【課題】電気光学装置に用いるインバータ回路に関する。
【解決手段】インバータのＮチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＮ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記Ｎ型の不純物の少なくとも１つと重なっているゲイト電極とを有する。またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 （もっと読む）

ディスプレイ装置は、行及び列で配置され、共通基板（２４）上に設けられた表示画素の配列（１８）を有する。第１の行ドライバ回路（２０）は、画素の第１のサブセットの行に使用され、第２の行ドライバ回路（２２）は、画素の第２のサブセットの行に使用される。第１の行ドライバ回路（２０）は、表示画素の共通基板に対して別個の基板上に集積回路を有し、第２の行ドライバ回路（２２）は、共通基板上に集積された回路を有する。この配置は、高品質の基板外行ドライバが部分表示部分に使用されることを可能にする。例えば、これは、待機モード（及び随意的に通常駆動モード）で最も頻繁に使用されるディスプレイの部分でありうる。その場合、ディスプレイのこの部分は経年劣化を最も起こしやすく、従って、基板外ＩＣ行ドライバが有効である。望ましくは、第２のサブセットの行はディスプレイの残りの部分を有し、基板上の行ドライバが使用され得る。
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【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】連続した波状形状有する形状のパターンを、均一な間隔をもって隣接して備えた半導体装置である。隣接するパターンにおいて、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、パターン同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接したパターンを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、吸収層、色彩鏡、透明基板、および液晶層を具備するシリコン基板上の反射型液晶（ＬＣＯＳ）パネルについて記述する。
【解決手段】シリコン基板は、上部にピクセルアレイを有する。吸収層は、ピクセルアレイの上方に配設される。色彩鏡は吸収層の上方に配設され、色彩鏡は少なくとも所定の波長範囲を有する光線を反射し、色彩鏡で反射されない光線は、吸収層で吸収される。上部に透明電極を有する透明基板は、シリコン基板に対向して配設される。液晶層は、色彩鏡と透明電極との間に配設される。 （もっと読む）

【課題】本発明はエッチングテープ及びこれを利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。本発明の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極、ストレージキャパシターの第１電極、ゲート配線を形成する段階、ゲート絶縁膜、アクティブ層、オーミック接触層、ソース電極及びドレーン電極を形成し、誘電体層及びストレージキャパシターの第２電極を形成し、データ配線を形成する段階、画素電極を形成し、ゲートパッド電極を形成し、データパッド電極を形成する段階、保護層を形成する段階及びゲートパッド電極上に形成された保護層とデータパッド電極上に形成された保護層をエッチングテープを利用してエッチングすることでコンタクトホールを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを防止できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ５のゲート絶縁膜16よりも外側に突出して露出した活性層６の周縁を周方向に亘って窒化して絶縁化領域14とする。活性層６のソース領域12とドレイン領域13との間でゲート電極18周辺の活性層６を伝ってチャネル領域11を迂回して電流がリークする現象の発生を防止できる。薄膜トランジスタ５のソース領域12およびドレイン領域13間での電流のリークを簡単な構成で確実に防止できる。
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【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 フルカラー表示に有効である積層型液晶表示素子において、高精細、高速応答に有効であるトランジスタを用いたときに課題となる、開口率の低下に起因する表示性能の劣化を抑えた液晶素子を提供すること。
【解決手段】 基板上に、少なくとも１つの二色性色素とホスト液晶とを含む液晶層と、少なくとも１個の透明な薄膜トランジスタと、マトリクス状に配置された透明な画素電極と、透明な対向電極と、を有してなる構造単位を複数個積層してなることを特徴とする液晶表示素子。 （もっと読む）

【課題】 第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。
【解決手段】 本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０、絶縁膜３０、及び第２導電膜４０を含む積層体２を形成する工程と、積層体２をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程と、エッチング処理によって露出した積層体２の側壁２ａにラジカル状態又はイオン状態の改質ガス５５を供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 明るく高画質の均一な表示を得られ、信頼性にも優れる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 下側基板１０上に、画素電極４８と、該画素電極４８との間で液晶（電気光学物質）に作用させる電界を発生させる共通電極４２と、前記画素電極４８と電気的に接続されたラテラル構造のＴＦＤ素子４３と、該ＴＦＤ素子４３と前記液晶との間に介挿された保持容量５０と、が設けられており、少なくとも前記ＴＦＤ素子４３の下部電極４４が、酸素を含有するタンタル膜からなる構成を備えた電気光学装置とした。 （もっと読む）

【課題】 明るく高画質の表示を得られるとともに信頼性に優れ、かつ安価に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 下側基板１０上に、画素電極４８と、該画素電極４８との間で液晶（電気光学物質）に作用させる電界を発生させる共通電極４２と、前記画素電極４８と電気的に接続されたラテラル構造のＴＦＤ素子４３と、該ＴＦＤ素子４３と前記液晶との間に介挿された保持容量５０と、が設けられており、前記ＴＦＤ素子４３を構成する上面絶縁膜４５と側面絶縁膜４６とが、タンタル酸化窒化膜である構成の電気光学装置とした。 （もっと読む）

【課題】 明るく高画質の表示を得られ、安価に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 下側基板１０上に、画素電極４８と、該画素電極４８との間で液晶（電気光学物質）に作用させる電界を発生させる共通電極４２と、前記画素電極４８と電気的に接続されたラテラル構造のＴＦＤ素子４３と、該ＴＦＤ素子４３と前記液晶との間に介挿された保持容量５０と、が設けられており、前記ＴＦＤ素子４３の上部電極を成す信号線４７及び画素電極４８が、クロムより大きい酸化物標準生成エンタルピーを有する導電材料により形成されている電気光学装置とした。 （もっと読む）

【課題】 熱処理工程による素子部分および保持容量部分の変形を防止することにより、上電極材料の断線に起因する点欠陥や線欠陥が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層７１および容量用絶縁層７２を形成する。また、データ線２も酸素添加タンタルによって構成する。 （もっと読む）

【課題】 高開口率、それに伴う小型化を実現することができる半導体装置、半導体装置の製造方法、薄膜トランジスタアレイ基板、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート型薄膜トランジスタ、トップゲート型薄膜トランジスタ及び保持容量を備えた半導体装置であって、上記ボトムゲート型薄膜トランジスタは、基板上に、第１ゲート電極と、第１絶縁膜と、第１半導体層と、第２絶縁膜とをこの順に備え、上記トップゲート型薄膜トランジスタは、基板上に、第１絶縁膜と、第２半導体層と、第２絶縁膜と、第２ゲート電極とをこの順に備え、上記保持容量は、第１ゲート電極と同じ層の電極と、第２ゲート電極と同じ層の電極と、上記電極間に挟まれた第１又は第２半導体層と同じ層の電極とからなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 トリミングの実施が容易で、抵抗値の更なる微調整の実施可能な終端抵抗体を有する電気光学装置等を提供する。
【解決手段】 素子基板は、絶縁性を有する下側基板と、その下側基板上の張り出し領域に実装及び形成されたドライバＩＣ及び少なくとも一対の外部接続用配線とを有する。即ち一対の外部接続用配線は、下側基板上に形成された金属単体又は金属化合物よりなる第１導電層と、その第１導電層上に積層された透明導電材料よりなる第２導電層とを有し２層構造をなす。特に、この液晶装置では、下側基板上の一対の外部接続用配線の間にはその一部を用いて作製された配線幅の異なる２つ以上の抵抗体を有する配線パターンが形成されている。よって、少なくとも１つ以上の抵抗体をトリミングすることにより、容易に、当該不具合を解消することが可能な高精度の終端抵抗体を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノワイヤを用いて、薄膜トランジスタ基板の収率を向上することのできる薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板と、液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板を製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、ナノワイヤを用いて前記ゲート絶縁膜の溝に薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、前記活性層上にソース電極とドレイン電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４６であり、保持容量９ａの誘電体層は、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４９であり、誘電率が低い。従って、同一容量値の保持容量９ａを形成するのに第２の陽極酸化膜４９を薄くできる。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成にすることなく、消費電力を低下させ、また駆動電圧や消費電力の上昇を招くことなく暗点の発生を抑制することが可能な表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極と、第２の電極と、第１の電極及び第２の電極の間に挟まれた有機化合物を含む積層体を有し、有機化合物を含む積層体には発光層とバッファ層が設けられており、前記バッファ層は有機化合物と無機化合物の混合層でなる。このバッファ層は第１の電極と第２の電極とのショートを防ぐ機能を有している。また上記の有機化合物を含む積層体は有機発光層及び液晶機能を有する層を有している。 （もっと読む）

【課題】光反射電極を備えた液晶表示素子において、配向膜の信頼性を向上させること。
【解決手段】本発明は、透明電極１１を有する第１の基体１０と、光反射電極２１を有する第２の基体と、透明電極１１および光反射電極２１が互いに対向するよう第１の基体１０と第２の基体２０とを所定のギャップで重ね合わせた状態でそのギャップに封入される液晶Ｌとを有する液晶表示素子１であり、光反射電極２１には、光反射電極２１の表面の自然酸化膜が除去された状態で配向膜２２が形成されているものである。 （もっと読む）