【課題】
表示装置の高解像度化や小型化、さらには画素の開口率の向上を行った場合でも、半導体層に入射する光を効果的に遮断し、ホトコン電流による表示品質の低下を防止することが可能な表示装置を提供すること。
【解決手段】
前記基板上に、第１絶縁膜と、ゲート電極と、ゲート電極の上層に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上層に形成された半導体層とが積層され、前記第１絶縁膜は開口部を有し、前記ゲート電極は、前記開口部に倣って形成された窪みを有し、前記半導体層の全部、又は前記半導体層の端部は、平面的に見て前記窪みと重畳していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストの広がりを容易に制御して、寄生容量の増加を抑制する。
【解決手段】ゲート電極１１ａａ上に、ゲート絶縁膜１２、第１半導体膜１３、第２半導体膜１４及び金属膜を成膜し、金属膜上にレジストを形成する工程と、レジストから露出する金属膜、及びレジストの薄膜部の下層に配置する金属膜の上層部をエッチングしてソースドレイン形成層１５ａを形成する工程と、レジストＲｂｂから露出するソースドレイン形成層１５ａ及び第２半導体膜１４の温度差に基づいてリフロー処理を行いレジストＲｂｃに変形する工程と、レジストＲｂｃを用いて第１半導体層１３ａ及び第２半導体層形成層１４ａを形成する工程と、レジストＲｂｃを除去した後に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、両電極から露出する第２半導体層形成層１４ａをエッチングして第２半導体層１４ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を均一に確保できる結晶化用光マスク及びそれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶化用光マスクは、スリットが一定に配列されている一つ以上のスリット領域を含み、前記スリットはマスクの移動方向に対し一定角度で傾斜して設けられ、スリット領域は、第１の長さを有する第１部分と第１の長さよりも長い第２の長さを有する第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】画質が明るく安価な発光装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む発光装置において、画素部および駆動回路は全てｎチャネル型の半導体素子で形成され、製造工程が簡略化されている。また、画素部に設けられた発光素子は、絶縁体から遠ざかる方向に放射されるため、ほぼ画素電極（ＥＬ素子の陰極に相当する）全体が有効発光領域となる、従って、画素電極の面積を有効に活用した表示領域とすることができ、画質が明るく安価な発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】対向電極が平面ベタで形成され、層間絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極が形成されたＩＰＳ方式液晶表示装置において、対向電極とその上に形成された層間絶縁膜が剥離することを防止する。
【解決手段】有機パッシベーション膜１０７の上に平面ベタで対向電極１０８が形成されている。対向電極１０８の上に層間絶縁膜１０９を形成する前に、プラズマアッシャー処理を行う。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜１０７の表面が削れてオーバーハング部であるＡ部が形成される。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜１０７の表面が削れるとともに、対向電極１０８の表面も粗面化されるので、層間絶縁膜１０９の有機パッシベーション膜１０７あるいは対向電極１０８との接触面積が増大し、接着力が上昇する。また、プラズマアッシャーによって対向電極１０８上のレジスト残りも除去されるので、層間絶縁膜１０９の接着力が増大する。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造工程数やマスク数が少なく、製
造コストが低い半導体装置及び液晶表示装置並びに電子機器を提供することを課題とする
【解決手段】基板の一方の表面の全面に形成された第１の電極と、前記第１電極の上に形
成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄
膜トランジスタ上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成され、複数の
開口を有する第２の電極と、前記前記第１の電極と前記第２の電極との間に液晶とを有し
、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電界によって、前記液晶を制御する液晶表示
装置である。 （もっと読む）

【課題】画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。
【解決手段】液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、ＣＭＰ処理において一様の研磨レートが得られる。 （もっと読む）

【課題】 シール材の内側と外側とで基板間の距離を均一化することによって、セル厚ムラが生じず、表示領域全体で表示の均質化を図ることができる液晶表示用パネル及びそれを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ基板とそれに対向する対向基板がシール材で貼り合わされ、該シール材で囲まれた領域の内側に液晶層が挟持された液晶表示用パネルであって、
該液晶表示用パネルは、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーが配置され、該薄膜トランジスタ基板は、スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しい液晶表示用パネル。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一とする。周囲が明るい環境でも薄暗い環境でもその環境に合わせて画像表示を認識できる液晶表示装置を提供する。或いは、外光を照明光源とする反射モードと、光源を用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の領域及び第２の領域を有する画素部と複数の光源とを有し、第１の領域及び第２の領域は、入力される画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。フルカラー画像の表示を行う場合、光源から、第１の領域に異なる色相を有する光が第１の輪番に従い順次供給されると共に、第２の領域にも異なる色相を有する光が、第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い順次供給される。モノクロ画像の表示は画素電極が有する反射領域で外光を反射することで行う。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】静電気の荷電量に関係なしに静電気から液晶表示基板を保護することにある。
【解決手段】画像を表示する多数の画素電極と半導体素子とを有している透明な絶縁の第１基板と、前記第１基板上に形成され前記半導体素子と連結された配線と、隣接した前記配線との間に連結され、前記第１基板から発生される静電気を消耗させる多数のスパーク誘導回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の視点に画像を表示可能な画像表示装置において、画素開口部に配置された構造物に起因する問題を抑制し、高開口率を実現する。
【解決手段】第１と第２の視点用の画像を表示するサブ画素を含む表示単位が配列された表示素子と、サブ画素Ｐからの光を異なる方向に振り分ける光学手段とを有し、隣接画素対は、データ線Ｄとゲート線Ｇと蓄積容量電極で囲まれた領域を開口部と定義した場合に、１本のデータ線を挟んで配置された２つのサブ画素からなる隣接画素対を基本単位として構成される。隣接画素対４ＰＡＩＲは隣接して配置される。２つのサブ画素がそれぞれ有するスイッチング手段は、２つのサブ画素に挟まれたデータ線Ｄに接続され、異なるゲート線Ｇによって制御される。Ｋ本の蓄積容量線ＣＳは、サブ画素の第１の方向へ幅をＫ＋１等分に分割する仮想線を仮定した場合に、開口部において仮想線のうち少なくとも1本を跨って配置される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、より低消費電力化を達成する。より視認性が良好で高画質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層を、第１の共通電極層と第２の共通電極層とで挟持された液晶層中央に配置することによって、第１の共通電極層、液晶層、及び画素電極層からなる第１の液晶素子と、画素電極層、液晶層、及び第２の共通電極層からなる第２の液晶素子という２つの光学素子を積層する構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】電極による可視光の反射率を向上させること。
【解決手段】半導体基板１０の上方に設けられ、液晶層３２を透過した光を反射する電極２４と、前記電極上に形成された酸化シリコン膜２６と、前記酸化シリコン膜上に形成された窒化シリコン膜２８と、を具備し、前記酸化シリコン膜の膜厚をｄ１、前記窒化シリコン膜の膜厚をｄ２としたとき、ｄ１が７０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、かつｄ２が６０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置において、画素の開口率を向上させたアレイ基板および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】共通電極、画素電極、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタを覆って設けられた複数色の着色画素、および保護層より構成される横電界方式の液晶表示装置に用いられるアレイ基板において、前記着色画素上に共通電極が配置され、さらに前記共通電極上に絶縁層を介して画素電極を備えたことを特徴とするアレイ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、相対的に低温工程で製造された薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターを使用して相対的に低温工程で製造された表示装置と、前記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスターは、基板本体と、前記基板本体上に位置し、２０００〜８０００ｏｈｍ／ｓｑ範囲内の表面抵抗を有する多結晶シリコン膜で形成された半導体層と、前記半導体層とそれぞれ互いに接触し、３５０〜２０００ｏｈｍ範囲内の抵抗を有する金属物質で形成されたソース電極およびドレイン電極とを含む。 （もっと読む）