【課題】スリットを形成する電極の透過率を低下させることなくリップルの発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示部を形成する画素を、少なくとも、液晶層を挟んで対向する一対の基板と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ絶縁膜を挟んで配置された前記液晶層の液晶分子を駆動する共通電極及び画素電極と、で構成し、前記共通電極及び前記画素電極のうちの前記液晶層側の電極２４は、前記ラビング方向に対してディスクリネーションの発生を抑止できない所定角度で傾斜したスリットＳ１を有し、該スリットＳ１の端部に当該スリットの傾斜角より大きい傾斜角で延長する傾斜側壁部４０を形成した。 （もっと読む）

【課題】サブ画素を有する画素を用いた表示装置において、サブ画素の駆動によって消費電力を増大させることなく、視野角および動画表示品質を改善された表示装置を提供する。
【解決手段】複数のスイッチによって導通状態を変化させることのできる回路を設け、複数のサブ画素および容量素子内の電荷を相互に移動させることによって、外部から複数回の電圧の印加を行なうことなく、複数のサブ画素に所望の電圧を印加する。さらに、電荷の移動に伴い、各サブ画素に黒を表示させる期間を設ける。 （もっと読む）

【課題】高い透過率を有する高画質の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
本発明による液晶表示装置は、複数の画素１０を備えた垂直配向型の液晶表示装置であって、複数の画素１０のそれぞれの中に配置された画素電極３０、および表示用の信号を供給するための第１の方向に延びる信号線２３ａを備えた第１基板と、画素電極３０に対向する共通電極を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置された、負の誘電率異方性を有する液晶を含む液晶層と、を備え、画素電極１０は、それぞれが第１方向に延びる幹部３０ｂ、第１フリンジ部３０ｅａ、及び第２フリンジ部３０ｅｃと、幹部３０ｂと第１フリンジ部３０ｅａとの間で第１方向とは異なる第２方向に延びる複数の第１枝部３０ｃａと、幹部３０ｂと第２フリンジ部３０ｅｃとの間で第１方向及び第２方向とは異なる第３方向に延びる複数の第２枝部３０ｄａとを有する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた微結晶半導体層と、微結晶半導体層上に設けられた非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に設けられた、側面が非晶質半導体層の側面と略同一面上に存在するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース領域及びドレイン領域と重畳する非晶質半導体層は、チャネル形成領域と重畳する非晶質半導体層よりも厚く、ソース領域及びドレイン領域の側面と非晶質半導体層の側面は、非晶質半導体層の最表面とテーパ形状を形成し、該側面のテーパ角は、ソース領域及びドレイン領域と非晶質半導体層との接合部近傍における電界の集中を緩和することを可能とする角度の薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示
装置において、駆動電圧を低くする。
【解決手段】第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間に、誘電率異方性Δεが負
の液晶分子Ｍが挟持されている。第１の透明基板１０上には、第１の共通電極１４、それ
を覆う絶縁膜１５が配置され、絶縁膜１５上には、複数の線状部１６Ｅとスリット１６Ｓ
からなる画素電極１６が配置されている。スリット１６Ｓの幅Ｄ１は、線状部１６Ｅの幅
Ｄ２より大きい。これにより、第１の共通電極１４と画素電極１６の間における水平電界
成分を強くすることができるため、駆動電圧を低くできる。また、第２の透明基板２０に
配置された第２の共通電極２４には、共通電位又は共通電位のセンター電位が印加される
。これにより、画素電極１６に表示信号が印加される際、液晶層ＬＣに垂直電界成分が生
じるため、液晶分子Ｍの配向が水平に保たれる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）とを備える。更に、対向基板（２０）上に、遮光膜（２３）を備える。この遮光膜は、データ線及び走査線が相交差する交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部（４２３）を有する。ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）は、交差領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】デルタ配列を用いた液晶表示装置において、筋状の輝度むらを無くして、画質を向上する。
【解決手段】ソースラインＳＬn(B)に印加される映像信号電圧をＶＢ(n)o、補正後の映像信号電圧をＶ’Ｂ(n)oとする。補正後の映像信号電圧をＶ’Ｂ(n)oは、以下の数式で与えられる。Ｖ’Ｂ(n)o＝ＶＢ(n)o−ηBo（ＶＧ(n-1)o−ＶＢ(n)o）
ここで、ηBoは表示色（青）に対応した補正係数、（ＶＧ(n-1)o−ＶＢ(n)o）はソースラインＳＬn(B)とソースラインＳＬn-1(G)との電位差であり、この電位差に補正係数を掛けた値が補正値となる。画素電極１１に書き込まれる映像信号電圧は、前記電位差に影響を受けるとことを前提として、その影響を打ち消すために、映像信号電圧から補正値を差し引くことにより補正を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】下側電極と上側電極との間に形成される容量成分の大きさを適正化することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】ＦＦＳ方式の液晶装置１００において、上側の画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが形成されており、複数のスリット７ｂと重なる領域には下側の共通電極９ａが存在する。下側の共通電極９ａには、上側の画素電極７ａと重なる領域に開口部９ｂが形成されているため、共通電極９ａと画素電極７ａとが重なる領域の面積は、開口部９ｂが形成されている分だけ狭い。従って、画素電極７ａと共通電極９ａとが絶縁膜８を介して対向する部分に形成される容量成分Ｃ2が小さい。 （もっと読む）

【課題】ベンド配向状態からスプレイ配向状態へ戻りにくくすることが困難である。
【解決手段】対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、Ｘ方向に延びるゲート線９３と、ゲート線９３及び前記配向膜の間に設けられ、Ｘ方向に交差するＹ方向に延び、且つゲート線９３に前記画素ごとに交差するソース線９５とを有しており、ソース線９５には、前記画素ごとにゲート線９３に重なる領域に、切欠き部９９が設けられており、前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、第１基板と、平行で、且つ、等間隔でＸ方向に沿って前記第１基板上に設置される複数の水平電極を有する第１座標検出層と、前記第１座標検出層に位置する絶縁層と、平行で、且つ、等間隔でＹ方向に沿って前記絶縁層上に形成され、前記Ｙ方向は実質上Ｘ方向に垂直である複数の垂直電極を有する第２座標検出層と、複数のカラーパッドを有するカラーフィルターマトリクスと、前記第１基板と隔てられた第２基板と、複数の画素電極と複数の半導体装置を有し、前記第２基板上に位置する画素電極層とを、含む液晶ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】画素開口率の低下を招くことなく表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の基板間に液晶層を保持した構成の液晶表示装置であって、
マトリクス状の画素の行方向に延在する走査線Ｙと、
画素の列方向に延在する信号線Ｘと、を備え、
行方向に隣接する一対の信号線間の画素ＰＸは、同一基板上において、一方の信号線に接続された第１電極Ｅ１と、第１電極と層間絶縁膜を介して対向するとともに他方の信号線に接続された第２電極Ｅ２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴのゲート−ドレイン間容量の変化を良好に抑制することにより、表示品位の優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１０は、ＴＦＴ基板１２のＴＦＴ１１が、島状に形成され且つ層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホール４０を介して画素電極３７に電気的に接続されたドレイン電極２１と、ドレイン電極２１の周りに配置されたソース電極２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＳｉとの界面拡散を防止するとともに、低温プロセスが要求される各種電子デバイスに適用可能な低抵抗の電極膜用Ａｌ合金膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るＡｌ合金膜は、Ｎｉからなる第１の添加元素と、元素周期表の周期２又は３に属する２ａ族のアルカリ土類金属、３ｂ、４ｂ族の半金属から選ばれる少なくとも１種類以上の第２の添加元素とを含む。また、第１の添加元素の組成比は０．５〜５ａｔ％であり、第２の添加元素の組成比は０．１〜３ａｔ％である。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】透過領域と反射領域の動作モードの相違を電気的に補償し表示品位に優れた横電界駆動型の半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】単位表示領域には（Ａ）反射型の表示領域を構成する第１画素電極と第１対向電極、（Ｂ）第１画素電極と第１対向電極との間の電位差を保持するための第１保持容量、（Ｃ）透過型の表示領域を構成する第２画素電極と第２対向電極、及び、（Ｄ）第２画素電極と第２対向電極との間の電位差を保持するための第２保持容量が備えられており、第１対向電極には第１の電圧が印加され、第２対向電極には第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加され、第１の電圧をＶ₁、第２の電圧をＶ₂、Ｖ₁とＶ₂のうち電圧が高いものをＨｉ（Ｖ₁，Ｖ₂）、Ｖ₁とＶ₂のうち電圧が低いものをＬｏｗ（Ｖ₁，Ｖ₂）と表すとき、Ｈｉ（Ｖ₁，Ｖ₂）以下の電圧であり、且つ、Ｌｏｗ（Ｖ₁，Ｖ₂）以上の第３の電圧が第１画素電極と第２画素電極とに印加される。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置を低温環境下で使用する場合でも、最低限度の表示を確実に確保すること。
【解決手段】 温度を測定する温度センサ５５４と、タイミング制御回路５４２と、画像処理回路５４４を含み、温度センサ５５４からの信号に基づいて、表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を、ドライバ５６０，５７０，５８０に供給する制御部５４０と、を含み、画像処理回路５４４は、解像度低下処理部５４４ａを含み、低温時表示モードにおいては前記解像度低下処理部５４４ａによって解像度変換を行い、通常表示モードにおける表示解像度よりも低解像度の画像を生成し、かつ、制御部５４０は、低解像度の画像の表示に際しては、複数本の走査線Ｘを同時に選択する複数本順次駆動を実行する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、製造歩留まり率を向上させることができるアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、複数の第１配線と、複数の第２配線と、複数のスイッチング素子、複数の画素電極および複数の補助容量素子を有した複数の画素部と、切替え回路と、複数の第１検査パッドと、第２検査パッドと、を形成し、第２配線を第２検査パッドに接続し、画素部に電荷をチャージし、画素部の画素電極に電子ビームを照射し、画素電極から放出される２次電子の情報を検出し、画素部の欠陥の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】反射領域における液晶駆動電圧を低下できる半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１０は、反射領域２１の第１偏光板１１と液晶層１３との間に、位相差層１８を有する。位相差層１８は、透過光に対して、λ／２の位相差を与える。位相差層１８の光学軸と、第１偏光板１１の光軸との間の角度θは、０°＜θ＜２２．５°の範囲の角度に設定する。例えば、第１偏光板１１の光軸を９０°方向、位相差層１８を光学軸を９５°（θ＝５°）とした場合、反射領域２１では、液晶層１３に、１００°方向の直線偏光が入射する。この場合、液晶を、４５°−２θ回転させることで、液晶層１３への入射光の偏光方向と、液晶配向方向との間の角度を４５°とすることができ、液晶の駆動電圧を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】高感度の光センサを構成する。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板６０と対向基板７０とがシール材３５を介して接着されている。シール材３５は紫外線を吸収する機能があり、外光を受光する第１のＰＩＮ型ダイオード８１を覆っている。第１のＰＩＮ型ダイオード８１に入射する紫外線を除去し、可視波長範囲の光を選択的に第１のＰＩＮ型ダイオード８１に入射させることができるので高感度の光センサが実現する。 （もっと読む）