【課題】走査線の配線抵抗等を低減して、高速動作可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極１０８と当該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ１００とを含む画素と、画像表示領域の列方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のソース領域２０４を列方向に互いに接続する複数本のデータ線１０４と、画像表示領域の行方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のゲート電極２０８を行方向に互いに接続する複数本の走査線１０２と、を含む電気光学装置であって、ゲート電極２０８が非金属材料で形成され、上記走査線１０２は、ゲート電極２０８上に絶縁膜を介して積層された金属材料の薄膜をパターニングして形成されており、各々のゲート電極２０８とは絶縁膜を局所的に除去して形成された第１のコンタクトホール５０１を介して電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成に印刷法を適用しても高スループットでアライメント精度良く、高いオンオフ比を有し、素子間でのばらつきが小さい薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、今後のさらなる高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。
【解決手段】同一基板上に第１のトランジスタと第２のトランジスタを有し、第１のトランジスタは、結晶構造を有する第１の半導体膜と、その上に順に積層して設けられた第１の絶縁膜と、結晶構造を有する第２の半導体膜と、第２の絶縁膜と、第１のゲート電極とを有し、第２のトランジスタは、結晶構造を有する第３の半導体膜と、その上に順に積層して設けられた第１の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第２のゲート電極とを有し、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜は同一の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】バックライトを使用する液晶表示パネルにおいて、カラーフィルタ基板のブラッ
クマトリクスからの反射光に起因するａ−Ｓｉ層を有するＴＦＴの光リーク電流を減少さ
せた、表示画質が良好な液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネルは１０Ａは、マトリクス状に配列された走査線及び
信号線で囲まれる各画素領域にａ−ＳｉＴＦＴが形成されたアレイ基板と、走査線２０、
信号線２１及びＴＦＴに対応する位置に形成されたブラックマトリクス１４、及び、少な
くとも赤、緑及び青のそれぞれストライプ状のカラーフィルタ層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ
を有するカラーフィルタ基板と、を備え、前記緑のカラーフィルタ層１５Ｇのうち、前記
ＴＦＴに対応する位置及び前記ＴＦＴに隣接する走査線２０及び信号線２１に対応する位
置のブラックマトリクスの表面は他の色のカラーフィルタ層１５Ｂ'で置換されているこ
とを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】十分な耐圧を有し、高性能化を実現することができ、しかも容易なプロセスで形成することのできる半導体装置、およびそれを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。また、駆動電圧の異なる半導体装置を備えた電気光学装置および電子機器を高性能化する。
【解決手段】ゲート絶縁膜２は、半導体層１ａの表面を覆う下層ゲート絶縁膜２ａと、下層ゲート絶縁膜２ａの表面を覆う表層ゲート絶縁膜２ｂとによって形成され、表層ゲート絶縁膜２ｂには下層ゲート絶縁膜２ａの表面に到達する開口部２ｃが形成され、開口部２ｃの縁２ｅが半導体層１ａの縁１ｓよりも内側に形成され、半導体層１ａの周縁部は下層ゲート絶縁膜２ａおよび表層ゲート絶縁膜２ｂの双方によって覆われ、半導体層１ａの中央部は開口部２ｃによって露出した下層ゲート絶縁膜２ａによって覆われていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】マルチゲート構造の薄膜トランジスタを更に改良することにより、簡素な電気的構成でソース−ドレイン耐圧を向上することのできる半導体装置、半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を用いた電気光学装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、マルチゲート構造の薄膜トランジスタ１０では、ドレイン側の第１のトランジスタ部１０ａの第１のチャネル領域１ｂの層厚を、ソース側の第２のトランジスタ部１０ｂの第２のチャネル領域１ｆの層厚に比して薄くし、第１のトランジスタ部１０ａの閾値電圧をディプレッション側にシフトさせてあるので、ゲート電極３ａ、３ｂに同電位を印加した場合でも、トランジスタ部１０ａ、１０ｂのコンダクタンス差が小さい。チャネル領域１ｂ、１ｂは各々、チャネルドープされているが、層厚が相違する分、不純物イオンのドーズ量を相違させてある。 （もっと読む）

【課題】画素ごとの開口率を減少させることなく補助容量電極の容量を増大させた、比較
的小さな画素面積ないしは高精細化に好適な液晶表示装置及びその製造方法を提供するこ
と。
【解決手段】透明基板１１上にマトリクス状に配置された複数の信号線１７及び走査線と
、走査線間に平行に設けられた複数の補助容量線と、信号線及び走査線の交点近傍に設け
られた薄膜トランジスタＴＦＴと、信号線１７及び走査線により区画されるそれぞれの位
置に配置されるとともに薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続された
画素電極２０とを備えた液晶表示装置１０において、前記薄膜トランジスタＴＦＴのゲー
ト電極Ｇ及び走査線は第１層目の絶縁膜２５及び第２層目の絶縁層２６からなるゲート絶
縁膜で被覆され、補助容量電極１８ａ上に前記第２層目の絶縁層２６を介して薄膜トラン
ジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄが延在されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。また、酸化物半導体膜の設計膜厚を３０ｎｍ±１５ｎｍにすることにより、電界効果移動度μ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、Ｓ値を最適化する。 （もっと読む）

【課題】ベースコート層が除去されて露出したガラス基板の表面に対して、半導体デバイス部を確実に貼り付ける。
【解決手段】エッチング速度がガラス基板２２よりも速い犠牲膜３１を、ガラス基板２２に対し、貼付領域Ａの少なくとも一部を含む領域に形成する犠牲膜形成工程と、ベースコート層３２を犠牲膜３１を覆うように形成するベースコート層形成工程と、ベースコート層３２を介して犠牲膜３１の全体を覆うように非晶質半導体層２８を形成する非晶質層形成工程と、非晶質半導体層２８にレーザーを照射して非晶質半導体層２８を結晶化してエッチングすることにより結晶半導体層３３を形成する結晶層形成工程と、貼付領域Ａにおけるベースコート層３２及び犠牲膜３１をエッチングにより除去するエッチング工程と、貼付領域Ａに半導体デバイス部５３を貼り付ける貼り付け工程とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】粒界が形成される位置を制御することが可能な結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１に支持された非晶質半導体膜２２を用意する工程と、非晶質半導体膜にＡｒイオンを注入する工程と、工程（ｂ）の後に、非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素３５を付与する工程と、工程（ｃ）の後に、非晶質半導体膜の少なくとも一部を固相結晶化することによって、結晶質半導体膜２４を得る工程（ｄ）とを包含する。
基板１１に支持された非晶質状態の半導体膜２２を用意する工程（ａ）と、半導体膜の第１領域に第１の濃度でＡｒイオンを注入する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、半導体膜の第１領域と第１領域外の第２領域とを含む領域に、結晶化を促進する触媒元素を付与する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、半導体膜を加熱することによって半導体膜の少なくとも第２領域を固相結晶化させる工程（ｄ）とを包含する。 （もっと読む）

【課題】本発明はデジタル露光器を用いて領域別に露光して製造費用を節減した段差があるフォトレジストパターンの形成方法及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、フォトレジストを形成し、フォトレジストの領域別に露光回数を異なるようにして段差があるフォトレジストパターンを形成すること、を含むフォトレジストパターンの形成方法及び表示パネル製造方法を提供する。これにより、高価なマスクを使用せず、表示装置の製造の際の製造費用を節減することができる。 （もっと読む）

【課題】 面内応答型液晶表示装置において、引き出し配線から発生する電界を遮蔽し、対向基板の電位変動を防止することで、ゲート端子近傍の表示領域に白抜けを生じない液晶表示装置を得るものである。
【解決手段】 この発明に係る液晶表示装置においては、ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部が設けられ、テーパーゲート配線部の上層に絶縁膜を介して導電層を配設したものである。ゲート配線４に電圧を印加するためのゲート端子１６およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部１４が設けられ、テーパーゲート配線部１４の上層にゲート絶縁膜５を介して導電層１８を配設する。 （もっと読む）

【課題】TFTアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス基板11と、上方に順次ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15が被覆しているゲートライン12b及びゲートライン12bと一体となるゲート電極12aと、ゲートライン12b及びゲート電極12a、ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15の両側に形成された絶縁層16と、オーミック接触層15に形成され、半導体層14の中間位置の上方でオーミック接触層15を分断する分断溝15aと、絶縁層16及びオーミック接触層15の上方に形成されたデータライン及び第1、第2のソース・ドレイン電極と、を備えるTFTアレイ基板であり、該TFTアレイ基板はスリットフォトリソグラフィー処理を使用しない4回のフォトリソグラフィー処理により製造できる。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率低下の防止並びに液晶パネルでの画像記憶による省電力化の効果増を図った液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域１１を除く領域１１’にメモリ１４を設けたことで、画素が簡素化され、開口率低下を防止することができる。また、制御回路１５が、送信された小画像を表示し、メモリ１４に記憶させ、記憶させた小画像を再び表示することで、同じ小画像を送信の度に表示する場合よりも消費電力を低くすることができる。また、小画像なので、大画像の場合よりも消費電力を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのシリコン層に残留する金属触媒の濃度を最小化して漏れ電流を最小化することのできるトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のトランジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成されたソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を含むアクティブ領域１１１と、アクティブ領域１１１上に形成されたゲート絶縁膜１１２と、ゲート絶縁膜１１２上に形成されたゲート電極１１３とを含み、アクティブ領域１１１は大型シリコン結晶化法を利用して結晶化され、結晶化された結晶粒は第１結晶化工程により形成された第１結晶化部分と第２結晶化工程により形成された第２結晶化部分が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】 様々な結晶粒径を有する多結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する場合において、薄膜トランジスタ特性を向上させつつ、キャリア移動度など、その特性のばらつきの増加を抑制すること。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜をレーザー光を照射して加熱することにより作成する多結晶半導体膜において、レーザー光の波長をλとすると、単一結晶を構成する結晶粒界の当該レーザー光スキャン方向及びこれに垂直な方向の間隔がλ／２の整数倍からなり、これら２方向における間隔が異なる結晶粒界を含む半導体膜、及びこの半導体膜を用いて薄膜トランジスタを作成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度や電流オン・オフ比などのトランジスタ特性に優れ、且つ、界面特性に優れた、信頼性の高い薄膜トランジスタを再現性良く実現する。
【解決手段】酸化インジウムからなる活性層（チャネル層）１１を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、活性層として酸化インジウム膜を形成する工程と、形成された酸化インジウム膜に酸化雰囲気中で熱処理を加える工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。熱処理は１５０℃以上４５０℃以下の酸化雰囲気中で行われることが望ましい。熱処理を加える工程前の酸化インジウム膜がアモルファスであり、熱処理を加える工程後の酸化インジウム膜が結晶であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】書き込みのための露光と表示確定のための電圧印加の時期を変えることが可能な光変調素子、並びにその書き込み方法および書き込み装置を提供すること。
【解決手段】一対の電極層５，６の間に、少なくとも、相状態に応じて光を反射または透過する表示層７と、光を吸収して該吸収した光の光量に応じて電気特性が変化し、かつその変化後の状態が記憶される光メモリー機能を有する光導電層１０と、が積層されてなる光変調素子１。光変調素子１に、像様に光を照射する光照射工程と、光変調素子１の一対の電極層５，６に、表示層７の相状態を設定する駆動電圧を印加する電圧印加工程と、が順次為される書き込み方法。光変調素子１に、像様に光を照射する光照射手段１８と、光照射手段１８による光照射に続いて、光変調素子１の一対の電極層５，６に、表示層７の相状態を設定する駆動電圧を印加する電圧印加手段１７と、を備える書き込み装置２。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに組み込んだ光センサが極力バックライトの影響を受けないようにし
てセンサの誤動作及び感度低下が起らないようにした液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】ＴＦＴ基板２とＣＦ基板２５とが対向配置されその間に液晶層１４が形成さ
れた液晶表示パネルと、ＴＦＴ基板の背面に配設された照光手段とからなり、ＴＦＴ基板
に外光を検知するＴＦＴ光センサを有する光検出部ＬＳ１を備え、光検出部の出力により
照光手段を制御する液晶表示装置１において、ＣＦ基板には、ＴＦＴ基板上のＴＦＴ光セ
ンサと対向する箇所に外光を採光するセンサ窓Ｗが設けられ、センサ窓の周辺は外光を遮
光するとともに照光手段からの光の反射を抑制する遮光層Ｋで覆われている。 （もっと読む）