【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】バックライトとして複数の発光ダイオード（以下、ＬＥＤと呼ぶ）を用いて時間分割表示方式（フィールドシーケンシャル駆動方式とも呼ぶ）を行い、高画質な動画表示が可能な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、ピーク輝度の変調による高画質、フルカラー表示、または低消費電力を実現する液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】一対の基板間に液晶層を封入した後、一対の基板の上下両側から同時にＵＶ照射を行って高分子安定化処理を行い、一対の基板間に挟まれた液晶層に含まれる高分子を均一に配置させ、液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、ブルー相を示す液晶層を開口パターンを有する画素電極層と開口パターン（スリット）を有する共通電極層とで挟持する。開口パターンを有し、かつ液晶を狭持するように設けられた画素電極層と共通電極層との間に電界を加えることで、液晶には斜め方向（基板に対して斜めの方向）の電界が加わるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタによって形成される半導体装置の製造工程において、フォトマスク数を削減し、製造コストを低減することができ、且つ生産性及び信頼性を向上することのできる技術を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨とするものである。 （もっと読む）

【課題】液晶封入口を封止する封止剤にパスが発生することのない液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて前記液晶を封入するシール材とを備え、
前記シール材は、その一部に封止剤によって封止される封入口が形成されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は、前記シール材の形成領域を超えて前記第１基板の端辺から０ｍｍより大きく０．５ｍｍより小さい値で離間されて形成されている液晶表示装置であって、
前記絶縁膜は、有機絶縁膜を含む複数の絶縁膜の積層体からなり、少なくとも前記有機絶縁膜は、膜厚が２μｍ以上であり、前記シール材の前記封入口が形成されている部分において、前記第１基板の端部から０．５ｍｍ以上の値で後退させて形成されている。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型自己整合型のＴＦＴにおいて、ゲート電極の幅を最小加工寸法程度の幅とし、寄生容量が小さいＴＦＴを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に、ゲート電極をマスクにして紫外線を裏面照射することにより、自己整合型のＴＦＴを形成する。紫外線照射された半導体層は紫外線の回折の影響によりゲート電極より少し内側までソース電極、ドレイン電極として機能する程度に高導電化し、チャネル長はゲート電極の幅よりも少し短い長さとなる。これにより、ゲート電極の幅を最小加工寸法程度に短縮することが可能となり、その結果、ＴＦＴ寄生容量も低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素電極と共通電極とが形成されたアレイ基板と、カラーフィルター層が設けら
れたカラーフィルター基板とを有する液晶表示装置において、効果的にコモン配線を配置
することでより、良質な表示画質が得られる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】複数色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の着色層の中から選択された特定色（Ｒ）のサブ画素
Ｒ（赤）のみに、コモン配線２６を信号線１９と同一層において前記信号線１９と平行に
設け、単位画素を構成するサブ画素Ｒ（赤）、サブ画素Ｇ（緑）、サブ画素Ｂ（青）にそ
れぞれ対応する下電極２１を電気的に導通させ、コモン配線２６と下電極２１とを電気的
に接続するためのコンタクトホール２７を特定色のサブ画素Ｒ（赤）のみに設ける。 （もっと読む）

【課題】 チャネル層に本発明の特定の積層構成を適用することで、電気的特性に優れ、且つ、組成変動に対する特性変化が小さいＴＦＴを提供する。
【解決手段】 少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、
前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１のアモルファス酸化物半導体層と、ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１つの元素と、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素と、を含む第２のアモルファス酸化物半導体層を含み、前記第１のアモルファス酸化物半導体層と、前記第２のアモルファス酸化物半導体層とは組成が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン半導体層のエッジ部において補助容量線との間に仮に短絡が生じても画素電極電位への影響を抑制できるアレイ基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層26に、ｎ型不純物イオン(ｐ型不純物イオン)を全面にドーピングし画素電極37と電気的に接続するドーピング領域43と、補助容量線23に対向する位置のエッジ部をなしｎ型不純物イオン(ｐ型不純物イオン)をドーピングしない非ドーピング領域44を形成する。補助容量線23の電位を画素電極37の電位より低く(高く)設定する。ポリシリコン半導体層26のエッジ部にて補助容量線23との間に短絡が生じても、画素電極37と同電位のドーピング領域43に対して補助容量線23および非ドーピング領域44の電位が低い(高い)ため、画素電極37側と補助容量線23側の間で通電せず、画素電極37の電位への影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第１のソース電極層または第１のドレイン電極層上方の第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と接しており、第１のソース電極層または第１のドレイン電極層は、第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第１の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第１の酸化物半導体より導電率が低い第２の酸化物半導体領域を形成することによって、第２の酸化物半導体領域は第１の酸化物半導体領域の保護層として機能するので、第１の酸化物半導体領域の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】額縁領域近傍において、良好な光検出精度を確保することが可能な表示パネルを提供する。
【解決手段】表示装置１は、表示画面のうちの有効表示領域Ｂに表示画素としての液晶素子を有し、有効表示領域Ｂの周辺の額縁領域Ａには、非可視光を選択的透過して可視光を遮断する非可視光透過ブラック２４が配置されたものである。少なくとも有効表示領域Ｂには、所定のピッチで非可視光を検出するフォトセンサ１２Ｂが配設されている。位置判定部では、フォトセンサ１２Ｂからの出力に基づいて、表示画面に接触した指２の位置を判定する。額縁領域Ａに非可視光を透過させる非可視光透過ブラック２４が設けられていることにより、有効表示領域Ｂの額縁領域Ａとの境界付近における光検出強度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を実現することができ、かつ配線と導電層との密着性を向上させることができる表示装置用基板およびそれを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０、絶縁性基板１０上に設けられた配線４、配線４における絶縁性基板１０の反対側に設けられた導電層１２、並びに、配線４および導電層１２を覆うように絶縁性基板１０上に設けられた層間絶縁膜１５を備えており、導電層１２が金属ナノ粒子を含有し、配線４における導電層１２との接触面にはスリット２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化物からなる電極は半導体装置の作成工程中に加わる加熱処理により結晶化し易い。結晶化により表面凹凸が大きくなった電極を用いた薄膜素子は、短絡が起こり易く、素子の信頼性が低下してしまう。加熱処理しても結晶化が進まない透光性を有する導電性酸窒化物およびその作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水素原子を不純物添加したインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸窒化物が３５０℃で加熱しても結晶化しない透光性を有する導電膜であることを見いだし、課題の解決に至った。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】また、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層上に形成される酸化物半導体層と、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層上に形成される配線と、酸化物半導体層及び配線に接する有機樹脂層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）