【課題】 色再現範囲の広い表示が可能であるとともに、明るい赤を表示することができる表示装置を提供する。
【解決手段】 赤、緑、青及び黄のサブ画素を有する画素によって表示面が構成された液晶表示装置（ＬＣＤ）、ブラウン管（ＣＲＴ）、有機エレクトロルミネセンス表示装置（ＯＥＬＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）等の表示装置であって、上記赤のサブ画素は、開口面積が最大であるものである。 （もっと読む）

【課題】光書込型の表示媒体について簡易な構成で容易に従来の光書込型の表示媒体の構成を大きく変更することなく画像部露光による画像書込を可能とする。
【解決手段】コレステリック液晶層にかかる分圧が露光光の非露光時にコレステリック液晶層のフォーカルコニックからホメオトロピックへの状態変化の閾値を超える値となる電圧値であり、且つ第1の電荷発生層で発生した電荷が阻止層側へ流れる極性の電圧を一対の電極間に印加し、表示する画像に対応する領域に露光光を露光することによって該コレステリック液晶層へ画像を書き込んだ後に、一対の電極間への電圧印加を解除することにより露光光の露光された領域をホメオトロピックからフォーカルコニックに状態変化させると共に該露光光の非露光領域をホメオトロピックからプレーナーに状態変化させて画像を確定させる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界が大きく電気的特性の向上したＴＦＴを、コスト上昇を抑制しつつ形成する。
【解決手段】平坦な表面を有する基板１０の該表面上に、高熱伝導性を有する材料からなる熱伝導層３７を形成する第１の工程と、熱伝導層３７を、熱伝導層３７の少なくとも一部が表面に対して傾斜する傾斜部３８となるようにパターニングする第２の工程と、少なくとも傾斜部３８を覆うように、基板１０上に非晶質シリコン層３２を形成する第３の工程と、非晶質シリコン層３２をレーザーアニールにより結晶化して多結晶シリコン層３４を形成する第４の工程と、多結晶シリコン層３４上に、平面視で傾斜部３８と少なくとも一部が重なるようにゲート電極４２を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの構成部材の位置ずれを抑制し、さらに寄生容量の低減を図った薄膜トランジスタおよびそれを用いた装置の提供。
【解決手段】絶縁基板上に、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、少なくとも前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層と重畳して配置されるゲート電極を備えるものであって、
前記ソース電極上に重ねられて第１バンク絶縁膜、前記ドレイン電極上に重ねられて第２バンク絶縁膜が形成され、
前記半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極は、前記第１バンク絶縁膜と前記第２バンク絶縁膜の間の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一導電型のＴＦＴからなる駆動回路に要求されるＴＦＴのオフリーク電流を、簡単な製造工程で実現する。
【解決手段】ＴＦＴ１０のソース領域１７及びドレイン領域１８の不純物濃度を２×１０^１８［ｃｍ^−３］以上かつ２×１０^１９［ｃｍ^−３］以下とすることにより、シングルゲート構造でもＴＦＴ１０のオフリーク電流を十分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、及びそれらの製造方法、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板１上にゲート電極２を形成する工程と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成する工程と、ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極２の少なくとも一部と対向配置する半導体層１０のパターン形成する工程と、半導体層１０上にソース電極５、及びドレイン電極６を形成する工程と、ソース電極５、及びドレイン電極６をマスクとして、チャネル領域１０Ｃに相当する半導体層１０を所望の膜厚までエッチングする工程と、露出した半導体層１０にレーザ光を照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】塗布印刷法の適応のみによって形状精度良好に目的パターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に樹脂パターン９を印刷形成する。樹脂パターン９上からフッ素系材料を供給することにより、樹脂パターン９の開口９ａ底部をフッ素系材料で覆った撥水性パターン１１を形成する。樹脂パターン９を除去することにより、撥水性パターン１１に開口窓１１ａを形成する。撥水性パターン１１の開口窓１１ａ内に半導体材料（パターン形成材料）を供給することにより、目的パターンとして半導体層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 画像表示システムとその製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 （もっと読む）

【課題】カラーウォッシュアウト（color washout）を改善する。
【解決手段】マトリクス状に配列される複数の画素｛Ｐ_n,m｝（ただしｎ＝１,２,…,Ｎ、ｍ＝１,２,…,Ｍ、ＮおよびＭは０より大きい整数である）を含む。各画素Ｐ_n,mは、副画素電極をそれぞれ有する第１の副画素Ｐ_n,m（１）および第２の副画素Ｐ_n,m（２）を少なくとも含む。画素に表示される画像のグレースケール値ｇはグレースケール電圧と関連しており、グレースケール電圧が画素Ｐ_n,mに印加されるとき、画素Ｐ_n,mの第１および第２の副画素の副画素電極に電位差ΔＶ₁₂（ｇ）が生じるように複数の画素｛Ｐ_n,m｝を配置する。該電位差ΔＶ₁₂（ｇ）は画素に表示される画像のグレースケール値ｇに伴って変化する。（ただしｇ＝０,１,２,…,Ｒであってｈビットで表現される画像の階調に対応し、ｈは０より大きい整数、Ｒ＝（２^h−１）である） （もっと読む）

【課題】液晶装置に搭載された検査回路に発生する消費電力を低減し、且つ液晶装置の誤動作を低減する。
【解決手段】液晶装置１００では、その動作時、即ち、液晶装置１００が画像を表示している際に、シフトレジスタ１６２に電源ＶＤＤＣが供給されていない状態で電源ＶＤＤＹを電源として走査線駆動回路１０４が駆動されることによって画像が表示可能となるため、液晶装置１００の動作時にシフトレジスタ１６２で消費される電力を低減できる。加えて、電源ＶＤＤＹが供給される外部回路接続端子１０２ａと、電源ＶＤＤＣが供給される検査用端子１１１とが、物理的に別々に設けられているため、液晶装置１００の動作時に電源ＶＤＤＣを供給する電源回路を検査用端子１１１に電気的に接続しないことによって、電源ＶＤＤＹがシフトレジスタ１６２に供給されることがなく、シフトレジスタ１６２で消費される電力を確実に低減できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電膜を形成し、前記導電膜上にパターンを有する薄膜積層体を形成し、前記導電膜に達するように前記薄膜積層体に開口部を形成し、サイドエッチングを用いて前記導電膜を加工してゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上に絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製する。開口部を設けることでエッチングの制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の導電膜と、第２の絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上にレジストマスクを形成し、第１のエッチングにより第１の絶縁膜の上部までエッチングして薄膜積層体を形成し、該薄膜積層体に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、その後第２のレジストマスクによりソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置及びその製造方法において、共通電位のセンター電
位のシフトを抑止して焼き付きを防止し、表示品位の向上を図る。
【解決手段】共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅと無機膜２３との界面Ａ
、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｃが
、この順で存在する。一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極
２０と無機膜である絶縁膜２１との界面Ｄ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｅ、
第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。この構成により、画素電
極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅとの間に電界を生じさせた場合、線状部２２Ｅ上の
各界面Ａ，Ｂ，Ｃに帯電する電荷の蓄積量と、スリット部２２Ｓの各界面Ｄ，Ｅ，Ｆに帯
電する蓄積量とは略等しくなる。 （もっと読む）

【課題】画素電極または共通電極で反射された光同士の光の干渉に起因する干渉光が画像
表示部上に表示されるのを抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置（ヘッドアップディスプレイシステム１００）は、液晶表示パ
ネル１３が、バックライト１２から光が凹面鏡１４に向かって出射される光出射方向と、
液晶表示パネル１３の表面の法線方向とが所定の角度となるように傾けられて配置される
とともに、スリット３２１は、光出射方向に対して液晶表示パネル１３の表面の法線方向
が傾けられた方向に略平行に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】開口率が大きくて明るい表示が可能なＦＦＳモードの性質を兼ね備えたＩＰＳモ
ードの液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有する液晶表示装
置１０Ａにおいて、前記一対の基板の一方には、独立して駆動される画素が複数形成され
、前記各画素内に、離間領域２０を挟んで同一平面に平行に並んで形成されている第１電
極２１及び第２電極２２と、前記第１電極２１及び第２電極２２より基板側に絶縁層を介
して形成された第３電極１８とを備え、前記第３電極１８は、前記第１電極２１と平面視
で重なるように形成されていると共に、前記第２電極２２と電気的に接続されていること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口率が大きくて明るい表示が可能なＦＦＳモードの性質を兼ね備えたＩＰＳモ
ードの液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明は、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有する液晶表示パ
ネル１０Ａにおいて、前記一対の基板の一方には、独立して駆動される画素が複数形成さ
れ、前記各画素内に、離間領域２０を挟んで平行に並んで形成されている下電極１８及び
第２電極２２と、前記下電極１８及び第２電極２２より基板側に絶縁層を介して形成され
た第３電極１８とを備え、前記第３電極１８は、前記下電極１８及び第２電極２２と平面
視で重畳するように形成されていると共に、前記下電極１８及び第２電極２２の一方と電
気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レイアウトを容易にし、ローディング効果の影響を抑制する。
【解決手段】バッファ回路は、複数のバッファ領域の各々に形成された複数の単位バッファ回路を備える。複数のバッファ領域の各々は、複数の個別領域がジグザグに連結してなる。バッファ領域の一方の端部には高電位電源線ＬＨ、他方の端部には低電位電源線ＬＳが設けられる。複数の個別領域の各々に独立したＰ型またはＮ型の半導体領域を備える。Ｐ型の半導体領域には、複数のＰ型のトランジスタが直列に設けられた組が複数並列に接続されており、Ｎ型の半導体領域には、複数のＮ型のトランジスタが直列に設けられた組が複数並列に接続される。 （もっと読む）

【課題】基板のセンサ領域に形成されるセンサの検出感度を向上させ、また、センサの飽和特性を改善することができる表示装置を提供する。
【解決手段】画素が形成された画素領域と含む光センサ部が形成されたセンサ領域とを有する基盤と、基板の一方面側から基板を照明する照明部と、センサ領域に配置されたものであり、少なくともＰ型半導体領域（３６Ａ）とＮ型半導体領域（３６Ｋ）を有し、表示部の他方面側から入射する光を受光する薄膜フォトダイオードと、基板の一方面側に絶縁膜を介して薄膜フォトダイオードと対向して形成され、照明部から発せられた光が一方面側から薄膜フォトダイオードに直接入射するのを抑制し、所定の電位に固定される金属膜（３８）とを有し、薄膜フォトダイオードにおいて、Ｐ型半導体領域の幅ＷｐとＮ型半導体領域の幅Ｗｎが異なるレイアウトで形成されている。 （もっと読む）