【課題】本発明はポリシリコン液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、工程を単純化できる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第１基板及び第２基板と、ドライバ領域と重畳される第１シーラントと、第１基板及び第２基板間の液晶層を含む。また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第１基板及び第２基板を形成する工程と、第１基板及び第２基板の少なくとも一つの上に、ドライバ領域と重畳される第１シーラントを形成する工程と、第１基板及び第２基板間に液晶層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びこれを有する表示装置が開示される。
【解決手段】アレイ基板及びこれを有する表示装置において、画素部は、多数のゲートライン、多数のデータライン、及び多数のゲートラインと多数のデータラインに電気的に連結された多数の画素を含む。ゲート駆動回路は、多数のゲートラインの第１端部に電気的に連結され多数のゲートラインにゲート信号を提供する。第１検査回路は、多数のゲートラインのうち、奇数番目ゲートラインに電気的に連結され奇数番目ゲートラインに連結された奇数番目画素を検査する。第２検査回路は、多数のゲートラインのうち、偶数番目ゲートラインに電気的に連結され偶数番目ゲートラインに連結された偶数番目画素を検査する。従って、アレイ基板の欠陥を検出する能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】短い光路長で線状のビームスポットを形成でき、または長辺方向の長さが長い線状のビームスポットを形成でき、さらにその線方向の両端における集光位置のずれを解消できるレーザ照射装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを、長辺方向と短辺方向とを有する線状のビームスポットに成形する光学系を有するレーザ照射装置において、前記光学系は、前記第一の短辺方向集光用シリンドリカルレンズと前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズとの間に長辺方向集光用シリンドリカルレンズが配置され、前記長辺方向集光用シリンドリカルレンズで均一面の位置のずれを発生させ、前記均一面から前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズまでの距離が画角によらず一定となるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非線形素子の素子特性のばらつき及び経時変化を抑制することのできる構造及び方法並びにこれを用いた電気光学装置の構成及び製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の非線形素子１０は、酸素を含有する金属若しくは合金で構成された下部電極１３と、下部電極１３の上面を覆う上面絶縁膜１４Ａと、下部電極１３の側面を覆う側面絶縁膜１４Ｂと、上面絶縁膜１４Ａ及び側面絶縁膜１４Ｂを介して下部電極１３に接合された上部電極１５と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、基板の伸縮のため製造時に複数のパターンの位置あわせが全面に渡って達成することが困難になる。
【解決手段】基材上に複数の第１配線と、複数の前記第１配線と交差する複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第２配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、前記半導体膜は前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも１つの交差部と前記複数の画素電極のうち１つとに重なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｈ_２洗浄を行っても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法、及び透明電極上に窒化膜を蒸着しても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上のゲート線、窒素を含む透明な導電体からなる基板上の共通電極、ゲート線及び共通電極上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上の半導体層、ソース電極を有するデータ線及びソース電極と対向する半導体層上のドレイン電極、ドレイン電極と接続され共通電極と重畳する画素電極を備える。共通電極をＩＺＯＮ、ＩＴＯＮ又はａ−ＩＴＯＮで、又はＩＴＯ／ＩＴＯＮ、ＩＺＯ／ＩＺＯＮ又はａ−ＩＴＯ／ａ−ＩＴＯＮの二重層で形成することにより、共通電極上に窒化膜を蒸着する場合に投入されるＨ_２やＳｉＨ_４ガスによってＩＺＯ、ＩＴＯ又はａ−ＩＴＯ物質内の金属成分が還元されＳｎ又はＺｎが析出されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】効率よく放熱することが可能な薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成された表示部と、基板上の表示部の外側領域に設けられ、表示部を駆動するための駆動回路と、を備える液晶表示装置１０であって、それぞれに切欠部１３２ａを有した一対の拡散層を備えるポリシリコン半導体層１３２と、拡散層のそれぞれの上面及び切欠部に沿った端面に接触する第１電極１３６及び第２電極１３８と、第１電極１３６と第２電極１３８との間の電流をオンオフする電圧が加えられる第３電極１３４と、を備える薄膜トランジスタを具備した液晶表示装置１０。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＤ素子、配線等のように複数の導電膜を積層して成る要素に関してそれらの導電膜間に導通不良が発生するのを防止することにより、安定した表示を行うことができる電気光学装置を安定して製造できる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上にＣｒ等で第１導電膜を形成する工程Ｑ５と、その第１導電膜上にＡｌ等で被覆膜を形成する工程Ｑ７と、その被覆膜を形成する工程の後にアニールを行う工程Ｑ８と、そのアニールの後に被覆膜を除去する工程Ｑ９と、被覆膜が除去された領域でＣｒ等の第１導電膜上にＩＴＯ等で第２導電膜を形成する工程Ｑ１１とを有する電気光学装置の製造方法である。アニールの際には第１導電膜が被覆膜によって覆われているので第１導電膜の表面が酸化することを防止できる。第１導電膜の表面の酸化を防止できれば、第２導電膜を第１導電膜上に良好に形成できる。 （もっと読む）

【課題】垂直配向方式の液晶表示装置において、画素電極の容量を実質的に大きして表示品質の向上を図る。
【解決手段】負の誘電率異方性を有する液晶が封入されてなる液晶表示装置において、下側基板の素子基板上には、データ線、ＴＦＤ素子及び補助電極が形成され、それらの上にはオーバーレイヤーが形成され、その上のサブ画素領域内には、略三串団子状の平面形状をなす画素電極が形成されている。本発明の補助電極は、平面視した場合に画素電極が設けられていない領域に複数の補助電極部と第１及び第２接続部とを有している。複数の補助電極部は、オーバーレイヤーを介して液晶層と対向し、第１及び第２接続部は、画素電極と重なっている。また、複数の補助電極部には、画素電極と同電位の電位が印加され、画素電極の容量に、複数の補助電極部の容量を付加する。このため、画素電極の容量を実質的に増加させて、表示品質が低下するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない非線形抵抗素子、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基材６ａと、基材６ａ上に設けられた非線形抵抗素子３３と、基材６ａ上に設けられ、非線形抵抗素子３３に接続される画素電極２４ａとを有している。そして、非線形抵抗素子３３が、基材側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、画素電極２４ａが、多結晶化されたインジウム錫酸化物から形成されてなり、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成されるとともに、画素電極２４ａ上に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＩＭ構造の非線形素子において、そのアニール処理による下部電極層の膨張を防止し、上部電極層の断線の危険を低減させる。また、製造プロセスの複雑化を招くことなしに、非線形素子の電気的特性の向上及び安定化を図る。さらに、非線形素子における素子特性の向上と、素子特性の経時変化の抑制とを両立できる構造及び方法を実現する。
【解決手段】 本発明の非線形素子１０は、酸素を含有する金属若しくは合金で構成された下部電極１３と、下部電極１３の表面に形成された酸化膜１４と、酸化膜１４を介して下部電極１３に接合された上部電極１５と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のＴＦＴを形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 従来のパルス発振のレーザー光による照射を半導体膜に行った場合、半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、トップゲート型ＴＦＴの場合には、素子特性がリッジにより大きく左右されていた。特に、電気的に並列に接続する複数の薄膜トランジスタ間でのバラツキが問題となっている。
【解決手段】 本発明は、複数の薄膜トランジスタからなる回路の作製において、連続発振レーザを用いて半導体膜にレーザ光を照射して溶融する領域の幅ＬＰ（微結晶領域を含まない）を大きくし、一つの領域に複数の薄膜トランジスタ（電気的に並列に連結された薄膜トランジスタ）の活性層を配置することを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】 良好な素子特性を維持しながら、補助容量線の抵抗に起因した表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、互いに交差する方向に延在する走査線２１及びデータ線１３と、データ線１３に一端が接続された二端子型非線形素子であって、第１導電層１４１と、絶縁層１４５と、第１導電層１４１よりも抵抗率が低い材料からなる第２導電層１３１，１４２とを積層してなる二端子型非線形素子１４と、二端子型非線形素子１４の他端に接続され、走査線２１に電気光学物質を挟んで対向する画素電極１６と、第２導電層１３１，１４２と同一の材料からなり、走査線２１と交差する補助容量線１７と、補助容量線１７に接続された第１電極１８１と画素電極１６に接続された第２電極１８２とが相互に対向してなる補助容量１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の活性半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の活性半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、結晶化の際に該活性半導体膜を局所的に加熱する局所加熱機構を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該局所加熱機構を設けない。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴの半導体膜が結晶化する際の起点となるべき微細孔１４を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴが結晶化する際の起点となるべき微細孔を設けない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、製造コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲートラインに接続されたゲート電極と、前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインに接続されたソース電極と、前記ソース電極間に介在されたチャンネルに対向するドレーン電極と、前記チャンネルの半導体層と、前記画素領域に位置し、前記ドレーン電極と接触するように実際に全ての画素電極が前記ドレーン電極に重畳される画素電極と、前記チャンネルに対応する前記半導体層上に形成され、前記チャンネルの半導体層を保護するためのチャンネル保護膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）