【課題】高開口率な表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、保持容量とが設けられた画素と、走査線と、走査線に直交して設けられた信号線と、を有し、走査線の上方には、薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域が形成される部分と保持容量の下部電極となる部分とを有する半導体膜が設けられ、半導体膜上には絶縁膜が設けられ、半導体膜のチャネル形成領域となる部分の上方には、絶縁膜を介して走査線と電気的に接続されたゲート電極が設けられ、半導体膜の下部電極となる部分の上方には、絶縁膜を介して保持容量の上部電極が設けられ、半導体膜は、基板に平行であり、ゲート電極は、保持容量の上部電極より半導体膜を基準に高い場所に設けられ、ゲート電極及び上部電極の上方には、信号線が設けられている表示装置。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 被転写体上に形成するレジストパターンの段差形状をより精緻に制御する。
【解決手段】 透明基板上に、遮光部、透光部、第１半透光部及び第２半透光部を含む転写パターンが形成された多階調フォトマスクであって、露光光に対する第１半透光部の透過率が、露光光に対する第２半透光部の透過率よりも小さく、第１半透光部を透過する露光光と、第２半透光部を透過する露光光との干渉によって形成される光強度が、第１半透光部を透過する露光光の強度以上となるように、第１半透光部を透過する露光光と、第２半透光部を透過する露光光との位相差が制御されている。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、結晶粒の平均粒径が互いに異なり、各々優れたキャリア移動度を有する２種類の結晶質半導体膜を形成し、それら２種類の結晶質半導体膜を用いて異なる電気特性が要求される各半導体素子に所望の電気特性を得る。
【解決手段】基板１１上に非晶質半導体膜２４を成膜する非晶質膜成膜工程と、非晶質半導体膜２４の一部を溶融固化して結晶化することで第１結晶質半導体膜２４Ａを形成する第１結晶化工程と、残部の非晶質半導体膜２４を固相成長させることで第１結晶質半導体膜２４Ａよりも結晶粒の平均粒径が大きい第２結晶質半導体膜２４Ｂを形成する第２結晶化工程と、第１結晶質半導体膜２４Ａの結晶粒の平均粒径が第２結晶質半導体膜２４Ｂの結晶粒の平均粒径よりも小さい状態を維持しながら第１及び第２結晶質半導体膜２４Ｂを溶融固化することで再結晶化する再結晶化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、裏面照射によって紫外線の照射された半導体層部分を高導電率化するものであるため、半導体層へのダメージが生じないため信頼性が向上する。また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】櫛型状の電極を採用してジグザグ状のチャネル領域を形成したａ−ＳｉＴＦＴに
おいて、帯状凸部の形成数を抑制してもチャネル幅を長く形成することができ、それによ
り高速駆動が可能で、かつ電極の断線が抑制された信頼性の高いａ−ＳｉＴＦＴを提供す
ること。
【解決手段】ソース電極Ｓを、半導体層ａ−Ｓｉの表面において複数の凹凸部を描きなが
らジグザグに連なる１本の線形状に形成し、ドレイン電極Ｄを、半導体層ａ−Ｓｉと非重
畳の基幹部Ｄ_Ｎと、基幹部から分岐されて半導体層ａ−Ｓｉの側端部を乗り超えて半導体
層ａ−Ｓｉの表面に配置されると共に、ソース電極Ｓの電極の凹部にその先端部が挿入さ
れるように配置された複数の帯状凸部Ｄ_Ｔと、からなる櫛型状に形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの製造工程の簡略化が図れる電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層１８上に、防護層２２を形成した後に、該防護層２２上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。そして、次の現像工程において、アルカリ性現像液を用いて、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０を現像してレジストパターン３０Ｂ’を形成すると共に、防護層２２における該レジストパターン３０Ｂ’から露出している領域２２Ａを除去して防護層２２のエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚膜レジスト部２１と厚膜レジスト部よりも厚みの薄い薄膜レジスト部２２と、開口部２３とからなる膜厚差を有するパターンのレジスト層２０を設け、レジスト層２０の開口部の絶縁膜のエッチングと、レジスト層２０の薄膜レジスト部２２の除去と、薄膜レジスト部２２の下層の絶縁膜のエッチングとを同じエッチング工程で行うことにより、ゲートコンタクトホール８及びシリコンコンタクトホール９を共に形成してＴＦＴ基板１を製造した。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の還元および酸素欠陥による劣化を防止でき、これにより長期に安定した特性を維持可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】非晶質酸化物からなる酸化物半導体層７と、この酸化物半導体層７に接して設けられたソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄとを備えている。そして特に、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが、イリジウム（Ｉｒ）または酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）を用いて構成されている。また、酸化物半導体層７は、酸化物材料からなる絶縁ゲート絶縁膜５および絶縁膜１１で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面上にゲート電極と、酸化シリコンを含む酸化物半導体層と、ゲート電極と酸化物半導体層の間に絶縁層と、酸化シリコンを含む酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層との間にソース領域またはドレイン領域とを有し、ソース領域またはドレイン領域は、縮退した酸化物半導体材料または酸窒化物材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡単な回路構成で走査回路と複数の走査線との間の配線数を低減する。
【解決手段】１番目のトランジスタの第１電極は、第１群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、ｊ（１≦ｊ≦Ｎ−１）番目のトランジスタの制御電極は、第（ｊ＋１）群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、走査線駆動回路は、ｋ１個の第１群のゲート配線に対して、各グループ内の走査線を１水平走査期間毎に選択する第１選択走査電圧を出力し、 ｋ２個の第２群のゲート配線に対して、ｋ２個のグループを１単位とする２段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、ｋ１水平走査期間毎に選択する第２選択走査電圧を出力し、ｋ（ｍ＋１）（２≦ｍ≦Ｎ−１）個の第（ｍ＋１）群のゲート配線に対して、ｋｍ個の第ｍ段目のグループを１単位とする（ｍ＋１）段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、（ｋｍ×・・・×ｋ１）水平走査期間毎に選択する第ｍ選択走査電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接する半導体層と、半導体層の一部に接し、ソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、を有し、半導体層において、ゲート絶縁層側に形成されるドナーとなる不純物を含む微結晶半導体領域と、当該ドナーとなる不純物を含む微結晶半導体領域を覆う窒素を含む微結晶半導体領域とを有し、窒素を含む微結晶半導体領域は錐形状である。 （もっと読む）

【課題】主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が生じないようにすること。
【解決手段】本発明は、主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３と、少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３のうち両端の開口部Ｓ１、Ｓ３における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部Ｓ２における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部とを有する表示装置である。また、この表示装置を本体筐体に備える電子機器でもある。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶側の面の平坦化を損なうことなく、焼き付きの減少を図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第１の基板と第２の基板のうち前記第１の基板の液晶側の面の画素領域に、
透明導電膜からなる面状の第１の電極と、前記第１の電極を被って形成される第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に前記第１の電極と重ねて配置され透明導電膜からなる線状の複数の第１の電極と、が備えられ、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に印加される電圧によって液晶分子を前記第１基板に平行な面内で回転させて駆動する液晶表示装置であって、
前記第２の電極をも被って前記第１の絶縁膜上に形成される第２の絶縁膜を備え、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と同材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、表示装置、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ＳｉＮ膜からなる第１ゲート絶縁膜３１及び第１ゲート絶縁膜３１上に形成されたＳｉＮ酸化層からなる第２ゲート絶縁膜３３を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも第２ゲート絶縁膜３３と接する界面部に微結晶半導体膜（第１半導体層４１）が形成された半導体層４と、半導体層４上に、オーミックコンタクト膜６を介して形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）