【課題】コ字状電極ＴＦＴの構成を回避することにより、大電流を安定に流すとともに、リーク電流を抑制することのできる薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置用駆動回路を得る。
【解決手段】ａ−Ｓｉ層２Ａは、ソース電極３のコ字状電極部６の内側とドレーン電極４の平行電極肢の先端部との間の除去領域８と、ドレーン電極４のコ字状電極部７の内側とソース電極３の平行電極肢の先端部との間の除去領域９と、において完全に除去され、各電極３、４の平行電極肢を含むチャネル領域５Ａと、少なくとも各電極３、４とゲート電極１とが平面的に重なる領域と、に形成されている。 （もっと読む）

【課題】アニール温度を高い温度に設定しなくても、絶縁層に十分な水素を導入することのでき、さらには、絶縁層からの水素の脱離を防止可能な非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘの製造工程では、まず、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成する。その後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する陽極酸化工程と、絶縁層１４ｘに水素を導入する水素添加アニール工程とを交互に複数回行う。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜１３および窒素含有アルミニウム膜１７を形成した後、下電極１３ｘをパターニング形成する。次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。次に、窒素含有アルミニウム膜１８ｘをエッチング除去した後、絶縁層１４ｘに水素を導入する。次に、上電極１５ｘを形成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の低消費電力化および高精細化を可能とする回路技術を提供することを課題とする。
【解決手段】ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に接続される、トランジスタのゲート電極にスタート信号によって制御されるスイッチを設ける。スタート信号が入力されると、スイッチを介して当該トランジスタのゲート電極に電位が供給され、当該トランジスタをオフする。当該トランジスタがオフすると、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極からの電荷の漏れを防止することができる。したがって、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に電荷を充電するための時間を早くすることができるので、高速に動作することができる。 （もっと読む）

【課題】マルチタッチが可能であり、薄型化を可能としたマルチタッチ感知機能を有する液晶表示装置及びその駆動方法を得る。
【解決手段】液晶表示装置は、赤外線光を発生する赤外線光源と、前記赤外線光を可視光に変換するための赤外線−可視光変換層と、前記可視光を感知するための光感知用薄膜トランジスタとを有する液晶パネルが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタにおいて、特性にばらつきが生じる場合があった。
【解決手段】 酸化物半導体層中のソース電極及びドレイン電極と接する領域における水素又は重水素の濃度が、同層中の平均濃度に比べて大きい構成とする。また、水素又は重水素を含有するソース電極及びドレイン電極を形成し、これらの電極から酸化物半導体層に水素又は重水素を拡散させて電界効果型トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】画素分離領域の直下に存在する遮光層からの反射光を反射率向上に寄与させることで、輝度の向上や、シームレス(隙間の少ない)画像が得られるようにする。
【解決手段】半導体基板に配置された複数のスイッチ素子５と、複数のスイッチ素子５の上方に配置された複数の反射電極１１３と、複数のスイッチ素子５と複数の反射電極１１３との間で、且つ少なくとも複数の反射電極１１３の間の空隙に応じて配置された遮光層１１０と、を含むアクティブマトリクス基板の製造方法において、遮光層１１０は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上にＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタを同時に集積できる素子構造および製法を提供する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。また、絶縁基板上に形成された半導体薄膜に形成されたＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ（２００）において、半導体薄膜（２０５）は所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示パネル上の配線不良を安定して検査することが可能であり、しかも、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 検査部４０は、複数の第１配線パターンＷＰ１からなる第１配線パターン群Ｇ１と、第１配線パターンＷＰ１のそれぞれとは離間した複数の第２配線パターンＷＰ２からなる第２配線パターン群Ｇ２と、検査部４０のほぼ全体を覆うように島状に配置され各第１配線パターンＷＰ１と対応する第２配線パターンＷＰ２とをつなぐ配線を施すために複数の配線パターンに共通の開口部ＡＰを有する絶縁膜１３０と、絶縁膜１３０の開口部ＡＰのエッジから１０μｍ以上離間して配置され第１配線パターンＷＰ１と第２配線パターンＷＰ２とを電気的に接続する複数の第３配線パターンＷＰ３からなる第３配線パターン群Ｇ３と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示品質と開口率を向上することができる液晶表示装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板上に位置し、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線に接続されるゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するアクティブ層と、アクティブ層上に位置し、相互に離間されたソース電極及びドレイン電極と、アクティブ層及びソース電極間、並びにアクティブ層及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層と、アクティブ層上に位置し、ソース電極及びドレイン電極の内側に向かう二つの側面を有し、二つの側面のうち、少なくとも一つは、ソース電極及びドレイン電極の内側間に位置するシールドパターンと、画素領域に位置し、ドレイン電極に接続される画素電極とを設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、その上に透明樹脂からなるオーバーコートを付与してから、カラーフィルター層の上に保護フィルムを貼った。基材３が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンに位置合わせして設けた。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実質的に透明な板状の基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。前記カラーフィルターが基材３の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 （もっと読む）

【課題】保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁
層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層
側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分およ
び下層側導電層層接続用コンタクトホール８９の形成領域の下層側ゲート絶縁層４ａを除
去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保
持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の一部をレーザーアニール処理する際にレーザー光の反射が起こりにくいアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１０上に、（ａ）酸化珪素膜４１、（ｂ）非晶質珪素膜４２Ａ、（ｃ）酸化珪素膜４３、（ｄ）非晶質珪素膜４４Ａを積層する。非晶質珪素膜４４Ａは、画素領域５にのみ残るようにパターニングする。次に、（ｅ）レーザー光を照射することにより、非晶質珪素膜４４Ａと、駆動回路領域６に形成された非晶質珪素膜４２Ａとを結晶化させ、移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐを形成する。画素領域５に形成された非晶質珪素膜４２Ａは結晶化されずに残る。こうして得られた移動度の異なる非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐをそれぞれ画素領域５、駆動回路領域６におけるＴＦＴの半導体膜として用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線上に絶縁膜を介在して、ゲート線と交差するデータ線を形成することを含み、ゲート線および／またはデータ線の形成はベースパターン上に無電解メッキ法を用いて低抵抗導電パターンを形成することを含む。本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、無電解メッキ法を用いて低抵抗金属配線を形成することによって、製造コストと時間を節減しながらも良好な信号伝達能力を有する薄膜トランジスタ表示板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の簡略化と素子特性の安定化を両立できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 多成分ガラス基板１の上方に遮光電極３を備え、前記遮光電極３の上方に単層または多層の汚染防止絶縁膜４１を備え、前記汚染防止絶縁膜４１の上方に多結晶シリコン膜５を備え、前記多結晶シリコン膜５の上方にゲート絶縁膜６を備え、前記ゲート絶縁膜６の上方にゲート電極７を備え、前記ゲート電極７の上方に層間分離絶縁膜８を備え、前記層間分離絶縁膜８と前記ゲート絶縁膜６とを開口して前記多結晶シリコン膜５と導電接続されたソース・ドレイン電極を少なくとも備えている。さらに、前記多成分ガラス基板１の上層、前記汚染防止絶縁膜２１の上層、前記ゲート絶縁膜６の上層、前記層間分離絶縁膜８の上層の少なくとも一つに、塩素とフッ素の双方または片方を含む不純物捕獲層２１，２２，２３，２４を有している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性（Ｉｄ−Ｖｇ特性）にばらつきが生じる場合があった。
【解決手段】酸化物膜を半導体層１１として有する電界効果型トランジスタであって、酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有している。または、酸化物膜の中に、チャンネル部位１８とソース部位１６とドレイン部位１７とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の小さい薄膜トランジスタの構造及びそれを用いた画質の良好な表示装置、並びに、表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ構造は、絶縁性基板２０と、絶縁性基板２０上に設けられたゲート電極３０と、ゲート電極３０を被覆するように設けられたゲート絶縁膜４１と、ゲート絶縁膜４１の直上に設けられたｐ型又はｎ型アモルファスシリコン半導体層４２と、ｐ型又はｎ型アモルファスシリコン半導体層４２の直上に設けられた真性アモルファスシリコン半導体層４３と、各々、真性アモルファスシリコン半導体層４３に電気的に接続されたソース電極５０及びドレイン電極５１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ部で取り込んだ画像を液晶表示部で表示する電気光学装置を提供する。
【解決手段】同一ガラス基板上にアクティブマトリクス型のイメージセンサ部に配置されたＴＦＴとアクティブマトリクス型の液晶表示部に配置されたＴＦＴとを備えた電気光学装置であって、イメージセンサ部のＴＦＴの出力には、一方の電極、光電変換層及び他方の電極とによりガラス基板側から順に構成される光電変換装置が接続され、液晶表示部のＴＦＴの出力には画素電極が接続され、光電変換装置の他方の電極と、画素電極とは同一工程で形成されている。 （もっと読む）

【課題】poly-Si膜の結晶粒径を基板全体に渡って均一にすることを可能とするレーザアニール方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源からのレーザビームを成形した線状ビームを基板上の非晶質シリコン膜を含む膜材料に照射してレーザアニールする。このレーザアニール方法を用いて結晶化した半導体薄膜を基板上に絶縁膜を介して設けた薄膜半導体装置を得る。このようにして結晶化された半導体薄膜からなる素子を表示基板上に設けて表示装置を得る。 （もっと読む）