【課題】 表示領域に多数個のＴＦＴがマトリクス状に配置された表示装置の、各ＴＦＴにおけるゲート絶縁膜の膜厚の違いに起因する画質むらを低減する。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、多数個のＴＦＴがマトリクス状に配置されている表示パネルを有する表示装置であって、前記多数個のＴＦＴのうちの、ある１つのＴＦＴにおけるゲート絶縁膜の膜厚と、前記ある１つのＴＦＴとは異なるもう１つのＴＦＴにおけるゲート絶縁膜の膜厚とが異なる場合に、当該２つのＴＦＴのうちの、前記ゲート絶縁膜の膜厚が薄いほうのＴＦＴにおけるチャネル幅をチャネル長で除した値が、前記ゲート絶縁膜の膜厚が厚いほうのＴＦＴにおけるチャネル幅をチャネル長で除した値よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性と画質とをいずれも高く維持したまま、データ信号供給ラインの間隔を狭めることにより、非表示領域の小型化及びデータラインの高精細化を可能にする薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の非表示領域では、第１データ信号供給ラインがゲート絶縁膜の下地に形成され、複数のデータラインのいずれかに接続されている。更に、第２データ信号供給ラインがゲート絶縁膜の上に形成され、複数のデータラインのうち、第１データ信号供給ラインが接続されたデータラインとは別のデータラインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、相隣接するサンプリングスイッチ間の間隙における光抜けの発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）の周辺の周辺領域に、データ線（６ａ）が延びる第１方向に沿ったソース配線（７１Ｓ）に接続されたソース領域（７４Ｓ）と、第１方向に沿ったドレイン配線（７１Ｄ）に接続されたドレイン領域（７４Ｄ）と、チャネル領域（７４Ｃ）とを有する半導体層（７４）を備えると共に、複数のデータ線に対応して配列された複数のトランジスタ（７１）を含むサンプリング回路（７）を備える。更に、半導体層（７４）よりも上層側に、相隣接するトランジスタ間の間隙領域（Ｄ１）の少なくとも一部に設けられると共に、この相隣接するトランジスタが有する半導体層に少なくとも部分的に重なる間隙遮光膜（２１０）を備える。 （もっと読む）

【課題】透過領域と反射領域の動作モードの相違を電気的に補償し表示品位に優れた横電界駆動型の半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】単位表示領域には（Ａ）反射型の表示領域を構成する第１画素電極と第１対向電極、（Ｂ）第１画素電極と第１対向電極との間の電位差を保持するための第１保持容量、（Ｃ）透過型の表示領域を構成する第２画素電極と第２対向電極、及び、（Ｄ）第２画素電極と第２対向電極との間の電位差を保持するための第２保持容量が備えられており、第１対向電極には第１の電圧が印加され、第２対向電極には第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加され、第１の電圧をＶ₁、第２の電圧をＶ₂、Ｖ₁とＶ₂のうち電圧が高いものをＨｉ（Ｖ₁，Ｖ₂）、Ｖ₁とＶ₂のうち電圧が低いものをＬｏｗ（Ｖ₁，Ｖ₂）と表すとき、Ｈｉ（Ｖ₁，Ｖ₂）以下の電圧であり、且つ、Ｌｏｗ（Ｖ₁，Ｖ₂）以上の第３の電圧が第１画素電極と第２画素電極とに印加される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、該基板に形成され、相互に交差し、薄膜トランジスタと画素電極を有し、該薄膜トランジスタと該画素電極とは電気的に接続されたサブ画素領域を形成する少なくとも一本のゲートラインと少なくとも一本のデータラインと、第一の電極とゲートラインとは接続し、第二の電極と画素電極とは接続している補償寄生コンデンサ構造と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口率を高めた薄膜トランジスター基板、その製造方法及びこれを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上を一方向に伸びて形成された複数のゲート線１２０と、ゲート線と交差して形成された複数のデータ線１４０と、データ線の間に位置する画素領域Ａに形成された複数の画素電極１５０とを備え、各画素領域は、ゲート線を含む領域に形成された反射領域Ｂと、反射領域を挟んで両側に形成された透過領域Ｃ１、Ｃ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの枚数を低減しながらも、容易且つ高精度に半導体装置を製造する。
【解決手段】ゲート配線５と、ソース配線６と、ゲート配線５及びソース配線６に接続された薄膜トランジスタ１２と、薄膜トランジスタ１２に接続された絵素電極１１とを備えた半導体装置１を製造する場合に、絵素電極１１とソース配線６とを同時にパターン形成する。 （もっと読む）

【課題】表示パネル及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】第１ベース基板には多数の画素領域が定義され、貯蔵電極は、各画素領域を貫通するように第１ベース基板上に備えられる。絶縁膜は、第１ベース基板上に備えられて貯蔵電極をカバーし、貯蔵電極が形成された領域で陥没した構造で形成される。画素電極は、絶縁膜上に備えられて、貯蔵電極と対向する。第１ベース基板と対向する第２ベース基板上には突出部が備えられる。突出部は、貯蔵電極が形成された領域で第１ベース基板の方に突出して、絶縁膜の陥没により増加した表示パネルのセルギャップを補償する。したがって、貯蔵電極が形成された領域でのセルギャップを減少させて、表示パネルに充填される全体液晶量を節減することができる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を介した表示側信号の受光側信号への混入を防ぐことが可能で、表示側と受光側を非同期で動作させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】受光素子内蔵の表示装置において受光素子２２１と表示側の画素電極２４６間に遮蔽導電膜２４４を設け、遮蔽導電膜２４４を固定電位とする。これにより、寄生容量を介した表示側信号の撮像側信号への混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】データ駆動回路チップの個数を減らしながらも表示板の開口率低下がない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に各々行列形態に配列される複数の画素を含む第１画素群及び第２画素群と、前記第１画素群の画素に接続され、第１方向に延長される複数のゲート線を含む第１ゲート線群と、前記第２画素群の画素に接続され、前記第１方向に延長される複数のゲート線を含む第２ゲート線群とを有し、前記第１と第２画素群は第１方向に隣接する。 （もっと読む）

【課題】 光ペン入力に対応しながら、配線の鏡面反射による表示品質の低下を回避することができ、半透過にも対応可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素内に光センサ１０が配置され、点光源（光ペン６０）からの光を光センサ１０により検出する。バックライト光を照射するバックライト（背面光源）７上に各画素の駆動トランジスタが形成されたアレイ基板２とカラーフィルタが形成された対向基板３がこの順で重ねられ、光センサ１０はアレイ基板２上に形成されている。光センサ１０においては、バックライト光が遮光されていない。また、光センサ１０においては、背景部における白画素割合と光ペン６０からの光が照射される光照射部における白画素割合の差が３０％以上となるように露光条件が設定されている。 （もっと読む）

【課題】マルチタッチが可能であり、薄型化を可能としたマルチタッチ感知機能を有する液晶表示装置及びその駆動方法を得る。
【解決手段】液晶表示装置は、赤外線光を発生する赤外線光源と、前記赤外線光を可視光に変換するための赤外線−可視光変換層と、前記可視光を感知するための光感知用薄膜トランジスタとを有する液晶パネルが設けられている。 （もっと読む）

【課題】マスクの使用回数を減らすことにより、工程単価を節減し、工程時間を短縮する半透過型液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素領域を備えて画素を表示するアクティブ領域と、アクティブ領域を駆動する駆動回路領域として定義され、各画素領域は反射部と透過部に区分される基板と、各画素領域と駆動回路領域に各々形成された第１、第２ソース／ドレイン領域を備えた第１、第２半導体層と、第１、第２半導体層を含んでいる全面に形成されたゲート絶縁膜と、第１、第２半導体層上のゲート絶縁膜上に形成された第１、第２ゲート電極および画素領域に形成されたストレージ電極と、基板の全面に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜の画素領域に形成された透過電極と、透過電極を含んでいる全面に形成された保護膜と、反射部の保護膜上に形成された反射電極および第１、第２ソース／ドレイン領域に接続する第１、第２ソース／ドレイン電極と、基板に対向する対向基板との間に形成された液晶層を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】アクティブ型液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタのソース電極形成用のＣｒ膜のサイドエッチング量を低減する。
【解決手段】Ｃｒ膜１１ＳおよびＡｌ系金属膜１２Ｓからなるソース電極１７は、画素電極９の図１の下辺部のほぼ全体の上面およびその近傍におけるゲート絶縁膜５の上面に形成されている。すると、Ｃｒ膜１１Ｓの平面の面積が大きくなり、ひいてはＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積（周囲長×膜厚）も大きくなる。そして、このＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積の増大により、Ｃｒ膜１１Ｓのサイドエッチング量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】一対の電極及びカラーフィルタ層が一方の基板に形成された液晶表示装置において液晶層に十分な大きさの電界を発生させることができる液晶表示装置及びこれを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】素子基板２１が、複数の画素領域に対応して配置された第１カラーフィルタ層３３と、第１カラーフィルタ層３３よりも液晶層２３側に配置された第２カラーフィルタ層３３、３４を有し、共通電極４１が、第１及び第２カラーフィルタ層３３、３４の間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】補助容量ラインの低抵抗化と遮光性向上とを両立すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、液晶画素を駆動する液晶駆動素子Ｔｒと、液晶駆動素子Ｔｒを介して送られる画像信号を保持する補助容量素子Ｃｓと、共通電位と複数の補助容量素子Ｃｓとを接続する補助容量ラインＣｓＬと、補助容量ラインＣｓＬと電気的に導通し補助容量ラインＣｓＬの抵抗値を下げる第１の層である低抵抗層２１と、第１の層上に補助容量ラインＣｓＬを覆う状態に形成された第１の層より低い反射率の第２の層である遮光層２２とから構成される二層遮光膜２とを備えているものである。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示特性の劣化を防止することを課題とする。
【解決手段】補助容量２１と同様の層構造の検出用容量を備えたｎＭＯＳ型薄膜トランジスタ及びｐＭＯＳ型薄膜トランジスタで構成された発振機３１から出力される周波数を検出し、この周波数に基づいて補助容量２１に接続された電源配線Ｙの電位振幅を調整する。 （もっと読む）

【課題】マスク数を可及的に減らし、製造歩留まり及びＴＦＴの信頼性の低下が抑制されれた薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に第１導電膜、第１絶縁膜、第１半導体膜、第２半導体膜及び第２導電膜を順に成膜した後にパターニングして、ゲート線１を構成する第１積層部、及びソース線２の一部を構成する第２積層部を形成する第１工程と、各第１積層部をパターニングして、第１半導体膜の一部を露出させて、ＴＦＴ５を形成する第２工程と、各第１積層部及び各第２積層部を覆うように第２絶縁膜を成膜した後にパターニングして、コンタクトホール１６ａ〜１６ｅを形成する第３工程と、第２絶縁膜を覆うように第３導電膜を成膜した後にパターニングして、ソース線２の残りを構成する導電部１７ａ、及び画素電極１７ｂを形成する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルなしでもタッチ指令を受信できる液晶表示パネル及び関連の表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示パネルは、第一基板と、第一基板に平行してこれと向き合う第二基板と、第一基板に設けられる第一電極と、第一電極に設けられる第一絶縁層と、第二基板に設けられ、第一領域と第二領域を備える第二電極と、第二基板に設けられ、第二電極の第二領域とギャップで隔てられる第三領域、及び第四領域を備える第三電極と、第二電極の第一領域及び第三電極の第四領域に設けられる第二絶縁層と、第一絶縁層の前記ギャップに対応する箇所に設けられる導体とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正を可能にする。
【解決手段】ソース信号に応じた信号電圧が印加される複数のソース線２と、それら複数のソース線２の少なくとも１つの両端部に対して、接続可能に構成された断線修正用の第１配線３ａ及び第２配線３ｂと、第１配線３ａ及び第２配線３ｂとの間に介設され、第１配線３ａ及び第２配線３ｂにおけるインピーダンス変換のためのバッファ部４とを備えた液晶表示装置であって、ソース線２ａ及び２ｂに第１配線３ａ及び第２配線３ｂが接続された状態で、ソース線２ａ及び２ｂに印加されるソース信号に応じた信号波形を調整するための予備容量１０ａ及び１０ｂを備えている。 （もっと読む）