【課題】コントラスト比の高い液晶表示素子を得る。
【解決手段】少なくとも、Ａ面サファイア基板の両面を鏡面仕上げする工程と、前記サファイア基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記Ａ面サファイア基板の表面に単結晶シリコン基板を貼付する工程と、前記Ａ面サファイア基板の裏面を粗面化する工程と、前記単結晶シリコンにＬＳＩ加工をする工程と、前記Ａ面サファイア基板のＣ結晶軸と該Ａ面サファイア基板側に貼付される偏光板の透過偏光軸または吸収偏光軸のいずれかの偏光軸及び前記Ａ面サファイア基板に形成される配向膜の配向軸を合わせる工程を具備する透過型液晶表示素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びそれを利用した平板表示装置を提供する。
【解決手段】非晶質の１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３（Ｃ１２Ａ７）を含むチャンネル層を備えた薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板表示装置である。これにより、Ｃ１２Ａ７を利用して低い温度で非晶質のチャンネル層を形成できる。該非晶質のチャンネル層を備えた薄膜トランジスタは、優れた電気移動度を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタとしてアモルファス・シリコン薄膜トランジスタを使用し、周辺回路に低温ポリシリコン薄膜トランジスタを使用する場合に、画素容量への映像電圧の書き込み不足が生じるのを防止する。
【解決手段】複数の映像線は、ｎ（ｎ≧３）個の映像線毎にグループ分けされており、分割スイッチ回路の複数のスイッチング素子は、ｎ個のスイッチング素子毎にグループ分けされており、各画素トランジスタは、半導体層としてアモルファス・シリコンを使用するアモルファス・シリコン薄膜トランジスタであり、分割スイッチ回路の各スイッチング素子は、半導体層としてポリ・シリコンを使用するポリ・シリコン・薄膜トランジタであり、各グループの中で一番最後にオンとなるスイッチング素子を介して映像電圧が供給される画素に対する書き込み時間は、各グループの中で一番最後にオンとなるスイッチング素子がオンとなる時間を除いて、１水平走査期間の１／２以上である。 （もっと読む）

【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置がオン状態からオフ状態に変わるときの、液晶分子の応答速度を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板と対向基板の間に液晶材料と、前記基板上に複数の画素と、前記基板上に設けられ、前記液晶材料と接し、かつ、可動部を有する微小構造体とを有する液晶表示装置及びその作製方法に関する。前記微小構造体は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び上部電極の間に空間部分とを有していてもよい。前記微小構造体は、前記基板上に前記下部電極を形成し、前記下部電極上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に上部電極を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記空間部分を形成することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】隣接する端子間にかかる電位差を最小にして、端子の腐蝕を防止し信頼性を向上
させた電源回路を提供する。
【解決手段】電源回路は直列接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタＴ１，Ｔ２
、直列接続された第３及び第４の電荷転送トランジスタＴ３，Ｔ４を備える。Ｔ１とＴ２
の接続ノードに端子Ｐ１が接続されている。Ｔ３とＴ４の接続ノードに端子Ｐ２が接続さ
れている。Ｔ２とＴ４のドレインに端子Ｐ３が接続されている。端子Ｐ４にはクロックＤ
ＤＣＬＫが印加される。端子Ｐ５にはクロックＢＤＤＣＬＫが印加される。端子Ｐ１，Ｐ
５の間にフライングコンデンサＣ１が接続され、端子Ｐ２，Ｐ４の間にフライングコンデ
ンサＣ２が接続される。Ｔ１とＴ３のソースには電源電位ＶＤＤが印加される。端子Ｐ１
〜Ｐ５は端子Ｐ１，Ｐ３，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５の順番で配置される。これにより、端子Ｐ１
〜Ｐ５の腐蝕を防止し信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電荷転送トランジスタのゲート電極の抵抗を低減することにより、電源回路の効
率を向上させる。
【解決手段】Ｔ１〜Ｔ４のゲート電極に補助ゲート電極を設けて二重配線構造にして、ゲ
ート電極の全体としての抵抗値を低くした。Ｔ１について説明すると、ゲート電極１０４
にオーバーラップした補助ゲート電極１０８が形成されている。補助ゲート電極１０８は
、Ｔ１の一方の側でゲート電極１０４に接続されている。即ち、ポリシリコン層１０２の
外のガラス基板１００上に延びたゲート電極１０４上の層間絶縁膜１０７にコンタクトホ
ールＣＨ１が形成され、このコンタクトホールＣＨ１を通して、補助ゲート電極１０８が
ゲート電極１０４に電気的に接続されている。補助ゲート電極１０８は、例えば、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金からなり、ゲート電極１０４より低いシート抵抗を有して
いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流特性を改善し、高品位の表示装置を可能とする。
【解決手段】チャネル領域が多結晶及び非晶質シリコンの積層構造でかつ逆スタガ構造の第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１の前記多結晶シリコン層４と前記非晶質シリコン層５の平面形状を略相似形状とし、かつ前記非晶質シリコン層５を前記多結晶シリコン層４より小面積とした。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができるＦＦＳモードの液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、ＴＦＴ５０を有するＴＦＴアレイ基板と、ＴＦＴアレイ基板と対向配置された対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、ＴＦＴアレイ基板上において、少なくとも一部がＴＦＴ５０のドレイン電極５に直接重なるよう、ドレイン電極５の上又は下に直接形成された画素電極６と、画素電極６を覆う層間絶縁膜１２と、層間絶縁膜１２上に形成され、画素電極６との間でフリンジ電界を発生させるスリットを有する対向電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】対向基板の帯電の影響による表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供すること目的とする。
【解決手段】アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲと対向するように配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、
対向基板ＣＴは、絶縁基板３０と、絶縁基板上に配置されたシールド電極ＥＳと、シールド電極の上に配置された絶縁層３８と、絶縁層の上に配置され液晶層を介して画素電極に対向するとともに各画素において絶縁層の一部を露出する開口部ＡＰを有する対向電極ＥＴと、を備え、
シールド電極ＥＳは、絶縁層を介して少なくとも開口部と重なるように配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精細・多階調・低コスト・低消費電力の表示装置の提供。
【解決手段】表示パネル部110と、走査回路109と、データ線駆動回路とを有する表示装置において、表示パネル部の外に、表示メモリ111と、出力バッファ112と、コントローラ113と、を有するコントローラＩＣ102を備え、表示パネル部110には、データ線駆動回路及び走査回路を含む周辺回路が、画素スイッチをなすトランジスタと同一プロセスで形成され、データ線駆動回路は、デジタル信号の表示データをアナログ信号に変換するＤＡＣ回路106を備え、コントローラＩＣ102と、表示パネル部のデータ線駆動回路との間のデータ転送用のバスの幅が、コントローラと上位装置の間のバスよりも、一回あたりの転送で多くのビットデータが並列転送されて、データ線駆動回路の動作周波数を下げる構成とし、表示信号を伝える配線が、他の表示信号を伝える配線と交差しないようにする。 （もっと読む）

【課題】側面視認性が改善された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に交差形成されたゲート線およびデータ線と、前記ゲート線および前記データ線に連結された第１副画素電極と、前記第１副画素電極と容量結合で連結される第２副画素電極と、前記第１絶縁基板に対向して配置される第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に形成された共通電極と、前記共通電極に形成されたホール（ｈｏｌｅ）形状の切開パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】開口度、外力からの耐性及び基板間の位置決め精度を向上させた液晶表示装置を
提供すること。
【解決手段】本発明は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦの間に液晶層４０を挟
持してシール材２で貼り合わせてなる液晶表示装置１であって、アレイ基板ＡＲは、複数
本の走査線１１及び信号線１２と、ＴＦＴからなるスイッチング素子と、スイッチング素
子を含む基板全体を覆う層間膜１７と、層間膜１７上に形成された少なくとも１つの電極
と、を有し、カラーフィルタ基板ＣＦは、所定色のカラーフィルタ層３２を有し、さらに
、アレイ基板ＡＲのスイッチング素子のチャネル部ＣＲを覆う層間膜１７には開口部ＯＰ
が設けられており、カラーフィルタ基板ＣＦの開口部ＯＰに平面視で重なる部分には遮光
層３１が延設されているとともに、一部が開口部ＯＰに埋め込まれるように第１柱状スペ
ーサＳＰ１が配設されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】少ない元素数から構成されるアモルファス酸化物を用い、オン・オフ比が大きく、大気中保管などの環境安定性に優れた、電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー１０１から分離された基板１０６に貼り合わせた半導体膜１０７に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物１０９、１１２を注入し、その上に単結晶半導体膜１１４を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】温度検出部を画素領域の外側に配置した場合でも、画素領域の温度変化を迅速かつ正確に検出することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、電気光学パネル１００ｐには、画素領域１００ｂの外側に温度検出部４５が配置されており、電気光学パネル１００ｐを覆う金属フレーム６０の上フレーム６２と、電気光学パネル１００ｐにおいて温度検出部４５が配置されている部分との間には、シリコーン樹脂製あるいは金属製の熱伝達材８１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板のセンサ領域に形成されるセンサの検出感度を向上させ、また、センサの飽和特性を改善することができる表示装置を提供する。
【解決手段】画素が形成された画素領域と含む光センサ部が形成されたセンサ領域とを有する基盤と、基板の一方面側から基板を照明する照明部と、センサ領域に配置されたものであり、少なくともＰ型半導体領域（３６Ａ）とＮ型半導体領域（３６Ｋ）を有し、表示部の他方面側から入射する光を受光する薄膜フォトダイオードと、基板の一方面側に絶縁膜を介して薄膜フォトダイオードと対向して形成され、照明部から発せられた光が一方面側から薄膜フォトダイオードに直接入射するのを抑制し、所定の電位に固定される金属膜（３８）とを有し、薄膜フォトダイオードにおいて、Ｐ型半導体領域の幅ＷｐとＮ型半導体領域の幅Ｗｎが異なるレイアウトで形成されている。 （もっと読む）