【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが第１の支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、第１の支持基板１と対向する第２の支持基板２が設けられており、第２の支持基板２における第１の支持基板１側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在せず、第２の支持基板２における第１の支持基板１と反対側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置されゲート配線に印加されるト電位が供給される電極ＥＢと、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備え、電極ＥＢの端部と端部に対向した共通電極ＣＴとの間に絶縁体ＳＳが配置されている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】被読み取り物の検出精度が高い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置に、光検出式タッチセンサ及び容量式タッチセンサと、外光の照度を検出する照度センサとを設ける。そして、当該照度センサによって検出された照度情報に基づいて光検出式タッチセンサ及び容量式タッチセンサのいずれを用いて撮像を行うかを選択する。すなわち、２種のタッチセンサの中から適切なタッチセンサを選択する。これにより、被読み取り物の検出精度が外光の影響によって低下することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、溝２６０を中空に封止するにあたって、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２４を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、第１封止膜２７の貫通部２７５を介して犠牲膜を除去する。そして、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成し、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐ。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の上に配置されるとともに第１上面及び前記第１上面から前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記第１上面に配置された上部電極及び前記上部電極と繋がり前記第１コンタクトホールに配置され前記スイッチング素子に電気的に接続された下部電極を有する島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の前記第１上面に配置され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置されるとともに前記中継電極の前記上部電極及び前記下部電極まで貫通した第２コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第２コンタクトホールで前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用する。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。 （もっと読む）

【課題】黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れとい
った液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】画素電極２０３ａ〜２０３ｂの一部を凸部２０４に重なり合うように形成す
る。凸部の高さが高すぎると、液晶が基板面に対し斜めに配向することによるため、光漏
れが増える（図１（ｃ））。凸部の高さが低いと、ディスクリネーションを減らす効果が
低い。そこで最適な凸部の高さを決定する。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】データ線と電界効果型トランジスターとを電気的に接続するコンタクトホール内の構成を改良して、コンタクトホールでの迷光の反射、およびデータ線の抵抗ばらつきを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、コンタクトホール４２ａの内部には、コンタクトホール４２ａの内壁４２ａ₁に沿って導電性の多結晶シリコン膜６０ａが形成され、多結晶シリコン膜６０ａに対して内壁４２ａ₁とは反対側にはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムからなる遷移金属膜６６ａが積層されており、データ線６ａは、導電性の多結晶シリコン膜６０ａと、金属材料層６５（遷移金属膜６６ａ、アルミニウム膜６７ａおよびチタン窒化膜６８ａ）との積層構造を有している。多結晶シリコン膜６０ａと遷移金属膜６６ａとの間にはシリサイド層６１が介在している。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ等の酸化物半導体膜からなる薄膜半導体装置において、無酸素雰囲気中で加熱しても酸素が酸化物半導体膜に拡散してＴＦＴ特性を発現する薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体装置は、ガラスの基板２０、ゲート電極２３Ｇ，ゲート絶縁膜２１、ソース電極２３Ｓ、ドレイン電極２３Ｄ、ＩＧＺＯの酸化物半導体膜２４、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）の酸素放出絶縁膜２５、保護膜２２からなる。薄膜半導体装置は、蛍光表示装置等の薄膜形成時における加熱工程、焼成工程、封着工程において加熱すると、酸素が酸素放出絶縁膜２５から放出されて酸化物半導体膜２４に拡散してＴＦＴ特性を発現する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、前記スイッチング素子の上に配置され前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に形成され前記第１コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の上に形成され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置され前記第１コンタクトホールの直上の位置とは異なる位置で前記中継電極まで貫通した第２コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成され前記第２コンタクトホールを介して前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えた第１基板を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とＦＰＣを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０１上の接続配線１８３は端子部１８２において異方性導電膜１９５によって、ＦＰＣ１９１に電気的に接続される。接続配線１８３はアクティブマトリクス基板１０１上のＴＦＴのソース／ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜と透明導電膜の積層膜でなる。異方性導電膜１９５との接続部分において、接続配線１８３の金属膜の側面は保護膜で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜、下地の絶縁膜１０９、保護膜に接して囲まれ外気に触れることがない。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また
、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する
第１のトランジスタと、電気信号を増幅する第２のトランジスタとを有し、受光素子はシ
リコン半導体を用いて形成され、第１のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されて
いる。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するｎ
層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている。 （もっと読む）