表示装置および電子機器
【課題】主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が生じないようにすること。
【解決手段】本発明は、主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３と、少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３のうち両端の開口部Ｓ１、Ｓ３における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部Ｓ２における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部とを有する表示装置である。また、この表示装置を本体筐体に備える電子機器でもある。
【解決手段】本発明は、主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３と、少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３のうち両端の開口部Ｓ１、Ｓ３における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部Ｓ２における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部とを有する表示装置である。また、この表示装置を本体筐体に備える電子機器でもある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関する。詳しくは、主画素に異なる色を表示する複数の副画素が設けられ、この副画素が複数の開口に分割されている表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置では、有機ＥＬ発光層に異物等が存在すると発光しなくなる。これは、画素の電極間に異物が混入して電極間に電流のリークパスが形成され、画素全体が非発光となる現象である。また、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板）に異物が存在し、有機ＥＬ層への電流供給が遮断されることでも画素全体が非発光となる。
【０００３】
ＴＦＴ基板にマスクを用いて有機ＥＬ層を形成する場合には、異物の混入を完全に排除することはできない。実際にリークパスが生じている領域は画素の一部分であるため、１画素を複数の小画素に分割し、リークの無い残りの小画素を正常に発光させれば画素欠陥を低減させることが期待できる。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１では、１つの画素を複数の領域に分割する構成が開示されている。すなわち、１つの画素について複数のＴＦＴまたはＥＬ素子に分割するものである。これにより、分割した領域の何れかにリークパスが生じても、またはＥＬ素子への電流供給が遮断されても、他の分割領域が発光（点灯）を維持できることになる。この場合、通常画素に対してＥＬ素子の発光面積は減少するが、完全な黒点欠陥とはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２８６０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の表示装置のように、１つの主画素の開口面積を単純に均等分割しただけでは、端部に配置される開口に欠陥があった場合、発光を維持している開口から隣接画素の発光領域までの距離が長くなってしまう。これにより、中央の開口に欠陥がある場合に比べ黒（非発光）の領域が広がるため、滅点として視認されやすくという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が生じないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部と、少なくとも３つの開口部のうち両端の開口部における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部とを有する表示装置である。また、この表示装置を本体筐体に備える電子機器でもある。
【０００９】
このような本発明では、少なくとも３つの開口部のうち何れか１つに対応した画素が不良となっても、隣接する正常画素の間隔をほぼ均等にすることができる。
【００１０】
具体的には、両端以外の開口部と隣接する開口部との間隔をａ、両端のうち一方の開口部と一方向に隣接する主画素における両端のうち一方の開口部との間隔をｂ、両端のうち一方の開口部の一方向に沿った開口長さをＬｅ、両端以外の開口部の一方向に沿った開口長さをＬｓとした場合、ａ＜ｂを満たしていたり、さらに、Ｌｅ＋ａ＋ｂ＝Ｌｓ＋２ａを満たすものである。
【００１１】
これにより、少なくとも３つの開口部のうち何れかの開口部に対応した画素が不良となっても、不良箇所に隣接する正常画素の間隔をほぼ均等にすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が発生せず、高歩留りとなる表示装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る表示装置の概要を説明する模式平面図である。
【図２】本実施形態に係る表示装置の模式断面図である。
【図３】比較例における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。
【図４】比較例における画素部の開口を説明する平面図である。
【図５】本実施形態における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。
【図６】本実施形態における画素部の開口を説明する平面図である。
【図７】本実施形態の表示装置における画素部の回路構成を説明する回路図である。
【図８】比較例における開口の具体例を説明する平面図である。
【図９】本実施形態における開口の具体例を説明する平面図である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その１）を説明する平面図である。
【図１１】本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その２）を説明する平面図である。
【図１２】本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１３】本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す斜視図である。
【図１４】本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１５】本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１６】本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．表示装置の概要（全体構成、断面構造）
２．画素部の構成（比較例、本実施形態の基本構成、回路構成）
３．具体例（比較例、本実施形態、具体例：その１、その２）
４．適用例
【００１５】
＜１．表示装置の概要＞
［全体構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置の全体構成の概要を説明する模式平面図である。すなわち、表示装置１は、例えばガラス基板等の支持基板の略中央に設けられる表示領域１０、表示領域１０の周辺に配置される電源供給部２０、信号線入力部２１、走査信号入力部２４、電源制御信号入力部２５を備えている。
【００１６】
表示領域１０は、複数の画素部３０が縦横マトリクス状に配置されており、カラー画像を表示する表示装置では、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した画素部３０の組みによって表示画素が構成されている。
【００１７】
各画素部３０には、駆動トランジスタを備える駆動部３１ａが設けられている。駆動部３１ａの駆動トランジスタは基板上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）から成り、画素部３０に設けられる駆動対象を電圧印加によって駆動する。
【００１８】
画素部３０の駆動対象が有機ＥＬ（Electro Luminescence）発光層の場合には、各色に対応した有機ＥＬ発光層に与える電界を駆動トランジスタによって制御し、画素部３０の駆動対象が液晶層の場合には、液晶に与える電界を駆動トランジスタによって制御する。
【００１９】
駆動トランジスタには電源制御線２２や走査線２３が接続されており、走査信号入力部２４によって表示領域１０の駆動トランジスタを順次駆動することによって画像表示を行うことになる。
【００２０】
すなわち、走査線２３によって選択された水平画素列に電源制御線２２から電源電圧が供給され、信号線入力部２１から信号線２６を介して垂直画素列方向に入力された画素信号に応じて該当画素の表示が行われる。そして、走査線２３による水平画素列の選択および信号線２６からの画素信号の入力を同期させることで、表示領域１０を駆動し、画像の表示を行うことになる。
【００２１】
駆動基板１を製造するには、支持基板上に半導体層、絶縁膜層等の各層をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の成膜工程によって形成し、不純物注入工程、フォトリソグラフィ工程等によって駆動素子の形成、配線パターニングを行う。
【００２２】
［断面構造］
図２は、画素部の駆動トランジスタの構成例を説明する模式断面図である。すなわち、ガラス基板４０の内に第１の金属層であるゲート電極Ｔｒｇが形成され、その上にゲート絶縁膜４１を介して半導体層４２が形成されている。
【００２３】
半導体層４２は、非晶質シリコンがレーザ光照射によってアニールされ結晶化されたものである。半導体層４２の上にはエッチングストッパー４３を介して左右にｎ＋層が形成されている。このｎ＋層を介して第２の金属層であるソース電極Ｔｒｓおよびドレイン電極Ｔｒｄが形成されている。
【００２４】
駆動トランジスタ３１の上にはパッシベーション膜４４が形成され、その上に形成される絶縁平坦化膜４５を介してアノード電極５１が形成されている。
【００２５】
また、アノード電極５１の上には開口を構成する開口部規定絶縁膜４６が形成され、アノード電極５１上の開口内に有機ＥＬ層が形成される。さらに、有機ＥＬ層の上にカソード電極５２が前面に形成される。
【００２６】
＜２．画素部の構成＞
次に、本実施形態の表示装置における画素部の構成を説明する。なお、本実施形態の表示装置の画素部の構成を分かりやすくするため、比較例とともに説明する。
【００２７】
［比較例］
図３は、比較例における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。図３では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれか一色に対応した主画素一つ分のトランジスタ構成を示している。この画素部では、１つの主画素内に３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が設けられ、これらに対応して３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が設けられている。
【００２８】
この主画素では、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のゲート電極が共通となって走査線２３に接続されている。また、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のドレイン電極が共通となって信号線２６に接続されている。また、駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のドレイン電極が共通となって電源制御線２２に接続されている。これにより、主画素では、３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が同時に動作することになる。
【００２９】
図４は、比較例における画素部の開口を説明する平面図である。この平面図では、図３に示す主画素一つ分のトランジスタ構成に対応したアノード電極５１および開口のレイアウトを示している。アノード電極５１は、図３に示す各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のソース電極とコンタクトを介して接続されている。図３に示す例では３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３があることから、これらの各々に対応して３つのアノード電極５１が設けられている。
【００３０】
また、３つのアノード電極５１の内側領域に第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３が設けられている。第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３は、開口部規定絶縁膜４６によって開口サイズが決定する。なお、ここでは開口サイズを決定する構成として開口部規定絶縁膜４６を用いているが、上層に設けられる遮光膜を開口規定部として用いてもよい。この各開口部Ｓ１〜Ｓ３から発光光が出射されることになる。
【００３１】
比較例では、第１の開口部Ｓ１の開口サイズをＷ１、第２の開口部Ｓ２の開口サイズをＷ３、第３の開口部Ｓ３の開口サイズをＷ３とした場合、Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３となっており、各開口が均等サイズに設けられている。
【００３２】
［本実施形態の基本構成］
図５は、本実施形態における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。図５では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれか一色に対応した主画素一つ分のトランジスタ構成を示している。この画素部では、１つの主画素内に３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が設けられ、これらに対応して３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が設けられている。
【００３３】
この主画素では、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のゲート電極が共通となって走査線２３に接続されている。また、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のドレイン電極が共通となって信号線２６に接続されている。また、駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のドレイン電極が共通となって電源制御線２２に接続されている。これにより、主画素では、３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が同時に動作することになる。
【００３４】
図６は、本実施形態における画素部の開口を説明する平面図である。この平面図では、図５に示す主画素一つ分のトランジスタ構成に対応したアノード電極５１および開口のレイアウトを示している。アノード電極５１は、図５に示す各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のソース電極とコンタクトを介して接続されている。図５に示す例では３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３があることから、これらの各々に対応して３つのアノード電極５１が設けられている。
【００３５】
また、３つのアノード電極５１の内側領域に第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３が設けられている。第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３は、開口部規定絶縁膜４６によって開口サイズが決定する。なお、ここでは開口サイズを決定する構成として開口部規定絶縁膜４６を用いているが、上層に設けられる遮光膜を開口規定部として用いてもよい。この各開口部Ｓ１〜Ｓ３から発光光が出射されることになる。
【００３６】
本実施形態では、第１の開口部Ｓ１の開口サイズをＷ１、第２の開口部Ｓ２の開口サイズをＷ３、第３の開口部Ｓ３の開口サイズをＷ３とした場合、Ｗ２がＷ１およびＷ３より大きくなっている。すなわち、先に説明した比較例ではＷ１、Ｗ２、Ｗ３が等しく設けられているが、本実施形態では両端に配置される開口サイズＷ１、Ｗ３に比べ、両端以外の開口サイズＷ２が大きくなるよう設けている。
【００３７】
［回路構成］
図７は、本実施形態の表示装置における画素部の回路構成を説明する回路図である。本実施形態では、主画素に３つの開口が設けられ、各開口に対応して３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３および３つの保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が設けられている。
【００３８】
各書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のゲート電極は図示しない走査線に接続され、各書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のドレイン電極は信号線２６に接続されている。
【００３９】
また、各書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のソース電極は、各々対応する駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のゲート電極に接続されている。また、各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のドレイン電極は共通で電源制御線に接続され、電源電圧が供給される。各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のソース電極は有機ＥＬ発光層のアノード電極に接続される。有機ＥＬ発光層のカソード電極は共通で接地となっている。また、各保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３は、各々対応する駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のゲート−ソース間に接続されている。
【００４０】
このような回路構成では、走査線に信号が入力されると３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３がＯＮとなり、信号線２６から信号が各保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３に蓄積される。また、この信号に応じて駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が動作し、信号に応じた電圧が有機ＥＬ発光層のアノード電極に印加される。この電圧によって有機ＥＬ発光層が発光することになる。
【００４１】
＜３．具体例＞
次に、画素部における開口の具体例を説明する。この具体例の説明も、本実施形態を分かりやすくするため、比較例とともに説明を行う。
【００４２】
［比較例］
図８は、比較例における開口の具体例を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口は同じであるため、ここでは主画素Ｐ−１を用いて開口のレイアウトを説明する。
【００４３】
主画素Ｐ−１には、３つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３が設けられている。１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、各々一つの色に対応した発光を行う。例えば、副画素ｐ１は、Ｒ（赤）に対応した発光を行い、副画素ｐ２は、Ｇ（緑）に対応した発光を行い、副画素ｐ３は、Ｂ（青）に対応した発光を行う。
【００４４】
１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、対応する色に応じて３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が一方向（図中縦方向）に並ぶレイアウトとなっている。各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズは開口規定部Ｋ（例えば、開口部規定絶縁膜や遮光膜）によって規定される。比較例では、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズが等しく設けられている。
【００４５】
各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に設けられた３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、各色に対応して同時に発光する。すなわち、主画素Ｐ−１のＲ（赤）が発光する場合には、Ｒ（赤）に対応した副画素ｐ１の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発光が行われる。同様に、主画素Ｐ−１のＧ（緑）が発光する場合には、Ｇ（緑）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。また、同様に、主画素Ｐ−１のＢ（青）が発光する場合には、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。
【００４６】
ここで、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３の３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち、何れか１つに発光不良が発生した場合を説明する。発光不良は、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に対応したトランジスタの不良や有機ＥＬ発光層の電極間不良等が原因で起こる。以下の説明では、開口に対応したトランジスタや有機ＥＬ発光層の不良等で生じる発光不良を、単に開口の発光不良と表現するものとする。
【００４７】
例えば、図８に示すＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の、下側の端部に配置される開口部Ｓ３が発光不良となったとする。この場合、開口部Ｓ３が発光しないことによって、正常に発光する開口の間隔は、発光不良の開口部Ｓ３に対して上側に隣接する開口部Ｓ２と、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の開口部Ｓ１との距離Ｄとなる。なお、ここではＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の開口部Ｓ３が発光不良となる場合を例としたが、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２、ｐ３の開口部Ｓ３であっても同様である。
【００４８】
［本実施形態］
図９は、本実施形態における開口の具体例を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口は同じであるため、ここでは主画素Ｐ−１を用いて開口のレイアウトを説明する。
【００４９】
主画素Ｐ−１には、３つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３が設けられている。１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、各々一つの色に対応した発光を行う。例えば、副画素ｐ１は、Ｒ（赤）に対応した発光を行い、副画素ｐ２は、Ｇ（緑）に対応した発光を行い、副画素ｐ３は、Ｂ（青）に対応した発光を行う。
【００５０】
１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、対応する色に応じて３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が一方向（図中縦方向）に並ぶレイアウトとなっている。各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズは、開口規定部Ｋ（例えば、開口部規定絶縁膜や遮光膜）によって規定される。本実施形態では、３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち両端の開口部Ｓ１、Ｓ３の開口サイズより、両端以外の開口部Ｓ２の開口サイズが大きくなるように設けられている。
【００５１】
各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に設けられた３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、各色に対応して同時に発光する。すなわち、主画素Ｐ−１のＲ（赤）が発光する場合には、Ｒ（赤）に対応した副画素ｐ１の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発光が行われる。同様に、主画素Ｐ−１のＧ（緑）が発光する場合には、Ｇ（緑）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。また、同様に、主画素Ｐ−１のＢ（青）が発光する場合には、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。
【００５２】
ここで、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３の３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち、何れか１つに発光不良が発生した場合を説明する。発光不良は、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に対応したトランジスタの不良や有機ＥＬ発光層の電極間不良等が原因で起こる。
【００５３】
例えば、図９に示すＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の、下側の端部に配置される開口部Ｓ３が発光不良となったとする。この場合、開口部Ｓ３が発光しないことによって、正常に発光する開口の間隔は、発光不良の開口部Ｓ３に対して上側に隣接する開口部Ｓ２と、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の開口部Ｓ１との距離Ｄ’となる。なお、ここではＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の開口部Ｓ３が発光不良となる場合を例としたが、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２、ｐ３の開口部Ｓ３であっても同様である。
【００５４】
本実施形態と比較例とを対比すると、同じＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の開口部Ｓ３が発光不良となった場合、正常に発光する開口の間隔は、比較例がＤであるのに対し、本実施形態ではＤ’となる。本実施形態での間隔Ｄ’は、比較例での間隔Ｄより短くなる。これは、本実施形態では、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３内に構成される開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズが不均等であり、端部の開口部Ｓ１、Ｓ３に対して端部以外の開口部Ｓ２の開口サイズが大きくなっているためである。このため、本実施形態では、開口部Ｓ３の発光不良が生じた場合の非発光となる領域、すなわち間隔Ｄ’が比較例の間隔Ｄに比べて短くなり、非発光として視認され難くなる。
【００５５】
次に、本実施形態に係る表示装置の開口の具体例を説明する。
【００５６】
［本実施形態の詳しい具体例：その１］
図１０は、本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その１）を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。図１０に示す開口のレイアウトは、図９に示す開口のレイアウトと同様、主画素Ｐ−１、Ｐ−２内に構成される副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に各々３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が一方向（図中縦方向）に並んだ配置となっている。各開口部Ｓ１〜Ｓ３の大きさは、開口規定部Ｋによって規定される。
【００５７】
ここで、図１０に示す詳しい具体例では、図９に示す具体例と同様な開口のレイアウトとなっているため、主画素Ｐ−１、Ｐ−２、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３および開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の詳細説明は省略する。したがって、以下では、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３およびこれらの間隔についての寸法構成を詳細に説明する。また、各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３について開口のレイアウトは同じであるため、副画素ｐ１を用いて説明を行う。
【００５８】
図１０に示す例で説明に用いる寸法としては、図中縦方向（開口部Ｓ１〜Ｓ３の並びの方向）に沿った長さを用いる。この方向に沿った長さとして、開口部Ｓ１の開口長さをＬ１、開口部Ｓ２の開口長さをＬ２、開口部Ｓ３の開口長さをＬ３とする。また、開口部Ｓ１と開口部Ｓ２との間隔および開口部Ｓ２と開口部Ｓ３との間隔をａとする。また、開口部Ｓ３と下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素の開口部Ｓ１との間隔をｂとする。また、主画素Ｐ−１の長さをＬとする。
【００５９】
図１０に示す例では、副画素ｐ１の上端部に配置される開口部Ｓ１の開口サイズＬ１と、下端部に配置される開口部Ｓ３の開口サイズＬ３とが等しくなっている。
Ｌ１＝Ｌ３
【００６０】
また、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２の開口サイズＬ２は、端部の開口部Ｓ１、Ｓ３の開口サイズＬ１、Ｌ３より大きくなっている。
Ｌ２＞Ｌ１，Ｌ２＞Ｌ３
【００６１】
また、副画素ｐ１内での開口部Ｓ１と開口部Ｓ２との間隔ａおよび開口部Ｓ２と開口部Ｓ３との間隔ａは、上下で隣接する主画素Ｐ−１の副画素ｐ１の下端部の開口部Ｓ３と、主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１との間隔ｂより小さくなっている。
ａ＜ｂ
【００６２】
さらに、開口部Ｓ３の開口サイズＬ３と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ｂとの和は、開口部Ｓ２の開口サイズＬ２と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ａとの和と等しくなっている。
Ｌ３＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａ
【００６３】
また、副画素ｐ１内の３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の図中横方向に沿った開口長さは等しくなっている。また、主画素Ｐ−１の長さＬは、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋２ａ＋ｂとなっている。
【００６４】
このような関係により、本実施形態では、３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち何れか１つが発光不良となっても、隣接する正常発光の開口の間隔をほぼ均等にすることができる。
【００６５】
例えば、副画素ｐ１の下端部に配置される開口部Ｓ３が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ３の開口サイズＬ３と、上下の間隔ａ、ｂとを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ３が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ２の下端から、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ３＋ａ＋ｂで表される。
【００６６】
一方、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ２の開口サイズＬ２と、上下の各間隔ａを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ２が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ１の下端から、下側に隣接する開口部Ｓ３の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ２＋２ａである。
【００６７】
本実施形態では、開口部Ｓ３が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ３＋ａ＋ｂと、開口部Ｓ２が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ２＋２ａとが等しくなっている。
【００６８】
これにより、副画素ｐ１内に設けられる３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち、どの開口が発光不良となっても、それに上下に隣接する正常発光の開口の間隔を等しくできる。つまり、どの開口が発光不良となっても、発光不良領域が等しくなるため、開口の場所による非発光の視認性に差が生じないことになる。
【００６９】
ここで、上記では、Ｌ３＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａとなる例を説明したが、Ｌ３＋ａ＋ｂ≦Ｌ２＋２ａとなっていてもよい。この関係式では、Ｌ３＋ａ＋ｂ＜Ｌ２＋２ａも含まれるが、この場合、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２が発光不良となっても、正常発光している開口部Ｓ１、Ｓ３の発光輝度を高めることで、非発光の視認性の差を補間することができる。
【００７０】
［本実施形態の詳しい具体例：その２］
図１１は、本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その２）を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。図１１に示す開口のレイアウトは、主画素Ｐ−１、Ｐ−２内に構成される副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に各々４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が一方向（図中縦方向）に並んだ配置となっている。各開口部Ｓ１〜Ｓ４の大きさは、開口規定部Ｋによって規定される。
【００７１】
以下では、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４およびこれらの間隔についての寸法構成を詳細に説明する。また、各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３について開口のレイアウトは同じであるため、副画素ｐ１を用いて説明を行う。
【００７２】
図１１に示す例で説明に用いる寸法としては、図中縦方向（開口部Ｓ１〜Ｓ４の並びの方向）に沿った長さを用いる。この方向に沿った長さとして、開口部Ｓ１の開口長さをＬ１、開口部Ｓ２の開口長さをＬ２、開口部Ｓ３の開口長さをＬ３、開口部Ｓ４の開口長さをＬ４とする。また、開口部Ｓ１と開口部Ｓ２との間隔および開口部Ｓ２と開口部Ｓ３との間隔および開口部Ｓ３と開口部Ｓ４との間隔をａとする。また、開口部Ｓ４と下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素の開口部Ｓ１との間隔をｂとする。また、主画素Ｐ−１の長さをＬとする。
【００７３】
図１１に示す例では、副画素ｐ１の上端部に配置される開口部Ｓ１の開口サイズＬ１と、下端部に配置される開口部Ｓ４の開口サイズＬ４とが等しくなっている。
Ｌ１＝Ｌ４
【００７４】
また、副画素ｐ１の両端以外に配置される開口部Ｓ２の開口サイズＬ２と、開口部Ｓ３の開口サイズＬ３とが等しくなっている。
Ｌ２＝Ｌ３
【００７５】
また、副画素ｐ１の両端以外に配置される開口部Ｓ２、Ｓ３の開口サイズＬ２、Ｌ３は、端部の開口部Ｓ１、Ｓ４の開口サイズＬ１、Ｌ４より大きくなっている。
Ｌ２＝Ｌ３＞Ｌ１＝Ｌ４
【００７６】
また、副画素ｐ１内での開口部Ｓ１〜Ｓ４の各々の間隔ａは、上下で隣接する主画素Ｐ−１の副画素ｐ１の下端部の開口部Ｓ４と、主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１との間隔ｂより小さくなっている。
ａ＜ｂ
【００７７】
さらに、開口部Ｓ４の開口サイズＬ４と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ｂとの和は、開口部Ｓ２もしくは開口部Ｓ３の開口サイズＬ２もしくはＬ３と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ａとの和と等しくなっている。
Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａ
Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ３＋２ａ
【００７８】
また、副画素ｐ１内の４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の図中横方向に沿った開口長さは等しくなっている。また、主画素Ｐ−１の長さＬは、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４＋３ａ＋ｂとなっている。
【００７９】
このような関係により、本実施形態では、４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち何れか１つが発光不良となっても、隣接する正常発光の開口の間隔をほぼ均等にすることができる。
【００８０】
例えば、副画素ｐ１の下端部に配置される開口部Ｓ４が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ４の開口サイズＬ４と、上下の間隔ａ、ｂとを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ４が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ３の下端から、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ４＋ａ＋ｂで表される。
【００８１】
一方、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２もしくはＳ３が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ２の開口サイズＬ２もしくは開口部Ｓ３の開口サイズＬ３と、上下の各間隔ａを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ２が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ１の下端から、下側に隣接する開口部Ｓ３の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ２＋２ａである。また、開口部Ｓ３が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ２の下端から、下側に隣接する開口部Ｓ４の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ３＋２ａである。
【００８２】
本実施形態では、開口部Ｓ４が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ４＋ａ＋ｂと、開口部Ｓ２または開口部Ｓ３が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ２＋２ａまたはＬ３＋２ａとが等しくなっている。
【００８３】
このように、副画素ｐ１に４つの開口部Ｓ１〜Ｓ４が設けられている場合でも、３つの開口の場合と同様の効果を得ることができる。すなわち、４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち何れか１つが発光不良となっても、隣接する正常発光の開口の間隔をほぼ均等にすることができる。したがって、どの開口が発光不良となっても、発光不良領域が等しくなるため、開口の場所による非発光の視認性に差が生じないことになる。
【００８４】
ここで、上記では、Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａ、Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ３＋２ａとなる例を説明したが、Ｌ４＋ａ＋ｂ≦Ｌ２＋２ａ、Ｌ４＋ａ＋ｂ≦Ｌ３＋２ａとなっていてもよい。この関係式では、Ｌ４＋ａ＋ｂ＜Ｌ２＋２ａ、Ｌ４＋ａ＋ｂ＜Ｌ３＋２ａも含まれるが、先と同様、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２やＳ３が発光不良となっても、正常発光している開口部の発光輝度を高めることで、非発光の視認性の差を補間することができる。
【００８５】
なお、上記説明した３つの開口の場合および４つの開口の場合のほか、５つ以上の開口を有する場合にも同様な考え方を適用することができ、これにより同様な効果を得られることになる。
【００８６】
＜４．適用例＞
以上説明した本実施形態に係る表示装置は、本体筐体に設けられることで種々の電子機器として適用可能である。一例として、図１２〜図１６に示す様々な電子機器に適用される。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００８７】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本実施形態に係る表示装置を用いることにより、表示画像の画質向上を図ることができるために、各種の電子機器において、良質な画像表示を行うことができる利点がある。
【００８８】
なお、本実施形態に係る表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部１０２に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、さらには、遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【００８９】
以下に、本実施形態の表示装置が適用される電子機器の具体例について説明する。
【００９０】
図１２は、本実施形態が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビテレビジョンセットは、フロントパネル１０８やフィルターガラス１０９等から構成される映像表示画面部１０７を含み、その映像表示画面部１０７として本実施形態による表示装置を用いることにより作成される。
【００９１】
図１３は、本実施形態が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【００９２】
図１４は、本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【００９３】
図１５は、本実施形態が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【００９４】
図１６は、本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上部筐体１４１、下部筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【符号の説明】
【００９５】
１…表示装置、１０…表示領域、２０…電源供給部、２１…信号線入力部、２２…電源制御線、２３…走査線、３０…画素部、Ｋ…開口規定部、Ｐ…主画素、ｐ…副画素、Ｓ…開口部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関する。詳しくは、主画素に異なる色を表示する複数の副画素が設けられ、この副画素が複数の開口に分割されている表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置では、有機ＥＬ発光層に異物等が存在すると発光しなくなる。これは、画素の電極間に異物が混入して電極間に電流のリークパスが形成され、画素全体が非発光となる現象である。また、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板）に異物が存在し、有機ＥＬ層への電流供給が遮断されることでも画素全体が非発光となる。
【０００３】
ＴＦＴ基板にマスクを用いて有機ＥＬ層を形成する場合には、異物の混入を完全に排除することはできない。実際にリークパスが生じている領域は画素の一部分であるため、１画素を複数の小画素に分割し、リークの無い残りの小画素を正常に発光させれば画素欠陥を低減させることが期待できる。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１では、１つの画素を複数の領域に分割する構成が開示されている。すなわち、１つの画素について複数のＴＦＴまたはＥＬ素子に分割するものである。これにより、分割した領域の何れかにリークパスが生じても、またはＥＬ素子への電流供給が遮断されても、他の分割領域が発光（点灯）を維持できることになる。この場合、通常画素に対してＥＬ素子の発光面積は減少するが、完全な黒点欠陥とはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２８６０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の表示装置のように、１つの主画素の開口面積を単純に均等分割しただけでは、端部に配置される開口に欠陥があった場合、発光を維持している開口から隣接画素の発光領域までの距離が長くなってしまう。これにより、中央の開口に欠陥がある場合に比べ黒（非発光）の領域が広がるため、滅点として視認されやすくという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が生じないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部と、少なくとも３つの開口部のうち両端の開口部における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部とを有する表示装置である。また、この表示装置を本体筐体に備える電子機器でもある。
【０００９】
このような本発明では、少なくとも３つの開口部のうち何れか１つに対応した画素が不良となっても、隣接する正常画素の間隔をほぼ均等にすることができる。
【００１０】
具体的には、両端以外の開口部と隣接する開口部との間隔をａ、両端のうち一方の開口部と一方向に隣接する主画素における両端のうち一方の開口部との間隔をｂ、両端のうち一方の開口部の一方向に沿った開口長さをＬｅ、両端以外の開口部の一方向に沿った開口長さをＬｓとした場合、ａ＜ｂを満たしていたり、さらに、Ｌｅ＋ａ＋ｂ＝Ｌｓ＋２ａを満たすものである。
【００１１】
これにより、少なくとも３つの開口部のうち何れかの開口部に対応した画素が不良となっても、不良箇所に隣接する正常画素の間隔をほぼ均等にすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が発生せず、高歩留りとなる表示装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る表示装置の概要を説明する模式平面図である。
【図２】本実施形態に係る表示装置の模式断面図である。
【図３】比較例における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。
【図４】比較例における画素部の開口を説明する平面図である。
【図５】本実施形態における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。
【図６】本実施形態における画素部の開口を説明する平面図である。
【図７】本実施形態の表示装置における画素部の回路構成を説明する回路図である。
【図８】比較例における開口の具体例を説明する平面図である。
【図９】本実施形態における開口の具体例を説明する平面図である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その１）を説明する平面図である。
【図１１】本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その２）を説明する平面図である。
【図１２】本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１３】本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す斜視図である。
【図１４】本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１５】本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１６】本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．表示装置の概要（全体構成、断面構造）
２．画素部の構成（比較例、本実施形態の基本構成、回路構成）
３．具体例（比較例、本実施形態、具体例：その１、その２）
４．適用例
【００１５】
＜１．表示装置の概要＞
［全体構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置の全体構成の概要を説明する模式平面図である。すなわち、表示装置１は、例えばガラス基板等の支持基板の略中央に設けられる表示領域１０、表示領域１０の周辺に配置される電源供給部２０、信号線入力部２１、走査信号入力部２４、電源制御信号入力部２５を備えている。
【００１６】
表示領域１０は、複数の画素部３０が縦横マトリクス状に配置されており、カラー画像を表示する表示装置では、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した画素部３０の組みによって表示画素が構成されている。
【００１７】
各画素部３０には、駆動トランジスタを備える駆動部３１ａが設けられている。駆動部３１ａの駆動トランジスタは基板上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）から成り、画素部３０に設けられる駆動対象を電圧印加によって駆動する。
【００１８】
画素部３０の駆動対象が有機ＥＬ（Electro Luminescence）発光層の場合には、各色に対応した有機ＥＬ発光層に与える電界を駆動トランジスタによって制御し、画素部３０の駆動対象が液晶層の場合には、液晶に与える電界を駆動トランジスタによって制御する。
【００１９】
駆動トランジスタには電源制御線２２や走査線２３が接続されており、走査信号入力部２４によって表示領域１０の駆動トランジスタを順次駆動することによって画像表示を行うことになる。
【００２０】
すなわち、走査線２３によって選択された水平画素列に電源制御線２２から電源電圧が供給され、信号線入力部２１から信号線２６を介して垂直画素列方向に入力された画素信号に応じて該当画素の表示が行われる。そして、走査線２３による水平画素列の選択および信号線２６からの画素信号の入力を同期させることで、表示領域１０を駆動し、画像の表示を行うことになる。
【００２１】
駆動基板１を製造するには、支持基板上に半導体層、絶縁膜層等の各層をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の成膜工程によって形成し、不純物注入工程、フォトリソグラフィ工程等によって駆動素子の形成、配線パターニングを行う。
【００２２】
［断面構造］
図２は、画素部の駆動トランジスタの構成例を説明する模式断面図である。すなわち、ガラス基板４０の内に第１の金属層であるゲート電極Ｔｒｇが形成され、その上にゲート絶縁膜４１を介して半導体層４２が形成されている。
【００２３】
半導体層４２は、非晶質シリコンがレーザ光照射によってアニールされ結晶化されたものである。半導体層４２の上にはエッチングストッパー４３を介して左右にｎ＋層が形成されている。このｎ＋層を介して第２の金属層であるソース電極Ｔｒｓおよびドレイン電極Ｔｒｄが形成されている。
【００２４】
駆動トランジスタ３１の上にはパッシベーション膜４４が形成され、その上に形成される絶縁平坦化膜４５を介してアノード電極５１が形成されている。
【００２５】
また、アノード電極５１の上には開口を構成する開口部規定絶縁膜４６が形成され、アノード電極５１上の開口内に有機ＥＬ層が形成される。さらに、有機ＥＬ層の上にカソード電極５２が前面に形成される。
【００２６】
＜２．画素部の構成＞
次に、本実施形態の表示装置における画素部の構成を説明する。なお、本実施形態の表示装置の画素部の構成を分かりやすくするため、比較例とともに説明する。
【００２７】
［比較例］
図３は、比較例における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。図３では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれか一色に対応した主画素一つ分のトランジスタ構成を示している。この画素部では、１つの主画素内に３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が設けられ、これらに対応して３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が設けられている。
【００２８】
この主画素では、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のゲート電極が共通となって走査線２３に接続されている。また、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のドレイン電極が共通となって信号線２６に接続されている。また、駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のドレイン電極が共通となって電源制御線２２に接続されている。これにより、主画素では、３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が同時に動作することになる。
【００２９】
図４は、比較例における画素部の開口を説明する平面図である。この平面図では、図３に示す主画素一つ分のトランジスタ構成に対応したアノード電極５１および開口のレイアウトを示している。アノード電極５１は、図３に示す各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のソース電極とコンタクトを介して接続されている。図３に示す例では３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３があることから、これらの各々に対応して３つのアノード電極５１が設けられている。
【００３０】
また、３つのアノード電極５１の内側領域に第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３が設けられている。第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３は、開口部規定絶縁膜４６によって開口サイズが決定する。なお、ここでは開口サイズを決定する構成として開口部規定絶縁膜４６を用いているが、上層に設けられる遮光膜を開口規定部として用いてもよい。この各開口部Ｓ１〜Ｓ３から発光光が出射されることになる。
【００３１】
比較例では、第１の開口部Ｓ１の開口サイズをＷ１、第２の開口部Ｓ２の開口サイズをＷ３、第３の開口部Ｓ３の開口サイズをＷ３とした場合、Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３となっており、各開口が均等サイズに設けられている。
【００３２】
［本実施形態の基本構成］
図５は、本実施形態における画素部のトランジスタ構成を説明する平面図である。図５では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれか一色に対応した主画素一つ分のトランジスタ構成を示している。この画素部では、１つの主画素内に３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が設けられ、これらに対応して３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が設けられている。
【００３３】
この主画素では、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のゲート電極が共通となって走査線２３に接続されている。また、書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のドレイン電極が共通となって信号線２６に接続されている。また、駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のドレイン電極が共通となって電源制御線２２に接続されている。これにより、主画素では、３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が同時に動作することになる。
【００３４】
図６は、本実施形態における画素部の開口を説明する平面図である。この平面図では、図５に示す主画素一つ分のトランジスタ構成に対応したアノード電極５１および開口のレイアウトを示している。アノード電極５１は、図５に示す各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のソース電極とコンタクトを介して接続されている。図５に示す例では３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３があることから、これらの各々に対応して３つのアノード電極５１が設けられている。
【００３５】
また、３つのアノード電極５１の内側領域に第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３が設けられている。第１の開口部Ｓ１、第２の開口部Ｓ２、第３の開口部Ｓ３は、開口部規定絶縁膜４６によって開口サイズが決定する。なお、ここでは開口サイズを決定する構成として開口部規定絶縁膜４６を用いているが、上層に設けられる遮光膜を開口規定部として用いてもよい。この各開口部Ｓ１〜Ｓ３から発光光が出射されることになる。
【００３６】
本実施形態では、第１の開口部Ｓ１の開口サイズをＷ１、第２の開口部Ｓ２の開口サイズをＷ３、第３の開口部Ｓ３の開口サイズをＷ３とした場合、Ｗ２がＷ１およびＷ３より大きくなっている。すなわち、先に説明した比較例ではＷ１、Ｗ２、Ｗ３が等しく設けられているが、本実施形態では両端に配置される開口サイズＷ１、Ｗ３に比べ、両端以外の開口サイズＷ２が大きくなるよう設けている。
【００３７】
［回路構成］
図７は、本実施形態の表示装置における画素部の回路構成を説明する回路図である。本実施形態では、主画素に３つの開口が設けられ、各開口に対応して３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３および３つの駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３および３つの保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が設けられている。
【００３８】
各書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のゲート電極は図示しない走査線に接続され、各書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のドレイン電極は信号線２６に接続されている。
【００３９】
また、各書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３のソース電極は、各々対応する駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のゲート電極に接続されている。また、各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のドレイン電極は共通で電源制御線に接続され、電源電圧が供給される。各駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のソース電極は有機ＥＬ発光層のアノード電極に接続される。有機ＥＬ発光層のカソード電極は共通で接地となっている。また、各保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３は、各々対応する駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３のゲート−ソース間に接続されている。
【００４０】
このような回路構成では、走査線に信号が入力されると３つの書き込みトランジスタＴｒ−ｗ１〜Ｔｒ−ｗ３がＯＮとなり、信号線２６から信号が各保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３に蓄積される。また、この信号に応じて駆動トランジスタＴｒ−ｄ１〜Ｔｒ−ｄ３が動作し、信号に応じた電圧が有機ＥＬ発光層のアノード電極に印加される。この電圧によって有機ＥＬ発光層が発光することになる。
【００４１】
＜３．具体例＞
次に、画素部における開口の具体例を説明する。この具体例の説明も、本実施形態を分かりやすくするため、比較例とともに説明を行う。
【００４２】
［比較例］
図８は、比較例における開口の具体例を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口は同じであるため、ここでは主画素Ｐ−１を用いて開口のレイアウトを説明する。
【００４３】
主画素Ｐ−１には、３つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３が設けられている。１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、各々一つの色に対応した発光を行う。例えば、副画素ｐ１は、Ｒ（赤）に対応した発光を行い、副画素ｐ２は、Ｇ（緑）に対応した発光を行い、副画素ｐ３は、Ｂ（青）に対応した発光を行う。
【００４４】
１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、対応する色に応じて３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が一方向（図中縦方向）に並ぶレイアウトとなっている。各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズは開口規定部Ｋ（例えば、開口部規定絶縁膜や遮光膜）によって規定される。比較例では、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズが等しく設けられている。
【００４５】
各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に設けられた３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、各色に対応して同時に発光する。すなわち、主画素Ｐ−１のＲ（赤）が発光する場合には、Ｒ（赤）に対応した副画素ｐ１の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発光が行われる。同様に、主画素Ｐ−１のＧ（緑）が発光する場合には、Ｇ（緑）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。また、同様に、主画素Ｐ−１のＢ（青）が発光する場合には、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。
【００４６】
ここで、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３の３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち、何れか１つに発光不良が発生した場合を説明する。発光不良は、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に対応したトランジスタの不良や有機ＥＬ発光層の電極間不良等が原因で起こる。以下の説明では、開口に対応したトランジスタや有機ＥＬ発光層の不良等で生じる発光不良を、単に開口の発光不良と表現するものとする。
【００４７】
例えば、図８に示すＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の、下側の端部に配置される開口部Ｓ３が発光不良となったとする。この場合、開口部Ｓ３が発光しないことによって、正常に発光する開口の間隔は、発光不良の開口部Ｓ３に対して上側に隣接する開口部Ｓ２と、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の開口部Ｓ１との距離Ｄとなる。なお、ここではＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の開口部Ｓ３が発光不良となる場合を例としたが、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２、ｐ３の開口部Ｓ３であっても同様である。
【００４８】
［本実施形態］
図９は、本実施形態における開口の具体例を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口は同じであるため、ここでは主画素Ｐ−１を用いて開口のレイアウトを説明する。
【００４９】
主画素Ｐ−１には、３つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３が設けられている。１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、各々一つの色に対応した発光を行う。例えば、副画素ｐ１は、Ｒ（赤）に対応した発光を行い、副画素ｐ２は、Ｇ（緑）に対応した発光を行い、副画素ｐ３は、Ｂ（青）に対応した発光を行う。
【００５０】
１つの副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３は、対応する色に応じて３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が一方向（図中縦方向）に並ぶレイアウトとなっている。各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズは、開口規定部Ｋ（例えば、開口部規定絶縁膜や遮光膜）によって規定される。本実施形態では、３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち両端の開口部Ｓ１、Ｓ３の開口サイズより、両端以外の開口部Ｓ２の開口サイズが大きくなるように設けられている。
【００５１】
各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に設けられた３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、各色に対応して同時に発光する。すなわち、主画素Ｐ−１のＲ（赤）が発光する場合には、Ｒ（赤）に対応した副画素ｐ１の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発光が行われる。同様に、主画素Ｐ−１のＧ（緑）が発光する場合には、Ｇ（緑）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。また、同様に、主画素Ｐ−１のＢ（青）が発光する場合には、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２の３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３から同時に発が行われる。
【００５２】
ここで、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３の３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち、何れか１つに発光不良が発生した場合を説明する。発光不良は、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に対応したトランジスタの不良や有機ＥＬ発光層の電極間不良等が原因で起こる。
【００５３】
例えば、図９に示すＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の、下側の端部に配置される開口部Ｓ３が発光不良となったとする。この場合、開口部Ｓ３が発光しないことによって、正常に発光する開口の間隔は、発光不良の開口部Ｓ３に対して上側に隣接する開口部Ｓ２と、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の開口部Ｓ１との距離Ｄ’となる。なお、ここではＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の開口部Ｓ３が発光不良となる場合を例としたが、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した副画素ｐ２、ｐ３の開口部Ｓ３であっても同様である。
【００５４】
本実施形態と比較例とを対比すると、同じＲ（赤）に対応した副画素ｐ１の開口部Ｓ３が発光不良となった場合、正常に発光する開口の間隔は、比較例がＤであるのに対し、本実施形態ではＤ’となる。本実施形態での間隔Ｄ’は、比較例での間隔Ｄより短くなる。これは、本実施形態では、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３内に構成される開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の開口サイズが不均等であり、端部の開口部Ｓ１、Ｓ３に対して端部以外の開口部Ｓ２の開口サイズが大きくなっているためである。このため、本実施形態では、開口部Ｓ３の発光不良が生じた場合の非発光となる領域、すなわち間隔Ｄ’が比較例の間隔Ｄに比べて短くなり、非発光として視認され難くなる。
【００５５】
次に、本実施形態に係る表示装置の開口の具体例を説明する。
【００５６】
［本実施形態の詳しい具体例：その１］
図１０は、本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その１）を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。図１０に示す開口のレイアウトは、図９に示す開口のレイアウトと同様、主画素Ｐ−１、Ｐ−２内に構成される副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に各々３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が一方向（図中縦方向）に並んだ配置となっている。各開口部Ｓ１〜Ｓ３の大きさは、開口規定部Ｋによって規定される。
【００５７】
ここで、図１０に示す詳しい具体例では、図９に示す具体例と同様な開口のレイアウトとなっているため、主画素Ｐ−１、Ｐ−２、副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３および開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の詳細説明は省略する。したがって、以下では、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３およびこれらの間隔についての寸法構成を詳細に説明する。また、各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３について開口のレイアウトは同じであるため、副画素ｐ１を用いて説明を行う。
【００５８】
図１０に示す例で説明に用いる寸法としては、図中縦方向（開口部Ｓ１〜Ｓ３の並びの方向）に沿った長さを用いる。この方向に沿った長さとして、開口部Ｓ１の開口長さをＬ１、開口部Ｓ２の開口長さをＬ２、開口部Ｓ３の開口長さをＬ３とする。また、開口部Ｓ１と開口部Ｓ２との間隔および開口部Ｓ２と開口部Ｓ３との間隔をａとする。また、開口部Ｓ３と下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素の開口部Ｓ１との間隔をｂとする。また、主画素Ｐ−１の長さをＬとする。
【００５９】
図１０に示す例では、副画素ｐ１の上端部に配置される開口部Ｓ１の開口サイズＬ１と、下端部に配置される開口部Ｓ３の開口サイズＬ３とが等しくなっている。
Ｌ１＝Ｌ３
【００６０】
また、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２の開口サイズＬ２は、端部の開口部Ｓ１、Ｓ３の開口サイズＬ１、Ｌ３より大きくなっている。
Ｌ２＞Ｌ１，Ｌ２＞Ｌ３
【００６１】
また、副画素ｐ１内での開口部Ｓ１と開口部Ｓ２との間隔ａおよび開口部Ｓ２と開口部Ｓ３との間隔ａは、上下で隣接する主画素Ｐ−１の副画素ｐ１の下端部の開口部Ｓ３と、主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１との間隔ｂより小さくなっている。
ａ＜ｂ
【００６２】
さらに、開口部Ｓ３の開口サイズＬ３と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ｂとの和は、開口部Ｓ２の開口サイズＬ２と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ａとの和と等しくなっている。
Ｌ３＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａ
【００６３】
また、副画素ｐ１内の３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の図中横方向に沿った開口長さは等しくなっている。また、主画素Ｐ−１の長さＬは、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋２ａ＋ｂとなっている。
【００６４】
このような関係により、本実施形態では、３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち何れか１つが発光不良となっても、隣接する正常発光の開口の間隔をほぼ均等にすることができる。
【００６５】
例えば、副画素ｐ１の下端部に配置される開口部Ｓ３が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ３の開口サイズＬ３と、上下の間隔ａ、ｂとを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ３が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ２の下端から、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ３＋ａ＋ｂで表される。
【００６６】
一方、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ２の開口サイズＬ２と、上下の各間隔ａを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ２が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ１の下端から、下側に隣接する開口部Ｓ３の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ２＋２ａである。
【００６７】
本実施形態では、開口部Ｓ３が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ３＋ａ＋ｂと、開口部Ｓ２が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ２＋２ａとが等しくなっている。
【００６８】
これにより、副画素ｐ１内に設けられる３つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のうち、どの開口が発光不良となっても、それに上下に隣接する正常発光の開口の間隔を等しくできる。つまり、どの開口が発光不良となっても、発光不良領域が等しくなるため、開口の場所による非発光の視認性に差が生じないことになる。
【００６９】
ここで、上記では、Ｌ３＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａとなる例を説明したが、Ｌ３＋ａ＋ｂ≦Ｌ２＋２ａとなっていてもよい。この関係式では、Ｌ３＋ａ＋ｂ＜Ｌ２＋２ａも含まれるが、この場合、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２が発光不良となっても、正常発光している開口部Ｓ１、Ｓ３の発光輝度を高めることで、非発光の視認性の差を補間することができる。
【００７０】
［本実施形態の詳しい具体例：その２］
図１１は、本実施形態に係る表示装置の開口の詳しい具体例（その２）を説明する平面図である。この図では、縦方向に隣接する２つの主画素Ｐ−１、Ｐ−２の開口を示している。図１１に示す開口のレイアウトは、主画素Ｐ−１、Ｐ−２内に構成される副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３に各々４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が一方向（図中縦方向）に並んだ配置となっている。各開口部Ｓ１〜Ｓ４の大きさは、開口規定部Ｋによって規定される。
【００７１】
以下では、各開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４およびこれらの間隔についての寸法構成を詳細に説明する。また、各副画素ｐ１、ｐ２、ｐ３について開口のレイアウトは同じであるため、副画素ｐ１を用いて説明を行う。
【００７２】
図１１に示す例で説明に用いる寸法としては、図中縦方向（開口部Ｓ１〜Ｓ４の並びの方向）に沿った長さを用いる。この方向に沿った長さとして、開口部Ｓ１の開口長さをＬ１、開口部Ｓ２の開口長さをＬ２、開口部Ｓ３の開口長さをＬ３、開口部Ｓ４の開口長さをＬ４とする。また、開口部Ｓ１と開口部Ｓ２との間隔および開口部Ｓ２と開口部Ｓ３との間隔および開口部Ｓ３と開口部Ｓ４との間隔をａとする。また、開口部Ｓ４と下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素の開口部Ｓ１との間隔をｂとする。また、主画素Ｐ−１の長さをＬとする。
【００７３】
図１１に示す例では、副画素ｐ１の上端部に配置される開口部Ｓ１の開口サイズＬ１と、下端部に配置される開口部Ｓ４の開口サイズＬ４とが等しくなっている。
Ｌ１＝Ｌ４
【００７４】
また、副画素ｐ１の両端以外に配置される開口部Ｓ２の開口サイズＬ２と、開口部Ｓ３の開口サイズＬ３とが等しくなっている。
Ｌ２＝Ｌ３
【００７５】
また、副画素ｐ１の両端以外に配置される開口部Ｓ２、Ｓ３の開口サイズＬ２、Ｌ３は、端部の開口部Ｓ１、Ｓ４の開口サイズＬ１、Ｌ４より大きくなっている。
Ｌ２＝Ｌ３＞Ｌ１＝Ｌ４
【００７６】
また、副画素ｐ１内での開口部Ｓ１〜Ｓ４の各々の間隔ａは、上下で隣接する主画素Ｐ−１の副画素ｐ１の下端部の開口部Ｓ４と、主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１との間隔ｂより小さくなっている。
ａ＜ｂ
【００７７】
さらに、開口部Ｓ４の開口サイズＬ４と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ｂとの和は、開口部Ｓ２もしくは開口部Ｓ３の開口サイズＬ２もしくはＬ３と、その上側の間隔ａと、下側の間隔ａとの和と等しくなっている。
Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａ
Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ３＋２ａ
【００７８】
また、副画素ｐ１内の４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の図中横方向に沿った開口長さは等しくなっている。また、主画素Ｐ−１の長さＬは、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４＋３ａ＋ｂとなっている。
【００７９】
このような関係により、本実施形態では、４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち何れか１つが発光不良となっても、隣接する正常発光の開口の間隔をほぼ均等にすることができる。
【００８０】
例えば、副画素ｐ１の下端部に配置される開口部Ｓ４が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ４の開口サイズＬ４と、上下の間隔ａ、ｂとを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ４が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ３の下端から、下側に隣接する主画素Ｐ−２の副画素ｐ１の上端部の開口部Ｓ１の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ４＋ａ＋ｂで表される。
【００８１】
一方、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２もしくはＳ３が発光不良となると、副画素ｐ１に対応する色（赤）の減光領域の長さは、その開口部Ｓ２の開口サイズＬ２もしくは開口部Ｓ３の開口サイズＬ３と、上下の各間隔ａを加算した長さとなる。つまり、開口部Ｓ２が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ１の下端から、下側に隣接する開口部Ｓ３の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ２＋２ａである。また、開口部Ｓ３が発光不良となった場合、上側に隣接する開口部Ｓ２の下端から、下側に隣接する開口部Ｓ４の上端までの間隔が発光不良領域となる。この発光不良領域が、Ｌ３＋２ａである。
【００８２】
本実施形態では、開口部Ｓ４が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ４＋ａ＋ｂと、開口部Ｓ２または開口部Ｓ３が発光不良となった場合の発光不良領域であるＬ２＋２ａまたはＬ３＋２ａとが等しくなっている。
【００８３】
このように、副画素ｐ１に４つの開口部Ｓ１〜Ｓ４が設けられている場合でも、３つの開口の場合と同様の効果を得ることができる。すなわち、４つの開口部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち何れか１つが発光不良となっても、隣接する正常発光の開口の間隔をほぼ均等にすることができる。したがって、どの開口が発光不良となっても、発光不良領域が等しくなるため、開口の場所による非発光の視認性に差が生じないことになる。
【００８４】
ここで、上記では、Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ２＋２ａ、Ｌ４＋ａ＋ｂ＝Ｌ３＋２ａとなる例を説明したが、Ｌ４＋ａ＋ｂ≦Ｌ２＋２ａ、Ｌ４＋ａ＋ｂ≦Ｌ３＋２ａとなっていてもよい。この関係式では、Ｌ４＋ａ＋ｂ＜Ｌ２＋２ａ、Ｌ４＋ａ＋ｂ＜Ｌ３＋２ａも含まれるが、先と同様、副画素ｐ１の中央部に配置される開口部Ｓ２やＳ３が発光不良となっても、正常発光している開口部の発光輝度を高めることで、非発光の視認性の差を補間することができる。
【００８５】
なお、上記説明した３つの開口の場合および４つの開口の場合のほか、５つ以上の開口を有する場合にも同様な考え方を適用することができ、これにより同様な効果を得られることになる。
【００８６】
＜４．適用例＞
以上説明した本実施形態に係る表示装置は、本体筐体に設けられることで種々の電子機器として適用可能である。一例として、図１２〜図１６に示す様々な電子機器に適用される。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００８７】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本実施形態に係る表示装置を用いることにより、表示画像の画質向上を図ることができるために、各種の電子機器において、良質な画像表示を行うことができる利点がある。
【００８８】
なお、本実施形態に係る表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部１０２に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、さらには、遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【００８９】
以下に、本実施形態の表示装置が適用される電子機器の具体例について説明する。
【００９０】
図１２は、本実施形態が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビテレビジョンセットは、フロントパネル１０８やフィルターガラス１０９等から構成される映像表示画面部１０７を含み、その映像表示画面部１０７として本実施形態による表示装置を用いることにより作成される。
【００９１】
図１３は、本実施形態が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【００９２】
図１４は、本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【００９３】
図１５は、本実施形態が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【００９４】
図１６は、本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上部筐体１４１、下部筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。
【符号の説明】
【００９５】
１…表示装置、１０…表示領域、２０…電源供給部、２１…信号線入力部、２２…電源制御線、２３…走査線、３０…画素部、Ｋ…開口規定部、Ｐ…主画素、ｐ…副画素、Ｓ…開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、
前記副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部と、
前記少なくとも３つの開口部のうち両端の開口部における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部と
を有する表示装置。
【請求項２】
前記両端以外の開口部と隣接する開口部との間隔をａ、前記両端のうち一方の開口部と前記一方向に隣接する主画素における両端のうち一方の開口部との間隔をｂとした場合、
ａ＜ｂ
の関係を満たす
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記両端以外の開口部と隣接する開口部との間隔をａ、前記両端のうち一方の開口部と前記一方向に隣接する主画素における両端のうち一方の開口部との間隔をｂ、前記両端のうち一方の開口部の前記一方向に沿った開口長さをＬｅ、前記両端以外の開口部の前記一方向に沿った開口長さをＬｓとした場合、
ａ＜ｂ
Ｌｅ＋ａ＋ｂ＝Ｌｓ＋２ａ
の両方の関係を満たす
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記副画素内の少なくとも３つの開口部の前記一方向と直交する方向に沿った開口長さが等しい
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
本体筐体に表示装置を備えており、
前記表示装置として、
主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、
前記副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部と、
前記少なくとも３つの開口部のうち両端の開口部における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部と
を有する電子機器。
【請求項１】
主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、
前記副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部と、
前記少なくとも３つの開口部のうち両端の開口部における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部と
を有する表示装置。
【請求項２】
前記両端以外の開口部と隣接する開口部との間隔をａ、前記両端のうち一方の開口部と前記一方向に隣接する主画素における両端のうち一方の開口部との間隔をｂとした場合、
ａ＜ｂ
の関係を満たす
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記両端以外の開口部と隣接する開口部との間隔をａ、前記両端のうち一方の開口部と前記一方向に隣接する主画素における両端のうち一方の開口部との間隔をｂ、前記両端のうち一方の開口部の前記一方向に沿った開口長さをＬｅ、前記両端以外の開口部の前記一方向に沿った開口長さをＬｓとした場合、
ａ＜ｂ
Ｌｅ＋ａ＋ｂ＝Ｌｓ＋２ａ
の両方の関係を満たす
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記副画素内の少なくとも３つの開口部の前記一方向と直交する方向に沿った開口長さが等しい
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
本体筐体に表示装置を備えており、
前記表示装置として、
主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、
前記副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部と、
前記少なくとも３つの開口部のうち両端の開口部における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部と
を有する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−２４９８９２（Ｐ２０１０−２４９８９２Ａ）
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９６６０９（Ｐ２００９−９６６０９）
【出願日】平成２１年４月１３日（２００９．４．１３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月１３日（２００９．４．１３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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