【課題】透明導電性酸化物からなる電極は半導体装置の作成工程中に加わる加熱処理により結晶化し易い。結晶化により表面凹凸が大きくなった電極を用いた薄膜素子は、短絡が起こり易く、素子の信頼性が低下してしまう。加熱処理しても結晶化が進まない透光性を有する導電性酸窒化物およびその作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水素原子を不純物添加したインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸窒化物が３５０℃で加熱しても結晶化しない透光性を有する導電膜であることを見いだし、課題の解決に至った。 （もっと読む）

【課題】例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。即ち、第２膜（２２０）の角部（２２２）の断面形状は、第１膜（２１１）の角部（２１２）に比べて、角が取れているように、或いは曲線で構成されるように形成されている。尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止して、製造工程の簡素化を図ることが可能になるとともに、製造コストの低減を図ることができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置１は、アクティブマトリクス基板２とアクティブマトリクス基板２に対向して配置された対向基板３と、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３の間に設けられた液晶層４とを備えている。アクティブマトリクス基板２には、絶縁基板６と、絶縁基板６に設けられた透明電極３１と、透明電極３１の表面上に設けられた反射電極３２とが設けられている。そして、透明電極３１の、反射電極３２と接する表面に複数のディンプル３３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させるための結晶核マスクを形成する場合に、単結晶シリコン基板を用いて、結晶面に沿って突起状の構造を形成し、その先端に触媒物質を付着させる工程を用いて製造した場合、直径３０ｃｍ程度が限度の単結晶シリコン基板以上の面積を有する、α−Ｓｉ層に、この転写用基板を用いて押圧転写することは困難であるという課題がある。
【解決手段】ガラス基板１０上のα−Ｓｉ層にエキシマレーザー光を照射して、規則的配列を備える突起部１３を配置し、突起部１３を覆うように触媒金属層を配置して結晶核マスク１を構成する。ガラス基板１０は対角１ｍ以上の基板が容易に入手できることから、大型（対角１ｍ程度）の被転写基板２１に対しても結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびその製造方法に関するものであり、特に白色画素を含む表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板１００、絶縁基板上に形成されたダム１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃおよび第１カラーフィルタパターン、およびダムによって区切られて画素領域に形成された第２カラーフィルタパターンを含み、ダムおよび第１カラーフィルタパターンは、同一層に位置する。 （もっと読む）

【課題】連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化された半導体膜において、結晶異方性が存在したとしても、その結晶異方性によるトランジスタの特性差を抑制することができるとともに、実用上の設計およびプロセス制約を緩和することのできる表示装置用基板を提供する。
【解決手段】上記第１のトランジスタ５は、上記半導体膜５ａにおける、結晶の長軸方向Ｄ２と、ソース領域からドレイン領域に向かう方向である半導体チャネル長方向Ｄ１とのなす角が、上記第２のトランジスタ６における上記なす角より大きく、上記第１のトランジスタ５に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Ｃａは、上記第２のトランジスタ６に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Ｃａより大きい。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソースバスラインとの間に形成される寄生容量に起因する表示不良の発生を抑制することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】ソースバスラインの駆動順序に応じて順次に選択状態とされる第１のゲートバスラインと第２のゲートバスラインとが、表示部１００に形成された画素マトリクスの各行に対応して設けられる。各画素形成部には、第１のゲートバスラインにゲート端子が接続されたＴＦＴ１０ａと第２のゲートバスラインにゲート端子が接続されたＴＦＴ１０ｂとが設けられる。各ゲートバスラインにゲート端子が接続されたＴＦＴのソース端子は、当該各ゲートバスラインが選択状態とされたときに相対的に（ソースバスラインの）駆動順序の遅い側に配設されているソースバスラインに接続される。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタの特性を改善した表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に設けられ、前記ゲート電極の上方に多結晶シリコンを含む半導体膜が形成される半導体層と、前記半導体層の上に設けられる第２の絶縁層と、を含み、前記半導体膜は、前記ゲート電極と平面的に重なるチャネル領域を有し、前記チャネル領域において、前記半導体膜の前記第２の絶縁層に接する部分は前記半導体膜の前記第１の絶縁層に接する部分より不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの層間ショート欠陥を低減することが可能な薄膜トランジスタ基板およびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ３０は、例えば、基板１０上に、下層電極３１、キャパシタ絶縁膜３２および酸化物半導体よりなる上層電極３３を順に有している。具体的には、上層電極３３は、ＴＦＴの酸化物半導体層と同層に形成されたものである。上層電極３３が薄く、ステップカバレージが悪いので、キャパシタ絶縁膜３２中に異物が存在しても、下層電極３１と上層電極３３との間で層間ショートが発生しにくくなる。酸化物半導体はアモルファスシリコンに比べて導電性が高いので、櫛歯状などの複雑な形状にする必要はなく、上層電極３３の全面をキャパシタ電極として機能させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。また、トップゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜１９には、コンタクトホール２５〜２８が形成されている。また、層間絶縁膜１９の表面には、ボトムゲート電極２０、半導体層１３、およびトップゲート電極１４の各々に接続される配線３０〜３２が形成されている。そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】低リークで特性のばらつきの少ない薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部を備える基板に薄膜トランジスタが形成された表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上面に前記ゲート電極を跨って形成された、少なくとも、多結晶半導体膜、非晶質半導体膜、および高濃度ドープト非晶質半導体層の順次積層体からなる半導体膜積層体と、
前記半導体膜積層体の上面に前記ゲート電極に重なる領域を間にして互いに対向して配置される第１電極と第２電極を備え、
前記第１電極と第２電極の間の前記高濃度ドープト非晶質半導体層はその下層の非晶質半導体膜が露出する程度に除去され、
前記第１電極から延在される配線の直下および前記第２電極から延在される配線の直下のそれぞれに前記半導体膜積層体が形成された構成からなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素を小さくしても十分な保持容量を確保すること。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置１００は、第一の基板１０１と、第二の基板１０２と、第一の基板１０１と第二の基板１０２間に狭持された液晶層１０３と、第一の基板１０１と第二の基板１０２の液晶層１０３と反対の側にそれぞれ配置された第一の偏光板１０４と第二の偏光板１０５と、第二の基板１０２の液晶層１０３と反対の側に配置されたレンズ部材１２３及び光源１２４と、第二の基板１０２の液晶層１０３に相対する面に形成された第一の電極１１３と第二の電極１１４とを有し、第二の電極１１４は、レンズ部材１２３の光軸１２８と交わる集光領域１２５に配置された集光部電極１２９と、光軸１２８と交わらない非集光領域１２６に配置され、面積当たりの電極が占める割合が集光部電極１２９より大きい非集光部電極１３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第２酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層（共通電位線とも呼ぶ）とが積層された構成を有し、第１酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層（共通電位線とも呼ぶ）が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ＲＧＢ方式やＲＧＢＣ方式よりも明るく、ＣＭＹ方式よりも原色に近い表示ができる画像表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１画素が、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のうちの２色と、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のうちの２色の補色との計４色のサブピクセルからなり、基板と、基板上に形成されたカラーフィルタと、カラーフィルタ上に形成された薄膜トランジスタアレイと、薄膜トランジスタアレイ上に形成された表示媒体と、表示媒体上に形成された対向電極と、を備える画像表示装置であって、画像表示装置が反射型表示装置または半透過型表示装置であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、チャネル保護層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）