【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、可動電極５は、シリコンを主材料として構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、複数のガス導入ヘッド３１を介して処理チャンバー内に原料ガスを導入すると共に、各ガス導入ヘッド３１からの原料ガスの導入量を独立して制御する。 （もっと読む）

【課題】より画質及び信頼性の高い表示装置、また大画面を有する大型な表示装置であっても、低コストで生産性よく提供することを目的の一とする。
【解決手段】表示装置に用いられる機能層（着色層や画素電極層など）を、主鎖にＣ−Ｎ結合、又はＣ−Ｏ結合を有する第１の有機化合物を含む層を底面に、第２の有機化合物を含む層を隔壁にして形成された開口に、液状の機能層形成材料を吐出することで形成する。有機化合物を含む層表面に付着する、液状の機能層形成材料に対して撥液性を示すフッ素密度を制御することによって、撥液領域及び親液領域を選択的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、ガス導入ヘッド３１を高温媒体４に沿って配置することで、原料ガスの使用効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板と、該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板とこれを備えた表示デバイス。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に有する電極の凹凸に起因するコントラスト低下を改善するための技術を、製造工程の清浄度を保ち、十分な光透過率を確保しつつ低コストで提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板ＳＵＢ１の主面に形成された薄膜トランジスタＴＦＴの上層を含めた画素領域に設けた第１電極ＣＴ/ＳＲＥと、第１電極ＣＴ/ＳＲＥの上に設けた容量絶縁層ＩＮＳと、容量絶縁層ＩＮＳの上に設けた第２電極ＰＸとを有し、第１電極ＣＴ/ＳＲＥと第２電極ＰＸを塗布型の透明導電膜、容量絶縁層ＩＮＳを塗布型の絶縁膜によって形成した。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高く、かつ、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に、接合層と、前記接合層上に、絶縁膜と、保持容量部の下部電極と、前記絶縁膜上に、単結晶シリコン層と、前記保持容量部の下部電極上に、保持容量部の絶縁膜と、前記保持容量部の絶縁膜上に、配線と、前記単結晶シリコン層に、チャネル形成領域と、低濃度不純物領域と、前記単結晶シリコン層上に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、前記保持容量部の絶縁膜として、ＹＳＺ膜を、単結晶シリコン層を下地として成膜することでより誘電率を高く形成することで、前記保持容量からのリーク電流が抑制される半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】積層膜数、製造工数を低減し得る構成の表示装置の提供。画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。
【解決手段】基板上に、ゲート線、ゲート絶縁膜が順次形成され、その上にデータ線、画素電極、半導体層が形成され、さらにその上に保護膜が形成された画素を有し、
前記ゲート線の一部が薄膜トランジスタのゲート電極を兼ね、
前記データ線の一部が薄膜トランジスタのドレイン電極を兼ね、
前記画素電極の一部が薄膜トランジスタのソース電極を兼ね、
前記半導体層が酸化物半導体層から成る表示装置であって、
前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極および前記ソース電極が直接に接続され、かつ前記データ線と前記画素電極が別の導電膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを静電気放電（ＥＳＤ）から保護するために少なくとも１つの行導体に接続されたＥＳＤ保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護回路２０は、行及び列導体間１５，１９に接続された横方向ダイオード２１またはゲート短絡横方向ＴＦＴ１３のどちらかを有しており、好ましくは、行及び列導体１４間に逆並列に接続された少なくとも一対のダイオードまたはＴＦＴを有する。特に、その半導体領域は、前記ダイオードまたはＴＦＴのアクティブ領域の両端に配置された２つの部分を有しており、アクティブ領域の一端における第１の部分が行導体１５に接続され、アクティブ領域の他端における第２の部分が、第１の部分の少なくとも２倍の大きさ、好ましくは10倍の大きさであるようにする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板を用いて高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、機械的な研磨を行わずに高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上の絶縁層と、絶縁層上の接合層と、接合層上の単結晶半導体層と有し、単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下とする。または、凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても良い。または、凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であっても良い。 （もっと読む）

【課題】画像表示システム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画像表示システムであって、基板、前記基板上に形成された第１活性層、前記第１活性層を覆うゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層上に位置され、延伸部を有する誘電体層、及び前記誘電体層上に形成され、前記延伸部を露出する第１ゲート電極を含む低温ポリシリコンの駆動回路と薄膜トランジスタ、前記基板上に形成され、上電極と下電極を含む蓄積キャパシタ、前記ゲート絶縁層の中に形成され、且つ前記下電極が前記第１活性層と隣接した領域を露出する接触孔、前記基板の上方に形成されて駆動電極と薄膜トランジスタを電気的に接続する複数の導線、及び前記薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極を含む画像表示システム。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】樹脂製の遮光層を使用した液晶表示パネルにおいて、基板間の密着性を低下させることなく、高い透過率及び表示品質を達成した液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１上の表示領域ＤＡ内に画素領域ＰＡ毎に画素電極５６及びＴＦＴ５５が形成されたアレイ基板１０と、ガラス基板２１上に樹脂遮光層６１、カラーフィルタ層６２が形成されたカラーフィルタ基板２０と、を備え、アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０がシール材３０により貼り合わされた間に液晶４０が封入されてなる液晶表示パネル１において、樹脂遮光層６１は、表示領域ＤＡ外ではベタ状に形成されており、カラーフィルタ基板２０には、更に透明樹脂からなる保護膜６３が形成されており、保護膜６３は表示領域ＤＡに開口６３ａが形成され、表示領域ＤＡ外では樹脂遮光層６１を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非晶質シリコン膜をレーザアニール処理で結晶化する場合に、非晶質シリコン膜の高さに依存しないレーザアニール処理を可能にする。
【解決手段】「被照射物の高さに対して基準値を設定」し、「被照射物の高さを測定」し、「基準データとの比較・演算」を行って被照射物の膜厚を得て、その膜厚に対応したレーザ光を駆動する「レーザ発振の電流（電圧）のデータベース作成」し、アニールを開始する「原点に戻り、被照射物の高さ測定と同時にラインアニール」行い、「アニール終了と同時に照射後の照射むら画像取得および画像処理」してアニール状態を評価し、その評価に基づいてレーザ光のエネルギー補正量の「最適条件と比較、次ラインのアニール処理の補正値を求める」ことを順に行い、以下、前記「基準データとの比較・演算」以下を所定回数繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードに入射する光の減衰を抑制し、フォトダイオードの外光に対する感度の向上が図られた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１と、対向基板２と、液晶層３と、周囲の光に反応して信号を出力するフォトダイオード１１とを有し、液晶層３は、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間に形成された空間に封入されている、液晶表示装置を用いる。フォトダイオード１１は、アクティブマトリクス基板１のベース基板１７上の、対向基板２と重なる領域に形成されている。アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間には、液晶層が存在しない空間２６を形成するシール部材３０が挟みこまれている。シール部材３０は、フォトダイオード１が、液晶層が存在しない空間２６内に配置されるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、互いに交差して延在すると共に遮光性の導電膜を夫々含んでなるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、半導体層におけるチャネル領域（１ａ’）にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されたゲート電極（３ａ）と、画素電極に電気的に接続されると共に、半導体層における画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を覆うように設けられた遮光膜（３１ａ）とを備える。半導体層における第２の接合領域（１ｃ）は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制しつつ、且つ製造コストの増加を抑え、加えて、電気特性が高く、オフ電流の低減を図ることができる薄膜トランジスタを具備する液晶表示装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、基板及びゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介したゲート電極上に、微結晶半導体膜と、上部に窪みが存在するバッファ層とが順に積層して設けられた第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜と、導電性半導体膜と、導電性半導体膜上に接して設けられた導電膜と、を有し、導電性半導体膜が、第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜の間に、ゲート絶縁膜に接して設けられている薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】表示領域の外側に駆動回路をＴＦＴによって形成する表示装置において、駆動回路を高性能にかつ歩留り良く形成する。
【解決手段】駆動部ＤＲＶにおいては、ＴＦＴ基板１０１上に熱放散のための金属下地膜１１３を形成しておく。その後窒化シリコン膜１０２および酸化シリコン膜１０３等のアンダーコートをし、ａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ法によって形成し、該ａ−Ｓｉ膜をレーザーアニールによってポリシリコン膜に変換する。さらに、その後条件の異なるレーザーアニールによってＳＥＬＡＸ（Selectively Enlarging Laser Crystallization）膜１１１に変換する。アンダーコート膜の下に金属下地膜１１３が形成されているために、レーザーアニールの際、アンダーコート膜が過度に熱せられて発生するガスに起因するＳＥＬＡＸ膜１１１の欠陥を防止することが出来る。これによって、高性能な駆動回路を歩留まりよく形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有する表示装置において開口率を損なうことなく指示物の位置、領域を正確に特定する。
【解決手段】２行の画素部７２に対して、１つの光センサ部１５０と光量調節部８２とを設け、Ｎ行目の画素部７２の選択信号３ａ（Ｎ）と、光センサリセット信号と選択信号とを共用し、Ｎ行目の画素部の容量電位３００（Ｎ）と光センサ第１電源とを共用し、Ｎ＋１行目の画素部の選択信号３ａ（Ｎ＋１）と光センサの選択信号とを共用し、Ｎ＋１行目の画素部の容量電位３００（Ｎ＋１）と光センサ第２電源とを共用する。 （もっと読む）