【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有するトップゲート構造の薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 窒化シリコンからなる保護膜１６をマスクとして、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜およびｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層を連続してエッチングすることにより、保護膜１６下に半導体薄膜１５を形成し、半導体薄膜１５下の両側にオーミックコンタクト層１３、１４を形成し、そして半導体薄膜１５の上面全体に保護膜１６をそのまま残すことにより、加工精度を良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】大粒径の略単結晶粒に半導体装置のチャネル形成領域がアライメント精度良く形成されている半導体装置、それを用いた電気光学装置と電子デバイス、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２０上に第一アライメント・マーク２１を形成する。結晶成長の起点となるグレイン・フィルタ２６の位置は、第一アライメント・マーク２１を基準に決定する。グレイン・フィルタ２６上に半導体膜を形成し、その後半導体膜を結晶化して略単結晶半導体膜を形成する。略単結晶半導体膜をパターニングする際には、第一アライメント・マーク２１の位置を基準とする。 （もっと読む）

【課題】実質的なチャネル長の長さを短くし、半導体装置を微細化することができる半導体装置及びその作製方法を提供する。また、実質的なチャネル長の長さを短くすることによってゲート容量を減少させることができ、半導体装置の高速動作及び高性能化を実現できる半導体装置及び、その作製方法を提供する。また、製造工程を簡略化することができる作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成されたる島状半導体膜と、島状半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置であって、ゲート電極は高密度プラズマにより表面を酸化されることによって、スリミング化し、実質的なチャネル長を短くしている。 （もっと読む）

【課題】 物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。下部電極１３をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。 （もっと読む）

液晶材料層および液晶材料層の片側に設けられ電界を生成して液晶材料層の画素部分における分子配向を変えるコンダクタのアレーを備えており、液晶材料層のそれぞれの画素部分は、画素寸法よりも小さい距離にわたって電圧を印加するためにそれぞれの画素領域にわたって分布されているコンダクタのグループのそれぞれに関連づけられており、コンダクタおよびそれぞれのグループ内におけるそれらの間隔は、液晶材料層の厚みに対して十分に小さく、それぞれのグループを使うことでぞれぞれの画素部分の領域全体に渡って実質的に均一な異なる分子配向パターンを液晶材料層の厚みの少なくとも一部にわたって誘導する電界を生成できることを特徴とする液晶装置。
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【課題】低電圧で駆動することが可能であり、かつ生産性の高い非線形素子、非線形素子を備えた素子基板及び非線形素子を備えた素子基板を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非線形素子の素子構造は、第１の電極と第２の電極との間に、無機化合物と有機化合物とを含む複合材料からなる膜を有している。また、無機化合物と有機化合物とを含む複合材料からなる膜は、双方向で非線形の挙動を示す複合材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平板表示装置に係り、より詳しくは、平板表示装置用薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板１００上に位置して、中央部と両側部を有するシリコンナノワイヤー１０２と、前記中央部上に位置するゲート電極１１４と、前記シリコンナノワイヤー１０２と電気的に連結され、前記両側部各々に位置するソース電極１１０及び前記ソース電極１１０と離隔されるように位置するドレイン電極１１２を含む薄膜トランジスタＴを提供する。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】８０４で示されるが共通の活性層であり、この活性層中にチャネル形成領域が形成される。８０１は共通のゲイト電極およびゲイト配線である。８０５は共通のソース電極およびソース配線である。８０６は共通のドレイン電極およびドレイン配線である。そして８０２で示されるのが、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域とのコンタクト部分である。このように薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光による修正処理を行っても異物不良を招く虞のない電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置１００は、一対の基板と、一対の基板間に配置された電気光学物質と、一方の前記基板に設けられたスイッチング手段を含む電位制御部１１２と、前記一方の基板に設けられてなり、前記スイッチング手段に電気的に接続されてなるとともに、前記電気光学物質の駆動電位を供給する配線１１１と、前記配線１１１を覆い、前記電位制御部１１２の少なくとも一部と重らない絶縁膜１１３と、前記絶縁膜上に設けられてなり、前記電位制御部の少なくとも一部と平面的に重ならず、前記スイッチング手段に電気的に接続されて前記電気光学物質に電界を印加するための駆動電極１１４と、を具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 輝度の低下及び黒浮きの発生等の表示品位を低下させることなく、液晶を封止すべき一対の基板間の間隔を平行に保持して、安定に生産できる反射型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 スイッチング素子とこれに接続する画素電極１０１を所定の画素電極間隙１０３を有してマトリクス状に配置して構成したアクティブマトリクス基板と、共通電極を一方の面上に形成したガラス基板とを対向させて、所定の基板間間隙になるように配置して、前記基板間間隙に液晶を封止して構成する反射型液晶表示素子において、画素電極間の画素電極間隙の交差部１０４に、前記基板間間隙を保持するためのフォトレジストからなる柱状スペーサ１０２を設けてあり、柱状スペーサ１０２の総面積Ｓ１と画素電極１０１及び画素電極間隙１０３からなる画素領域の面積Ｓ２との比を、０．００７（％）≦Ｓ１／Ｓ２≦０．０２７（％）とした。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの複雑化を招くことなく、電気的特性のばらつきを抑えることができ、かつ、下部電極あるいはそれと同時形成した配線の抵抗率を低く抑えることのできる非線形素子、この非線形素子を備えた電気光学装置、及び非線形素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 非線形素子１０は、下部電極１３と、下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを有している。下部電極１３は、下層側に窒素含有のタンタル層１３１からなる立方晶系のタンタル層を備えるとともに、その上層側には、酸素含有のタンタル層１３２を備えている。 （もっと読む）

【課題】
１Ｆ反転駆動のアクティブマトリクス表示装置の画質を向上する。
【解決手段】
マトリックス状に配列された画像表示素子１５と、画像表示素子を列方向に走査し、画像データを前記列方向に接続された画素線に供給する水平ドライバ回路１３と、画像表示素子を行方向に走査する垂直ドライバ回路１１，１２と、画素線を介して画像データの信号表示期間前に所定の電位を有するユニフォミティイ信号を供給するプリチャージドライバ回路１４とを有し、プリチャージドライバでユニフォミティ信号を画素線に所定期間供給し、縦クロストーク、シェーディングを改善し画質を向上する。 （もっと読む）

本発明は、銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成して保護する銅配線または銅電極に関する。また、本発明は、上記銅配線または銅電極を用いる液晶表示装置に関する。基板に銅配線または銅電極を形成した後、上記銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成する場合、上記銀薄膜が銅配線または銅電極を保護することで酸化またはその他、不要な反応に対する銅の抵抗性を強めることによって、銅電極及び配線の性能を良好に保持することができる。
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【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供する。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 電極パターンを複数の島状部及び連結部から構成し、かつカラーフィルタの所定位置に孔及び配向制御手段を設けることにより、製造容易でかつ画像表示特性等を向上させた液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 カラーフィルタの上方に第１の電極パターンを形成した第１の基板と、当該第１の基板と対向するように第２の電極パターンが形成された第２の基板と、第１の基板及び第２の基板の間に挟持された負の誘電異方性を有する液晶材料からなる液晶層と、を備え、第１の電極パターン又は第２の電極パターンを、１画素領域内で複数の島状部と、それらを電気的に接続する連結部と、から構成し、かつ、カラーフィルタは、島状部の中央に対応する領域に孔を有するとともに、島状部の端縁に対応する領域に配向制御手段としての突起を有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタを用いて形成されたメモリーを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質珪素膜の表面全体に、非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含む溶液を塗布し、加熱処理により触媒元素と非晶質珪素膜とを反応させてシリサイド化し、シリサイド化された表面から基板に向かって結晶成長させることによって結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜を用いて薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタを用いてメモリーを形成する。 （もっと読む）

【課題】 初期的な非線形が高く、かつ、常温通電および高温通電の前後において非線形性の不可逆的な変動が発生しない非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。その際、第１のアニール工程での最高アニール温度は３８０から４２０℃であり、第２のアニール工程での最高アニール温度は２８０から３２０℃である。 （もっと読む）

【課題】 良好な反射性能を有する反射層を有した液晶装置と、これを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 対向して配置された上基板３０と下基板２０との間に液晶層５０を挟持し、１つの画素領域内に反射表示領域３３と透過表示領域３４とを具備し、下基板２０の反射表示領域３３に反射層を備えた半透過反射型の液晶装置である。下基板２０の画素領域１０内に、画素電極２３と、画素電極２３を駆動するためのスイッチング素子２２と、画素電極２３に接続された保持容量１７とを有する。保持容量１７における容量電極２７が、下基板２０の内面側となる上面部に凹凸を形成した多結晶シリコンからなり、反射層２６が、多結晶シリコンからなる容量電極２７の上方に配置されて、容量電極２７の凹凸が転写されてなる凹凸を有して形成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、結晶化状態に影響を受けずに均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供することにある。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上に形成されている複数のゲート線、ゲート線と交差する複数のデータ線、ゲート線及びデータ線と各々連結されている複数の薄膜トランジスタ、そして薄膜トランジスタと各々連結されている複数の画素電極を含み、複数の薄膜トランジスタは、多様な漏洩電流値を有して、基板全体に不規則に分布している。 （もっと読む）

【課題】本発明はポリシリコン液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、工程を単純化できる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第１基板及び第２基板と、ドライバ領域と重畳される第１シーラントと、第１基板及び第２基板間の液晶層を含む。また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第１基板及び第２基板を形成する工程と、第１基板及び第２基板の少なくとも一つの上に、ドライバ領域と重畳される第１シーラントを形成する工程と、第１基板及び第２基板間に液晶層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）