【課題】高開口率化及び混色を抑制した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、第１基板に
は、互いに絶縁された状態で交差するように形成された複数の走査線及び信号線１４と、
走査線及び信号線１４によって区画されたサブ画素とを備え、第２基板には、平面視で、
走査線及び信号線１４によって区画されたサブ画素毎に形成されたカラーフィルター層３
１を備え、第１基板に透明電極が備えられた液晶表示装置１０において、サブ画素毎に形
成されたカラーフィルター層３１は非着色領域４２を有し、非着色領域４２は、信号線１
４を挟んで両側に位置する透明電極と平面視で部分的に重なる位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサによる撮像機能を有する半導体装置において、各画素に設けられたフォトセンサの特性ばらつきに起因するノイズを低減し、高精度の撮像を行うことを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された入力部と、画像処理回路とを有し、前記フォトセンサは、黒画像、及び被検出物の画像を撮像し、前記画像処理回路は、前記黒画像の画像データＸ、及び前記被検出物の画像の画像データＹを用いて、画像データ（Ｙ−Ｘ）を有する画像を生成する半導体装置である。また、上記入力部が表示パネルとして機能する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、視野角
制御を行う際に直視方向の光漏れを低減させた視野角制御機能が良好な液晶表示パネルを
提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、表示用サブ画素１６Ａ及び視野角制御用
サブ画素１７Ａを備え、それぞれのサブ画素の上電極２８には、それぞれ複数のスリット
状開口２９Ａ、３０Ａが形成され、上電極２８の表面及びスリット状開口２９Ａ、３０Ａ
内に形成された第１配向膜のラビング処理の方向ＲＡは、視野角制御用サブ画素１７Ａの
スリット状開口３０Ａの延在方向の垂線に対してα２傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）系半導体膜１５、ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄが形成された薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、所定パターンのＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を形成する工程と、ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を覆う少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物及び金属酸窒化物のいずれかからなる保護膜１７を設ける工程と、保護膜１７を覆うアルミニウム、チタン及びモリブデンのいずれかからなる金属膜１８を設ける工程と、金属膜１８を設けた後に熱処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタをスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関し、製造コストを低減させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明絶縁基板１上に金属薄膜を成膜し、第１のマスクを用いてエッチングによりゲートバスライン２を形成する工程と、ゲート絶縁膜３と、動作半導体層４と、ソース／ドレイン電極６、７形成用金属薄膜とを積層し、第２のマスクを用いてソース／ドレイン電極形状に動作半導体層４の一部まで一括エッチングする工程と、第３のマスクを用いてエッチングにより、動作半導体層４を画素領域毎に分離するのと同時に、ゲートバスライン２の外部接続端子２０上部を開口する工程とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】表示基板、それの製造方法、及びそれを有する表示装置を提供すること。
【解決手段】表示基板は第１画素電極及び第２画素電極を含む。第１画素電極は複数の第１電極バーを含む。データラインは第１画素電極にデータ電圧を印加する。第２画素電極は複数の第１電極バーと交互に配置された複数の第２電極バーを含む。第１電源ラインはゲートラインと隣接するように形成されて第２画素電極に第１電圧を印加する。第２電源ラインは第１電源ラインと交差して第１電源ラインと電気的に連結される。第１スイッチング素子はデータライン、ゲートライン及び第１画素電極に電気的に連結される。第２スイッチング素子は第１電源ライン、ゲートライン及び第２画素電極に電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲートライン１１とゲートドライバとの間を電気的に接続する配線の配線長がゲートライン毎に異なっていても、表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】表示画素に形成された薄膜トランジスタ１０に走査信号を伝送するゲートライン１１とゲート出力端子１９とを電気的に接続するゲート引き回し線１８の配線長が、ゲートライン１１毎に異なっている表示装置であって、ゲート引き回し線１８との間に絶縁層を介在させて所定の領域で重なるように配置された共通ライン１５を備え、前記各ゲート引き回し線１８間において配線長の短いゲート引き回し線１８の方が配線長のゲート引き回し線１８よりも前記共通ライン１５との重なり面積が大きく形成されていることにより、前記各ゲート引き回し線１８は該ゲート引き回し線１８に対応する前記ゲートライン１１から該ゲート引き回し線１８に対応する前記ゲート出力端子１９までの時定数を互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】画素マトリクス、イメージセンサ、及びそれらを駆動するための周辺回路を有す
る、すなわち、撮像機能と表示機能とを兼ね備え、インテリジェント化された新規な半導
体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板表面上の表示部及びセンサ部と、第１の基板表面
に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基
板と第２の基板の間の液晶材料と、を有し、第１の基板の裏面には、カラーフィルターと
、光学系と、光学系を取り付ける支持台とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル機能を有する液晶表示装置において、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させる。
【解決手段】互いに対向して設けられたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、両基板の間に設けられた液晶層と、アクティブマトリクス基板２０の液晶層と反対側に設けられたバックライト４３とを備え、対向基板３０は、各辺に沿って反射面を有し、アクティブマトリクス基板２０は、バックライト４３からの光の一部が透過して対向基板３０の隣り合う２辺の反射面に入射するように構成されていると共に、その隣り合う２辺の反射面に入射して反射した第１の反射光Ｌｂが対向基板３０の他の隣り合う２辺の反射面に入射して反射した第２の反射光Ｌｃを受光して受光量を感知する光センサー部Ｓを備えている。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気によ
る不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接し
て、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成され
ていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の
周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パ
ターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピ
ッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリ
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部（配向膜を含む）に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。
その画素部の構成を図１に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。
また、対向基板上にＢＭ層を作製する代わりにゲート信号線周辺をＢＭで覆い、このＢＭを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】画素、メモリ部、又はＣＭＯＳ回路等に配置されたトランジスタのチャネル形成領域２１３、２１４と重なる第１の配線（ゲート電極）の一部または全部と第２の配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路及び第２の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第１の薄膜トランジスタは、第１のゲート電極層と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層と、前記第１の酸化物半導体層の一部に接し、且つ前記第１の酸化物導電層及び前記第２の酸化物導電層の周縁及び側面に接する酸化物絶縁層と、第１のソース電極層と、第１のドレイン電極層と、を有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２のゲート電極層と、第２の酸化物半導体層と、透光性を有する材料により構成された第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成された対向電極ＣＴと、前記対向電極と絶縁膜を介して設けられ、且つ透明導電膜で形成される平面状の画素電極ＰＸを有し、前記各画素領域には、前記ドレイン信号線ＤＬと前記ゲート信号線に接続された薄膜トランジスタが形成され、且つ、前記対向電極に電気信号を供給する対向電圧信号線が形成され、前記対向電極は、前記画素電極と前記ドレイン信号線に対して液晶層側に形成され、且つ、前記画素電極と前記ドレイン信号線に重畳する位置に形成されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】高開口率化及び高精細化に対応した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１２と、走査線を覆って形成した絶縁膜２１と、各走査線１２に交差する交差部１３Ｄを有する複数の信号線１３と、走査線と信号線とに隣接して配設した画素電極と、半導体層、ゲート絶縁膜、前記走査線に接続したゲート電極と、ドレイン電極１４ｂ及びソース電極１４ａの何れかで信号線に接続された一方の電極と、画素電極に接続されたドレイン電極及びソース電極の他方の電極と、ドレイン電極及びソース電極が信号線に沿う方向に直線状に配置された複数の薄膜トランジスタ１４と、第１の重ね合わせ部１７ａが交差部１３Ｄ上に重なり第２の重ね合わせ部１７ｃが一方の電極上に重なり一方の電極と信号線とを接続する複数の中継電極１７と、を具備し、中継電極の第１の重ね合せ部は走査線１２の幅方向の両側端部１２ｂ、１２ｃに対応する絶縁膜２１の段差部１３Ｅ，１３Ｄを覆う長さを有する。 （もっと読む）

【課題】単チャンネル薄膜トランジスタのみを使用する表示パネルにおいて、画素に光センサを組み込む場合に、光センサとしてＰＩＮ型ホトダイオードを使用せずに、コストを低減する。
【解決手段】複数の画素を有する表示パネルを有し、複数の画素の中の少なくとも１つの画素は光センサを有する表示装置であって、前記光センサは、受光部と、容量素子とを有し、前記受光部の前記表示パネルの観察者側と反対に、自表示パネルから発光する光を遮光する遮光膜を有し、前記受光部は、ｎ型の薄膜トランジスタで構成され、Ｖｇ、Ｖｓ、Ｖｔｈを、それぞれ前記薄膜トランジスタのゲート電圧、ソース電圧、しきい値電圧とするとき、センサ受光期間内に、前記薄膜トランジスタのゲートに、Ｖｇ≦（Ｖｔｈ−２．０Ｖ＋Ｖｓ）の逆バイアス電圧を入力し、前記センサ受光期間内に前記薄膜トランジスタを流れる電流により充電された前記容量素子の電圧を、前記光センサの出力として取り出す。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、ゲート電極層、ソース電極層、及びドレイン電極層を透光性の導電膜を用いて作製し、開口率を向上させる。 （もっと読む）