びに初期転移の伝播速度（転移核の伝播速度）は、素子基板１０及び対向基板２０間に保持される液晶層５０の粘度に依存する。
【００５１】
そこで、本実施形態に係る液晶装置１００よれば、画素電極１５を挟む櫛歯電極６０ａ，６１ａを接続する抵抗加熱部４０からジュール熱が発生することで、この櫛歯部６０ａ，６１ａに挟まれた領域に対応する液晶層の粘度を低下させることができる。このように粘度が低下することで、液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、これによって初期転移の周囲への伝播速度を増加させることができる。
【００５２】
また、上述したように、抵抗加熱部４０の抵抗は、第一、第二転移電極６０，６１、及び画素電極１５の抵抗よりも高くなっているので、抵抗加熱部４０にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。
【００５３】
ところで、前記第一、第二転移電極６０，６１は、初期配向操作時にのみ駆動されるようになっている。これにより、初期配向転移後は前記抵抗加熱部４０間に電流が流れることがないので、液晶分子の配向を乱すことで表示品位を低下させることがない。
【００５４】
また、前記抵抗加熱部４０と前記液晶層５０の間には、配向膜１８のみが介在している。これにより、前記抵抗加熱部４０に発生した熱によって液晶層５０を効率的に加熱することができるようになっている。
【００５５】
また、上記電界Ｅは走査線３ａの延在方向に一致しており（図３参照）、電界印加時には液晶分子の初期配向方向（同図中Ｒ）と異なる方向に配向できる。
【００５６】
なお、本実施形態では、配向膜１８，２９のラビング方向を画素電極１５の長辺方向（データ線６ａの延在方向）としたが、かかるラビング方向（液晶の初期配向方向）については、図３に示した方向Ｒに限定されるものではない。
【００５７】
具体的には、初期転移操作時に素子基板１０側の転移電極６０に電圧を印加する場合、画素電極１５と転移電極６０との間に生じる電界の向きがラビング方向（初期配向方向）と交差する方向となるように、上記ラビング方向を選択すればよい。したがって、上記関係を満たすのであれば、例えばデータ線６ａ及び走査線３ａの延在方向に対して斜め方向になる方向に設定してもよい。
【００５８】
上述したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、画素電極１５と第一、第二転移電極６０，６１との間に電界Ｅを生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。さらに、前記転移核の形成時に前記抵抗加熱部４０で発生したジュール熱により液晶層５０が加熱されて、その粘度が低下する。したがって、上記電界Ｅにより液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００５９】
（第２の実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図７は本実施形態に係る液晶装置２００の概略構成を示す図であり、図７は液晶装置２００の平面図であり、この図は上記実施形態における図３に対応するものである。なお、本実施形態の液晶装置２００は、第１の実施形態の液晶装置１００と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、前記抵抗加熱部の他端に画素電極が接続されることにある。また、本実施形態の液晶装置の基本構成は第１実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６０】
図７に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、抵抗加熱部１４０が画素電極１５と転移電極１６０との間を接続した構成となっている。本実施形態に係る抵抗加熱部１４０は、平面視、略Ｌ字形状から構成され、その短辺側が画素電極１５に接続され、その長辺側が前記転移電極１６０に接続されたものとなっている。すなわち、本実施形態では、前記転移電極１６０は、各画素電極１５にそれぞれ形成されている。
【００６１】
転移電極１６０としては、上記実施形態と同様に櫛歯形状のものを組み合わせて形成してもよいし、各ソース線６ａ上にストライプ状に形成してもよい。本実施形態では、転移電極１６０をストライプ状に形成した。
【００６２】
次に、本実施形態に係る液晶装置２００の初期転移操作について説明する。
本実施形態に係る液晶装置２００では、素子基板１０側に、画素電極１５との間にそれぞれ電位差を生じる転移電極１６０を備えているので、これら電極１５，１６０間に電界を生じさせることで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。
【００６３】
前記転移電極１６０に直流電圧を印加すると、この転移電極１６０と前記画素電極１５との間に電界が生じる（図３参照）。この電界Ｅは液晶層５０中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図７に示したように、転移電極１６０が画素電極１５の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界によって、画素電極１５の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。
【００６４】
このとき、転移電極１６０と画素電極１５との間には電位差が生じる。すると、前記転移電極１６０及び画素電極１５間を接続する抵抗加熱部１４０には電流が流れ、これに伴ってジュール熱が生じることとなる。また、本実施形態では、各画素電極１５に抵抗加熱部１４０が設けられているので、各画素電極１５が配置されるサブ画素領域に対応する液晶層５０を加熱することができる。よって、液晶層５０の全域に亘り、その粘度を低下させることができる。
【００６５】
なお、前記転移電極１６０は、初期配向操作時に画素電極１５に対して電位差を生じ、かつ初期配向転移後は画素電極１５と同電位をなすように制御される。これにより、画像表示時に抵抗加熱部１４０の両端部（画素電極１５及び転移電極１６０）に電位差が生じないので、前記抵抗加熱部１４０内に電流が流れることがなく、この電流により液晶分子の配向を乱すことがなくなる。
【００６６】
また、本実施形態においても、前記抵抗加熱部１４０の抵抗は、転移電極１６０、及び画素電極１５の抵抗よりも高くなっている。そのため、抵抗加熱部１４０にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。さらには、上記実施形態と同様に前記抵抗加熱部１４０と前記液晶層５０の間に配向膜１８のみが介在した状態とすることで、前記抵抗加熱部１４０に発生したジュール熱により液晶層５０を効率的に加熱し、確実に粘度を低下することができる。
【００６７】
すなわち、本実施形態に係る液晶装置２００によれば、抵抗加熱部１４０にてジュール熱が発生することで、サブ画素領域に対応する液晶層５０の粘度を低下させることができる。このように粘度が低下することで、液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、これによって初期転移の周囲への伝播速度を増加させることができる。
【００６８】
（第三実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第三実施形態について図面を参照して説明する。図８は本実施形態に係る液晶装置３００の概略構成を示す図であり、同図中では簡単のため、素子基板に対して対向基板を同図中左下方向にずらした状態を示している。また、図９は液晶装置３００の側断面図である。なお、本実施形態の液晶装置３００は、第１、第２の実施形態の液晶装置１００，２００と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、迅速かつ低電圧にて初期配向転移を実現する初期配向転移構造が、転移電極及び抵抗加熱部が素子基板２０側に形成されている点である。それ以外の基本構成は上記実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６９】
図８，９に示すように、本実施形態の液晶装置３００は、前記素子基板２０に形成された共通電極２３上には、誘電体層４１を介し、前記共通電極２３との間に電位差を生じる転移電極２６０と、前記転移電極２６０に両端部が接続される抵抗加熱部２４０と、が設けられている。前記転移電極２６０は、平面視した状態で、ソース線６ａに重なるように形成されており、隣接する転移電極２６０間を跨ぐように抵抗加熱部２４０が形成されており、これによって転移電極２６０間は抵抗加熱部２４０によって接続されている。すなわち、サブ画素領域は、転移電極２６０、及び抵抗加熱部２４０によって区画された領域に対応している。
【００７０】
この転移電極１６０は、上記実施形態と同様に櫛歯形状のものを組み合わせて形成してもよいし、各ソース線６ａ上にストライプ状に形成してもよい。本実施形態では、転移電極１６０をストライプ状に形成した。
【００７１】
次に、本実施形態に係る液晶装置３００の初期転移操作について説明する。
本実施形態に係る液晶装置３００では、対向基板２０側に、共通電極２３との間に電位差を生じる転移電極２６０を備えているので、これら電極２３，２６０間に電界を生じさせることで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。
【００７２】
前記転移電極２６０に直流電圧を印加すると、この転移電極２６０と前記共通電極２３との間に電界が生じる。この電界は液晶層５０中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図７に示したように、転移電極２６０が画素電極１５の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界によって、画素電極１５の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。
【００７３】
本実施形態では、前記画素電極１５間に配置されるストライプ状の転移電極２６０は、それぞれ交互に異なる電位が生じている。これにより、前記転移電極２６０間を接続する抵抗加熱部２４０には電流が流れ、これに伴ってジュール熱が生じることとなる。よって、液晶層５０の全域に亘り、その粘度を低下させることができる。なお、上記第２の実施形態と同様に、前記抵抗加熱部２４０の他端側を共通電極２３に接続するようにしてもよい。
【００７４】
前記転移電極２６０は、初期配向操作時にのみ駆動されるようになっている。これにより、初期配向転移後は前記抵抗加熱部２４０間に電流が流れることがないので、液晶分子の配向を乱すことで表示品位を低下させることがない。
【００７５】
また、本実施形態においても、前記抵抗加熱部２４０の抵抗は、転移電極２６０、及び共通電極２３の抵抗よりも高くなっている。そのため、抵抗加熱部２４０にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。さらには、上記実施形態と同様に前記抵抗加熱部２４０と前記液晶層５０の間に配向膜１８のみが介在した状態とすることで、前記抵抗加熱部２４０に発生したジュール熱により液晶層５０を効率的に加熱し、確実に粘度を低下することができる。
【００７６】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置３００によれば、共通電極２３と転移電極２６０との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、抵抗加熱部２４０は、転移電極２６０及び共通電極２３に対して電位差があるため、前記抵抗加熱部２４０に電流が流れてジュール熱が発生し、これによって液晶層５０が加熱されて粘度が低下する。したがって、粘度の低下した液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００７７】
（液晶装置の変形例）
本発明の液晶装置は上記実施形態に限定されず、以下に示すような変形例を採用することができる。例えば、前記画素電極、及び前記転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていてもよい。本変形例は、第１の実施形態に係る液晶装置１００の変形例を例示しているが、第２、第３の実施形態に係る液晶装置についても同様の変形を適用することができるのはもちろんである。
【００７８】
図１０に示すように、各画素電極１５の長辺方向における辺端の略中央部は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。各画素電極１５の長辺方向における辺端の略中央部は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。すなわち、画素電極１５の短辺方向における幅方向外側に突出する平面視三角形状の凸部（屈曲部）７１ａと、幅方向内側に凹んだ形状の凹部（屈曲部）７１ｂと、が形成されている。
【００７９】
一方、転移電極２６０は画素電極１５の外形に倣って形成されている。すなわち、本変形例に係る液晶装置では、前記画素電極１５の凸部７１ａと重なる部分は内側に凹んだ平面視三角形状の屈曲部をなす凹部７２ｂが形成される。また、前記画素電極１５の凹部７１ｂと重なる部分は外側に突出する平面視三角形状の屈曲部をなす凸部７２ａが形成されている。
【００８０】
初期転移操作時には、画素電極１５の凸部７１ａと、転移電極６０の凹部７２ｂとの間で電界Ｅ２が生じる。この電界Ｅ２は、三角形状の両辺にそれぞれ生じ、異なる２方向の電界を含んだものとなっている。さらに、凸部７１ａ，凹部７２ｂが形成されていない領域では、転移電極６０の延在方向に直交する方向に電界Ｅ１が生じることとなる。本変形例に係る液晶装置によれば、上記初期配向転移時に３方向の電界が生じており、これら電界がそれぞれ交わる領域（三角形の頂点に対応する３ヶ所）にて、液晶分子の配向が乱されることとなる。よって初期転移の起点となる転移核を良好に発生させることができる。
【００８１】
また、図示を省略しているものの、前記転移電極６０間は抵抗加熱部によって接続されている。したがって、上述したように抵抗加熱部にはジュール熱が生じることで液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００８２】
なお、本発明の液晶装置は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置を例示したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置に適用してもよい。
【００８３】
（電子機器）
図１１は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１１に示す携帯電話１１００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１１０１として備え、複数の操作ボタン１１０２、受話口１１０３、及び送話口１１０４を備えて構成されている。
上記実施形態の液晶装置は、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶表示部を備えた携帯電話１１００を提供することができる。
【００８４】
上記各実施形態の液晶装置は、上記した電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても明るく、高コントラストの優れた表示品質を得ることが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】（ａ）、（ｂ）は第１実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図２】液晶装置の等価回路を示す図である。
【図３】サブ画素領域の平面構成図である。
【図４】複数のサブ画素領域に対応する平面構成図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は液晶装置の側断面構造を示す図である。
【図６】ＯＣＢモードにおける液晶層の動作を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図８】第３実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図９】第３実施形態に係る液晶装置の側断面図である。
【図１０】液晶装置の変形例に係る構成を示す図である。
【図１１】本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０…素子基板（第一基板）、１５…画素電極、２０…対向基板（第二基板）、４０…抵抗加熱部、４１…誘電体層、１４０…抵抗加熱部、２４０…抵抗加熱部、５０…液晶層、６０…第一転移電極（転移電極）、６１…第二転移電極（他の転移電極）、１６０…転移電極、２６０…転移電極、７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂ…屈曲部、１００…液晶装置、１１００…携帯電話（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に液晶テレビジョン等に代表される液晶表示装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶表示装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。
【０００３】
このようにＯＣＢモードの液晶表示装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。そこで特許文献１には、液晶分子に局所的にツイスト配向させ、このツイスト配向部を転移核として、初期配向転移を促進する技術が開示されている。また、特許文献２には、液晶パネル中の液晶層をバックライト等の加熱手段を用いて加熱することで液晶の粘度を調整し、特に低温時における初期配向転移の促進を図った技術が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２９５７５６号公報
【特許文献２】特開２００２−２５０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、転移核の形成に時間を要するため、初期配向転移を完了するまでに時間を要するといった問題がある。また、特許文献２に記載された技術では、例えばパネル外部から加熱手段によって加熱されるため、パネル内部の液晶層を十分に加熱するためには消費電流が大きくなるといった問題がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第一基板には、画素電極と、該画素電極に対して電位差を生じる転移電極と、その一端側が前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置によれば、画素電極と転移電極との間に電界が生じ、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、例えば抵抗加熱部の他端側に接続される部材が転移電極に対して電位差があると、前記抵抗加熱部によりジュール熱が発生し、これに伴って液晶層が加熱されることでその粘度が低下する。
したがって、転移核の形成時に液晶層の粘度を低下させることで液晶層中にディスクリネーションが容易に発生し、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【０００８】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の他端側に、前記転移電極に対して電位差を有する他の転移電極が接続されるのが好ましい。
このようにすれば、転移電極及び他の転移電極の電位差により、抵抗加熱部に電流が流れ、ジュール熱を確実に発生させることができる。
このとき、前記転移電極及び前記他の転移電極はそれぞれ略櫛歯形状からなり、前記転移電極と前記他の転移電極の櫛歯部が、互いに噛み合わされ且つ該櫛歯部間に前記画素電極を挟むように配置されており、前記画素電極を挟む前記櫛歯部間が前記抵抗加熱部により接続されるのが望ましい。
このようにすれば、転移電極と他の転移電極との間に異なる電圧を印加することで画素電極を挟む櫛歯電極に電位差を生じさせることができる。よって、抵抗加熱部にジュール熱を確実に発生させ、前記電極に挟まれた領域に対応する液晶層の粘度を低下させることができる。したがって、画素領域の広範囲に亘って初期配向転移を促進させることができる。
【０００９】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記他の転移電極の抵抗値よりも高いのが好ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。
【００１０】
また、上記液晶装置においては、前記転移電極、及び前記他の転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部によって転移電極と他の転移電極との間において電界が様々な方向に生じ、これに伴って液晶層中にディスクリネーションが生じさせやすくなり、初期転移の高速性をさらに高めることができる。
【００１１】
あるいは、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の他端には、前記画素電極が接続されていてもよい。
この構成によれば、画素電極及び転移電極との間における電位差により、抵抗加熱部に電流が流れ、画素領域毎にジュール熱を確実に発生させることができる。したがって、画素領域の全域に亘って液晶層を初期配向転移させることができる。
【００１２】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記画素電極の抵抗値よりも高いのが望ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができるといった効果を得ることができる。
【００１３】
また、上記液晶装置においては、前記転移電極、及び前記画素電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部によって転移電極と画素電極との間において電界が様々な方向に生じ、これに伴って液晶層中にディスクリネーションが生じさせやすくなり、初期転移の高速性をさらに高めることができる。
【００１４】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部と前記液晶層の間には、該液晶層の初期配向方向を規制する配向膜のみが介在しているのが好ましい。
このようにすれば、前記抵抗加熱部と液晶層との間には、配向膜のみが介在した状態となっているので、前記抵抗加熱部に発生した熱によって液晶層を効率的に加熱することができる。
【００１５】
本発明の液晶装置は、対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第二基板に形成された共通電極上には、誘電体層を介し、前記共通電極との間に電位差を生じる転移電極と、前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする。
【００１６】
本発明の液晶装置によれば、共通電極と転移電極との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、抵抗加熱部は、転移電極及び共通電極に対して電位差があるため、前記転移核の形成時に前記抵抗加熱部によりジュール熱が発生し、これによって液晶層が加熱されて粘度が低下する。したがって、粘度の低下した液晶層中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００１７】
また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部は、前記転移電極、及び前記共通電極に比べ、その抵抗値が高いのが好ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができるといった効果を得ることができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の電子機器によれば、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことのできる液晶装置を備えているので、表示品位に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。さらに本明細書では、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。
【００２１】
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ´線に沿う断面図である。図２は液晶装置を示す等価回路図、図３はサブ画素領域の平面構成図、図４は複数のサブ画素領域に対応する平面構成図であり、図５（ａ）は図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図５（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。図６は液晶分子の配向状態を示す概略図である。
【００２２】
本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴ方式アクティブマトリクス型の液晶装置である。
【００２３】
液晶装置１００は、図１に示すように、素子基板（第一基板）１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板（第二基板）２０と、素子基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶層５０とを備えている。液晶層５０としては、誘電率異方性が正の液晶材料を用いた。
【００２４】
また、液晶装置１００は、素子基板１０及び対向基板２０をシール材５２によって貼り合わせており、液晶層５０をシール材５２で区画された領域内に封止している。シール材５２の内周に沿って周辺見切５３が形成されており、周辺見切５３で囲まれた平面視（対向基板２０側から素子基板１０を見た状態）で矩形状の領域を画像表示領域１０ａとしている。
【００２５】
また、液晶装置１００は、シール材５２の外側領域に設けられたデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と導通する接続端子１０２と、走査線駆動回路１０４を接続する配線１０５とを備えている。
【００２６】
液晶装置１００の画像表示領域１０ａには、図２に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素領域に対応して、画素電極１５と、画素電極１５をスイッチング制御するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０とが設けられている。画像表示領域１０ａにはまた、複数のデータ線６ａと走査線３ａとが格子状に延びて形成されている。
【００２７】
ＴＦＴ３０のソースにデータ線６ａが電気的に接続されており、ゲートには走査線３ａが電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のドレインは画素電極１５と電気的に接続されている。データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２９】
次に、液晶装置１００の詳細な構成について、図３及び図４を参照して説明する。なお図３において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極１５の長軸方向、並びにデータ線６ａの延在方向をＹ軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極１５の短軸方向、走査線３ａ及び容量線３ｂの延在方向をＸ軸方向と規定している。
【００３０】
図３に示すように、各々のサブ画素領域には平面視矩形状の画素電極１５が形成されている。画素電極１５の辺端のうちＹ軸方向に延びる長辺に沿ってデータ線６ａが延在しており、画素電極１５の短辺（Ｘ軸方向）に沿って走査線３ａが延在している。走査線３ａの画素電極１５側に、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが形成されている。また、サブ画素領域の一隅部には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を規制する柱状スペーサ５９が立設されている。
【００３１】
走査線３ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂ及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００３２】
ソース電極６ｂは、半導体層３５と反対側の端部でデータ線６ａと接続されている。ドレイン電極３２は半導体層３５と反対側の端部で平面視略矩形状の容量電極３１と接続されている。容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量１７を構成している。容量電極３１の平面領域内に形成された画素コンタクトホール２５を介して画素電極１５と容量電極３１とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極１５とが導通している。
【００３３】
また、画素電極１５間に第一転移電極（転移電極）６０及び第二転移電極（他の転移電極）６１が設けられている。これら第一、第二転移電極６０，６１は、後述するような液晶装置１００の初期転移操作時に前記画素電極１５との間に電位差を生じ、画素電極１５との間に生じた電界により液晶分子にディスクリネーションを発生させ、これによって液晶層５０内における初期配向転移を促進させるものである。また、これら第一、第二転移電極６０，６１の形成材料としては、Ａｌ等の金属材料を例示できる。
【００３４】
具体的には、第一、第二転移電極６０，６１は、図４に示すように互いが略櫛歯形状から構成されており、互いの櫛歯部６０ａ，６１ａを噛み合わせるとともに、この櫛歯部６０ａ，６１ａ間に前記画素電極１５を挟むように配置される。なお、各櫛歯部６０ａ、６１ａの延在方向は、画素電極１５の長辺方向（ソース線６ａの延在方向）に一致している。
【００３５】
そして、前記櫛歯部６０ａ，６１ａを跨ぎ、かつ走査線３ａの延在方向に沿うように抵抗加熱部４０が形成されており、この抵抗加熱部４０は前記櫛歯部６０ａ，６１ａを接続している。なお、前記抵抗加熱部４０は、平面視した状態で画素電極１５の形成領域に重ならない位置に形成されるのが望ましい。これによれば、抵抗加熱部４０が開口率を低下させるのを防止できる。
【００３６】
本実施形態では、複数のサブ画素領域を跨いだ状態に前記抵抗加熱部４０を形成しているが、各サブ画素領域にそれぞれ対応させて形成するようにしてもよい。前記抵抗加熱部４０の形成材料としては、前記画素電極１５の構成材料と同様にＩＴＯを用いた。また、前記抵抗加熱部４０は、前記画素電極４０に比べて線幅及び膜厚が薄いものから構成されている。すなわち、前記抵抗加熱部４０の抵抗は、前記転移電極６０，６１の抵抗より高いものとなっている。
【００３７】
また、液晶装置１００の断面構成は、図５（ａ），（ｂ）に示すように液晶層５０を挟持して対向する素子基板１０及び対向基板２０と、素子基板１０の外側（液晶層５０と反対側）に配置された位相差板３３及び偏光板３６と、対向基板２０の外側（液晶層５０と反対側）に配置された位相差板３４及び偏光板３７と、偏光板３６の外側に設けられて素子基板１０の外面側から照明光を照射する照明装置６２とを備えて構成されている。前記液晶層５０は、ＯＣＢモードで動作する構成となっており、液晶装置１００の動作時に図６（ａ）に示すように液晶分子５１が概略弓形に配向したベンド配向を呈する。
【００３８】
前記素子基板１０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体１１を基体として備える。基板本体１１の内側（液晶層５０側）には、前記走査線３ａ及び容量線３ｂと、前記走査線３ａ及び容量線３ｂを覆うゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２を介して走査線３ａと対向する半導体層３５と、半導体層３５と接続されたソース電極６ｂ（データ線６ａ）、及びドレイン電極３２と、ドレイン電極３２と接続されるとともにゲート絶縁膜１２を介して容量線３ｂと対向する容量電極３１とが形成されている。すなわち、ＴＦＴ３０とこれに接続された蓄積容量１７とが形成されている（図５（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３９】
ＴＦＴ３０を覆って、ＴＦＴ３０等に起因する基板上の凹凸を平坦化する平坦化膜１３が形成されている。この平坦化膜１３は、シリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜等からなる透明絶縁膜である。平坦化膜１３上に前記画素電極１５、及び第一、第二転移電極６０，６１が設けられている。
【００４０】
また、前記平坦化膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール２５を介して、平坦化膜１３上に形成された画素電極１５と容量電極３１とが電気的に接続されている。画素電極１５、及び前記第一、第二転移電極６０，６１を覆って配向膜１８が形成されている。この配向膜１８、例えばポリイミドからなるものであり、サブ画素領域の長軸方向（図３に示す矢印Ｒ方向）にラビング処理が施されている。
【００４１】
対向基板２０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成され基板本体２１を基体として備える。基板本体２１の内側（液晶層５０側）には、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ２２と、共通電極２３と、配向膜２９とが積層形成されている。
【００４２】
共通電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、複数のサブ画素領域を覆う平面ベタ状に形成されたものである。
【００４３】
配向膜２９は、例えばポリイミドからなるものであり、共通電極２３を覆って形成されている。配向膜２９の表面には、配向膜１８の配向方向Ｒ１と平行な方向（図３に示す矢印Ｒ２方向）のラビング処理が施されている。
【００４４】
（初期転移操作）
次に、ＯＣＢモードの液晶装置１００の初期転移操作を図面に基づいて説明する。ここで、図６は、ＯＣＢモードの液晶分子の配向状態を示す説明図である。
ＯＣＢモードの液晶装置では、表示動作時には、図６（ａ）に示すように液晶分子５１が弓なりに曲がった配向状態（ベンド配向）になっている。そして、液晶装置１００は、表示動作時にベンド配向の曲がり度合いで透過率を変調することで、表示動作の高速応答性を実現する構成となっている。一方、その初期状態（非動作時）においては、図６（ｂ）に示すように液晶分子５１がスプレイ状に開いた配向状態（スプレイ配向）になっている。
【００４５】
ＯＣＢモードの液晶装置１００の場合、電源遮断時における液晶分子の配向状態が図６（ｂ）に示すスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値以上の電圧を液晶分子５１に印加することで、図６（ｂ）に示す初期のスプレイ配向から、図６（ａ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶分子の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分に行われないことで、表示不良や所望の高速応答性が得られないことが発生する。
【００４６】
本実施形態の液晶装置１００では、素子基板１０側に、画素電極１５との間にそれぞれ電位差を生じる第一、第二転移電極６０、６１を備えているので、これら電極１５，６０，６１間に電圧を印加することで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。
【００４７】
液晶装置１００は液晶パネルの駆動制御を行う制御部を備えており、この制御部は対向基板２０側に設けられた共通電極２３の電位を制御する共通電極用制御部と、ＴＦＴ３０を介して画素電極１５の電位を制御する画素電極用制御部とを含んで構成される。また、前記制御部は、前記第一、第二転移電極６０，６１の電位を制御する転移電極用制御部を含んでもよく、これによれば転移電極６０，６１と画素電極１５とを互いに独立に電位制御することができるので、初期転移操作時及び画像表示時の双方で詳細な電位制御が可能になる。
【００４８】
具体的には、前記制御部から前記第一、第二転移電極６０、６１には異なる直流電圧が印加され、各転移電極６０，６１はそれぞれ前記画素電極１５に対して電位差を生じる。具体的には、初期状態において、画素電極１５の電位が０Ｖの場合に、前記第一転移電極６０の電位を５Ｖ、前記第二転移電極６１の電位を−５Ｖとするような電圧をそれぞれ印加する。このとき、各転移電極６０，６１と前記画素電極１５との間に生じる電位差は５Ｖになるので、各転移電極６０，６１と画素電極１５との間には略同じ強度の電界Ｅを発生させることができる。この電界は、液晶層５０中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図３に示したように、第一、第二転移電極６０、６１の櫛歯部６０ａ，６１ｂが画素電極１５の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界Ｅによって、画素電極１５の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。
【００４９】
このとき、第一、第二転移電極６０、６１間に電位差が生じる。すると、前記第一、第二転移電極６０，６１間を接続する抵抗加熱部４０に電流が流れ、これに伴って、ジュール熱が生じることとなる。
【００５０】
ところで、液晶装置１００において、ディスクリネーション（転移核）の形成時間並びに初期転移の伝播速度（転移核の伝播速度）は、素子基板１０及び対向基板２０間に保持される液晶層５０の粘度に依存する。
【００５１】
そこで、本実施形態に係る液晶装置１００よれば、画素電極１５を挟む櫛歯電極６０ａ，６１ａを接続する抵抗加熱部４０からジュール熱が発生することで、この櫛歯部６０ａ，６１ａに挟まれた領域に対応する液晶層の粘度を低下させることができる。このように粘度が低下することで、液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、これによって初期転移の周囲への伝播速度を増加させることができる。
【００５２】
また、上述したように、抵抗加熱部４０の抵抗は、第一、第二転移電極６０，６１、及び画素電極１５の抵抗よりも高くなっているので、抵抗加熱部４０にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。
【００５３】
ところで、前記第一、第二転移電極６０，６１は、初期配向操作時にのみ駆動されるようになっている。これにより、初期配向転移後は前記抵抗加熱部４０間に電流が流れることがないので、液晶分子の配向を乱すことで表示品位を低下させることがない。
【００５４】
また、前記抵抗加熱部４０と前記液晶層５０の間には、配向膜１８のみが介在している。これにより、前記抵抗加熱部４０に発生した熱によって液晶層５０を効率的に加熱することができるようになっている。
【００５５】
また、上記電界Ｅは走査線３ａの延在方向に一致しており（図３参照）、電界印加時には液晶分子の初期配向方向（同図中Ｒ）と異なる方向に配向できる。
【００５６】
なお、本実施形態では、配向膜１８，２９のラビング方向を画素電極１５の長辺方向（データ線６ａの延在方向）としたが、かかるラビング方向（液晶の初期配向方向）については、図３に示した方向Ｒに限定されるものではない。
【００５７】
具体的には、初期転移操作時に素子基板１０側の転移電極６０に電圧を印加する場合、画素電極１５と転移電極６０との間に生じる電界の向きがラビング方向（初期配向方向）と交差する方向となるように、上記ラビング方向を選択すればよい。したがって、上記関係を満たすのであれば、例えばデータ線６ａ及び走査線３ａの延在方向に対して斜め方向になる方向に設定してもよい。
【００５８】
上述したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、画素電極１５と第一、第二転移電極６０，６１との間に電界Ｅを生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。さらに、前記転移核の形成時に前記抵抗加熱部４０で発生したジュール熱により液晶層５０が加熱されて、その粘度が低下する。したがって、上記電界Ｅにより液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００５９】
（第２の実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図７は本実施形態に係る液晶装置２００の概略構成を示す図であり、図７は液晶装置２００の平面図であり、この図は上記実施形態における図３に対応するものである。なお、本実施形態の液晶装置２００は、第１の実施形態の液晶装置１００と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、前記抵抗加熱部の他端に画素電極が接続されることにある。また、本実施形態の液晶装置の基本構成は第１実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６０】
図７に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、抵抗加熱部１４０が画素電極１５と転移電極１６０との間を接続した構成となっている。本実施形態に係る抵抗加熱部１４０は、平面視、略Ｌ字形状から構成され、その短辺側が画素電極１５に接続され、その長辺側が前記転移電極１６０に接続されたものとなっている。すなわち、本実施形態では、前記転移電極１６０は、各画素電極１５にそれぞれ形成されている。
【００６１】
転移電極１６０としては、上記実施形態と同様に櫛歯形状のものを組み合わせて形成してもよいし、各ソース線６ａ上にストライプ状に形成してもよい。本実施形態では、転移電極１６０をストライプ状に形成した。
【００６２】
次に、本実施形態に係る液晶装置２００の初期転移操作について説明する。
本実施形態に係る液晶装置２００では、素子基板１０側に、画素電極１５との間にそれぞれ電位差を生じる転移電極１６０を備えているので、これら電極１５，１６０間に電界を生じさせることで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。
【００６３】
前記転移電極１６０に直流電圧を印加すると、この転移電極１６０と前記画素電極１５との間に電界が生じる（図３参照）。この電界Ｅは液晶層５０中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図７に示したように、転移電極１６０が画素電極１５の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界によって、画素電極１５の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。
【００６４】
このとき、転移電極１６０と画素電極１５との間には電位差が生じる。すると、前記転移電極１６０及び画素電極１５間を接続する抵抗加熱部１４０には電流が流れ、これに伴ってジュール熱が生じることとなる。また、本実施形態では、各画素電極１５に抵抗加熱部１４０が設けられているので、各画素電極１５が配置されるサブ画素領域に対応する液晶層５０を加熱することができる。よって、液晶層５０の全域に亘り、その粘度を低下させることができる。
【００６５】
なお、前記転移電極１６０は、初期配向操作時に画素電極１５に対して電位差を生じ、かつ初期配向転移後は画素電極１５と同電位をなすように制御される。これにより、画像表示時に抵抗加熱部１４０の両端部（画素電極１５及び転移電極１６０）に電位差が生じないので、前記抵抗加熱部１４０内に電流が流れることがなく、この電流により液晶分子の配向を乱すことがなくなる。
【００６６】
また、本実施形態においても、前記抵抗加熱部１４０の抵抗は、転移電極１６０、及び画素電極１５の抵抗よりも高くなっている。そのため、抵抗加熱部１４０にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。さらには、上記実施形態と同様に前記抵抗加熱部１４０と前記液晶層５０の間に配向膜１８のみが介在した状態とすることで、前記抵抗加熱部１４０に発生したジュール熱により液晶層５０を効率的に加熱し、確実に粘度を低下することができる。
【００６７】
すなわち、本実施形態に係る液晶装置２００によれば、抵抗加熱部１４０にてジュール熱が発生することで、サブ画素領域に対応する液晶層５０の粘度を低下させることができる。このように粘度が低下することで、液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、これによって初期転移の周囲への伝播速度を増加させることができる。
【００６８】
（第三実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第三実施形態について図面を参照して説明する。図８は本実施形態に係る液晶装置３００の概略構成を示す図であり、同図中では簡単のため、素子基板に対して対向基板を同図中左下方向にずらした状態を示している。また、図９は液晶装置３００の側断面図である。なお、本実施形態の液晶装置３００は、第１、第２の実施形態の液晶装置１００，２００と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、迅速かつ低電圧にて初期配向転移を実現する初期配向転移構造が、転移電極及び抵抗加熱部が素子基板２０側に形成されている点である。それ以外の基本構成は上記実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６９】
図８，９に示すように、本実施形態の液晶装置３００は、前記素子基板２０に形成された共通電極２３上には、誘電体層４１を介し、前記共通電極２３との間に電位差を生じる転移電極２６０と、前記転移電極２６０に両端部が接続される抵抗加熱部２４０と、が設けられている。前記転移電極２６０は、平面視した状態で、ソース線６ａに重なるように形成されており、隣接する転移電極２６０間を跨ぐように抵抗加熱部２４０が形成されており、これによって転移電極２６０間は抵抗加熱部２４０によって接続されている。すなわち、サブ画素領域は、転移電極２６０、及び抵抗加熱部２４０によって区画された領域に対応している。
【００７０】
この転移電極１６０は、上記実施形態と同様に櫛歯形状のものを組み合わせて形成してもよいし、各ソース線６ａ上にストライプ状に形成してもよい。本実施形態では、転移電極１６０をストライプ状に形成した。
【００７１】
次に、本実施形態に係る液晶装置３００の初期転移操作について説明する。
本実施形態に係る液晶装置３００では、対向基板２０側に、共通電極２３との間に電位差を生じる転移電極２６０を備えているので、これら電極２３，２６０間に電界を生じさせることで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。
【００７２】
前記転移電極２６０に直流電圧を印加すると、この転移電極２６０と前記共通電極２３との間に電界が生じる。この電界は液晶層５０中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図７に示したように、転移電極２６０が画素電極１５の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界によって、画素電極１５の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。
【００７３】
本実施形態では、前記画素電極１５間に配置されるストライプ状の転移電極２６０は、それぞれ交互に異なる電位が生じている。これにより、前記転移電極２６０間を接続する抵抗加熱部２４０には電流が流れ、これに伴ってジュール熱が生じることとなる。よって、液晶層５０の全域に亘り、その粘度を低下させることができる。なお、上記第２の実施形態と同様に、前記抵抗加熱部２４０の他端側を共通電極２３に接続するようにしてもよい。
【００７４】
前記転移電極２６０は、初期配向操作時にのみ駆動されるようになっている。これにより、初期配向転移後は前記抵抗加熱部２４０間に電流が流れることがないので、液晶分子の配向を乱すことで表示品位を低下させることがない。
【００７５】
また、本実施形態においても、前記抵抗加熱部２４０の抵抗は、転移電極２６０、及び共通電極２３の抵抗よりも高くなっている。そのため、抵抗加熱部２４０にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。さらには、上記実施形態と同様に前記抵抗加熱部２４０と前記液晶層５０の間に配向膜１８のみが介在した状態とすることで、前記抵抗加熱部２４０に発生したジュール熱により液晶層５０を効率的に加熱し、確実に粘度を低下することができる。
【００７６】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置３００によれば、共通電極２３と転移電極２６０との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、抵抗加熱部２４０は、転移電極２６０及び共通電極２３に対して電位差があるため、前記抵抗加熱部２４０に電流が流れてジュール熱が発生し、これによって液晶層５０が加熱されて粘度が低下する。したがって、粘度の低下した液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００７７】
（液晶装置の変形例）
本発明の液晶装置は上記実施形態に限定されず、以下に示すような変形例を採用することができる。例えば、前記画素電極、及び前記転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていてもよい。本変形例は、第１の実施形態に係る液晶装置１００の変形例を例示しているが、第２、第３の実施形態に係る液晶装置についても同様の変形を適用することができるのはもちろんである。
【００７８】
図１０に示すように、各画素電極１５の長辺方向における辺端の略中央部は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。各画素電極１５の長辺方向における辺端の略中央部は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。すなわち、画素電極１５の短辺方向における幅方向外側に突出する平面視三角形状の凸部（屈曲部）７１ａと、幅方向内側に凹んだ形状の凹部（屈曲部）７１ｂと、が形成されている。
【００７９】
一方、転移電極２６０は画素電極１５の外形に倣って形成されている。すなわち、本変形例に係る液晶装置では、前記画素電極１５の凸部７１ａと重なる部分は内側に凹んだ平面視三角形状の屈曲部をなす凹部７２ｂが形成される。また、前記画素電極１５の凹部７１ｂと重なる部分は外側に突出する平面視三角形状の屈曲部をなす凸部７２ａが形成されている。
【００８０】
初期転移操作時には、画素電極１５の凸部７１ａと、転移電極６０の凹部７２ｂとの間で電界Ｅ２が生じる。この電界Ｅ２は、三角形状の両辺にそれぞれ生じ、異なる２方向の電界を含んだものとなっている。さらに、凸部７１ａ，凹部７２ｂが形成されていない領域では、転移電極６０の延在方向に直交する方向に電界Ｅ１が生じることとなる。本変形例に係る液晶装置によれば、上記初期配向転移時に３方向の電界が生じており、これら電界がそれぞれ交わる領域（三角形の頂点に対応する３ヶ所）にて、液晶分子の配向が乱されることとなる。よって初期転移の起点となる転移核を良好に発生させることができる。
【００８１】
また、図示を省略しているものの、前記転移電極６０間は抵抗加熱部によって接続されている。したがって、上述したように抵抗加熱部にはジュール熱が生じることで液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【００８２】
なお、本発明の液晶装置は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置を例示したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置に適用してもよい。
【００８３】
（電子機器）
図１１は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１１に示す携帯電話１１００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１１０１として備え、複数の操作ボタン１１０２、受話口１１０３、及び送話口１１０４を備えて構成されている。
上記実施形態の液晶装置は、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶表示部を備えた携帯電話１１００を提供することができる。
【００８４】
上記各実施形態の液晶装置は、上記した電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても明るく、高コントラストの優れた表示品質を得ることが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】（ａ）、（ｂ）は第１実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図２】液晶装置の等価回路を示す図である。
【図３】サブ画素領域の平面構成図である。
【図４】複数のサブ画素領域に対応する平面構成図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は液晶装置の側断面構造を示す図である。
【図６】ＯＣＢモードにおける液晶層の動作を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図８】第３実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図９】第３実施形態に係る液晶装置の側断面図である。
【図１０】液晶装置の変形例に係る構成を示す図である。
【図１１】本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０…素子基板（第一基板）、１５…画素電極、２０…対向基板（第二基板）、４０…抵抗加熱部、４１…誘電体層、１４０…抵抗加熱部、２４０…抵抗加熱部、５０…液晶層、６０…第一転移電極（転移電極）、６１…第二転移電極（他の転移電極）、１６０…転移電極、２６０…転移電極、７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂ…屈曲部、１００…液晶装置、１１００…携帯電話（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第一基板には、画素電極と、該画素電極に対して電位差を生じる転移電極と、その一端側が前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記抵抗加熱部の他端側に、前記転移電極に対して電位差を有する他の転移電極が接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記転移電極及び前記他の転移電極はそれぞれ略櫛歯形状からなり、
前記転移電極と前記他の転移電極の櫛歯部が、互いに噛み合わされ且つ該櫛歯部間に前記画素電極を挟むように配置されており、前記画素電極を挟む前記櫛歯部間が前記抵抗加熱部により接続されることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記他の転移電極の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記転移電極、及び前記他の転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記抵抗加熱部の他端には、前記画素電極が接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記画素電極の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記転移電極、及び前記画素電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記抵抗加熱部と前記液晶層の間には、該液晶層の初期配向方向を規制する配向膜のみが介在していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第二基板に形成された共通電極上には、誘電体層を介し、前記共通電極との間に電位差を生じる転移電極と、前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
前記抵抗加熱部は、前記転移電極、及び前記共通電極に比べ、その抵抗値が高いことを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第一基板には、画素電極と、該画素電極に対して電位差を生じる転移電極と、その一端側が前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記抵抗加熱部の他端側に、前記転移電極に対して電位差を有する他の転移電極が接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記転移電極及び前記他の転移電極はそれぞれ略櫛歯形状からなり、
前記転移電極と前記他の転移電極の櫛歯部が、互いに噛み合わされ且つ該櫛歯部間に前記画素電極を挟むように配置されており、前記画素電極を挟む前記櫛歯部間が前記抵抗加熱部により接続されることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記他の転移電極の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記転移電極、及び前記他の転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記抵抗加熱部の他端には、前記画素電極が接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記画素電極の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記転移電極、及び前記画素電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記抵抗加熱部と前記液晶層の間には、該液晶層の初期配向方向を規制する配向膜のみが介在していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第二基板に形成された共通電極上には、誘電体層を介し、前記共通電極との間に電位差を生じる転移電極と、前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
前記抵抗加熱部は、前記転移電極、及び前記共通電極に比べ、その抵抗値が高いことを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−２０９８５９（Ｐ２００８−２０９８５９Ａ）
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４８９１６（Ｐ２００７−４８９１６）
【出願日】平成１９年２月２８日（２００７．２．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２８日（２００７．２．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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