【課題】基板上に形成される補助容量の容量変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ５と補助容量６を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。これにより、補助容量６の容量が変動する電圧の範囲を補助容量６の電極間電圧が取り得る範囲と重ならないように移動させて、補助容量６の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量を大きく、かつ、その変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。これにより、補助容量半導体層１７を導体化し、補助容量５の容量を大きくすると共に、補助容量５の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜とＴＦＴの半導体層との間のバリアメタル層を省略可能な新規のＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。詳細には、Ａｌ合金膜をＴＦＴの半導体層と直接接続しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を防止でき、良好なＴＦＴ特性が得られると共に、ＴＦＴの製造工程でＡｌ合金膜に約１００〜３００℃の熱履歴が加わった場合でも、低い電気抵抗と優れた耐熱性が得られる新規なＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用Ａｌ合金膜は、表示装置の基板上で、薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜４原子％；Ｌａ、ＧｄおよびＮｄよりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜１原子％；並びにＴａ、Ｎｂ、Ｒｅ、ＺｒおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する。 （もっと読む）

【課題】少ないマスク数で表示特性が良好な表示装置を作製する。
【解決手段】第１の導電膜と、該第１の導電膜上に絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜をこの順に積層した薄膜積層体と、を形成し、第１のエッチングにより前記第１の導電膜を露出させつつ、少なくとも前記薄膜積層体のパターンを形成し、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成し、第３のエッチングにより第２の導電膜を所望の形状とすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製し、この薄膜トランジスタを覆って保護膜を形成し、該保護膜に開口部を形成し、該保護膜上に画素電極層を選択的に形成することで前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極層と画素電極層を接続させる。そして、前記開口部の形成に際して不要な半導体層等をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、及び電子機器を提供する。また、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を挟持してなり、スイッチング素子基板１０の液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、および電子機器を提供する。また本発明は、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０および対向基板間に液晶層を挟持してなり、スイッチング素子基板ＴＦＴの液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極２２と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２を基板の厚さ方向に揺動させ、可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体層を薄膜トランジスターのチャネル領域として使用した場合でも薄膜トランジスターのオン／オフ比の低下やオン電流のばらつきが発生しない半導体装置の製造方法、半導体装置、該半導体装置を備えた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスター１ｃのチャネル領域７ｃを酸化物半導体層により構成するにあたって、高抵抗の酸化物半導体層からなる半導体層７ａを用いるため、プラズマの影響によって、半導体層７ａの抵抗値が低下する問題が発生しにくい。また、半導体層７ａに接するように易酸化性金属層５ａを形成しておき、加熱工程によって、半導体層７ａ（酸化物半導体層）から易酸化性金属層５ａに酸素を移動させるため、半導体層７ａの抵抗値を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】 製造に際し、当初、耐熱性の高い仮基板を用い、最終的に、耐熱性の低いフィルム基板を用い、仮基板を除去し、これにより得られた薄膜トランジスタパネルにおいて、画素電極（薄膜）が破損しにくいようにする。
【解決手段】 仮基板５１上に形成された分離層５２上に画素電極２を形成する。この場合、画素電極２下以外の領域における分離層５２が膜減りしたとしても、その上に下地絶縁膜１を形成し、仮基板５１および分離層５２を除去すると、下地絶縁膜１の下面に平板状の画素電極２が凹んだ状態で埋め込まれることになるので、画素電極２が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）

【課題】実質的な開口率が高くてノート型パソコンに適用可能であるとともに、表示品質がより一層良好なＭＶＡモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】１つの画素内に透過率−印加電圧特性が相互に異なる複数の副画素領域を有する液晶表示装置において、相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、第１及び第２の基板間に封入された液晶からなる液晶層と、液晶層中に形成されて電圧印加時における液晶分子の配向方向を決めるポリマーと、副画素領域のうち透過率−印加電圧特性のしきい値電圧が最も低い副画素領域又はそれに隣接する領域に配置されて液晶層の厚さを決定するスペーサ１６１とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性及び信頼性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁物（絶縁性酸化物、絶縁性窒化物、若しくは酸窒化シリコン、酸窒化アルミニウムなど）、代表的にはＳｉＯ_２を含む酸化物半導体ターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度が、ゲート電極に近い側からゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有する半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】基板上にダイを効率良く配置する。
【解決手段】フォトリソグラフィ及びエッチングによって、基体層及び平坦化膜を所定領域７０の周囲において除去し、所定領域７０を含むと共に、基体層の厚み方向から見て、構造物６２，６４に沿うように湾曲又は屈曲した側面を有する凸状部５１を形成する。次に、基体層を凸状部の周囲において厚み方向に分断することにより、凸状部５１を有するダイＤを形成する。その後、基板に貼り付けられたダイＤにおける基体層の一部を剥離層に沿って分離除去する。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を抑制した薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板ＧＡの上側に積層されるゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されるソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと、ゲート電極ＧＴとソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴとの間に積層されて、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴ間の電流を制御する第１半導体膜ＭＳと、第１半導体膜ＭＳの全体を上側から覆うように積層されてソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴとの間に介在する第２半導体膜ＡＳと、を含み、第１半導体膜ＭＳは、ゲート電極ＧＴと重複してゲート電極ＧＴの平面的に内側に位置するとともに、第２半導体膜ＡＳによってドレイン電極ＤＴ側の端部とソース電極ＳＴ側の端部とが被覆され、第２半導体膜ＡＳは、第１半導体膜ＭＳよりも小さい粒径の結晶で形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】静電気による薄膜トランジスタの破壊を防止することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線と、複数の薄膜トランジスタを有し、前記ドレイン線及び前記ゲート線に駆動信号を供給する駆動部と、該駆動部に外部から制御信号を入力する電極端子とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とに囲まれた領域を画素の領域とする表示装置の製造方法であって、前記駆動部の複数の薄膜トランジスタを形成する際に、前記画素の集合体である表示領域の外側領域に、前記複数の薄膜トランジスタを相互に接続し前記駆動信号の生成動作をさせる第１の配線と同一層の配線であり、かつ前記第１の配線とは異なる第２の配線を形成し、少なくとも一対の薄膜トランジスタを接続する工程と、前記薄膜トランジスタの形成後に、前記表示領域の外側領域において、前記第２の配線の切断する工程とを有する表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】封入孔から液晶を注入するさい、液晶と同時に異物が液晶表示パネル内に進入することを防止する。
【解決手段】封入孔に、開口部の高さを小さくする調整壁４０を設けて大きな異物が液晶表示パネル内に進入することを防止する。調整壁４０は、例えば、表示領域の有機パッシベーション膜１０８と同じ材料によって同じプロセスによって形成する。したがって、調整壁４０の形成のためにプロセスが追加となることは無い。特定の大きさよりも大きい異物の進入を押さえることによって表示領域における輝点を防止することが出来る。特に液晶表示パネルをタッチパネルとして使用する場合に、指等で液晶表示パネルの押したとき、ＴＦＴ基板１００の画素電極と対向基板２００の対向電極が異物によってショートすることを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）