【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による製造方法は、基板に無機材料の突起を形成するステップと；それぞれ第一透明導電層と第一金属層からなる反射領域パターン、ゲートライン及びゲートラインから分岐して出されるゲート電極と共通電極を形成するステップと；半導体層からなる活性化ランドパターンと第二金属層からなるデータラインパターンを形成し、活性化ランドパターン上でデータラインに接続されるソース電極とドレイン電極、及び半導体層からなるチャネルを形成するステップと；基板に無機材料を塗布し、無機材料に対して焼き戻し工程を行って一平坦層を形成し、ドレイン電極にビアホールを形成するステップと；反射領域に、ビアホールを介してドレイン電極に接続され且つ第二透明導電層からなる画素電極を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】コモンコンタクト部と対向基板との電気的な接続を良好にするコンタクト構造を提供する。
【解決手段】第１の導電膜３１８と、第１の導電膜上に設けられた絶縁膜３１９と、絶縁膜に設けられた開口部と、開口部において第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜３２３と、導電性スペーサ４０１と、が設けられたコモンコンタクト部と、コモンコンタクト部上に対向して設けられた第３の導電膜２５２と、を有し、第２の導電膜と第３の導電膜は、導電性スペーサにより電気的に接続されており、第３の導電膜上には、第４の導電膜５０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表示装置は下部基板、有機膜パターン、第１画素電極、誘電膜、及び第２画素電極を含む。下部基板はスイッチング素子を具備する。有機膜パターンは、前記下部基板上に配置され、画素領域に段差部を含む。第１画素電極は画素領域の有機膜パターン上に配置される。誘電膜は第１画素電極上に配置される。第２画素電極は誘電膜上で第１画素電極と部分的に重畳される。第１画素電極のモルフォロジーによって不均一な垂直電界発生が抑制されて表示装置、特に画素電極と共通電極との間に発生されたフリンジフィールドを使用するＰＬＳモード方式の液晶表示装置の輝度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延出した副画素電極と、前記副画素電極の一端側に接続され第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第１主画素電極と、前記副画素電極の他端側に接続され第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出した第２主画素電極と、を備えた第１基板と、前記副画素電極を挟んだ両側にそれぞれ配置され第１方向に沿って延出した第１副共通電極及び第２副共通電極と、前記副画素電極の一端側で第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第１副共通電極と接続された第１主共通電極と、前記副画素電極の他端側で第２方向に沿って前記第２主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第２副共通電極と接続された第２主共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２０１上に３層以上のｎ層の導電層２０２〜２０４が積層して形成され、ｎ層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、（ｎ−１）個の導電層２０２，２０３を接続する（ｎ−１）個の接続領域２１１，２１２を有し、（ｎ−１）個の導電層のうち基板２０１に対する積層方向（基板２０１の主面に対する法線方向）において第１層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンＣＰＴＮの縁の一部に臨むように形成され、（ｎ−１）個の導電層は、第ｎ層の導電層により電気的に接続されている。第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】Ｎｃｈトランジスター８２と、外部接続用端子２３（２３ｂ）に接続されたＶＳＳ電源配線７５と、ＶＳＳ電源配線７５と異なる配線層に設けられた第１中継配線８５ｂと、を備え、Ｎｃｈトランジスター８２のソース８８ｄが第１中継配線８５ｂを介してＶＳＳ電源配線７５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】優れた特性、即ち、十分な導電性が得られ、比較的低温の実用的な条件で製造することができ、組成比の調整によって導電性を制御することが可能な特性を有する新規なｐ型酸化物などの提供。
【解決手段】組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ_２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し、０≦ｘ＜１００、かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり、前記Ａが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選択される少なくともいずれかを含むｐ型酸化物である。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ（背面基板）とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第１の基板１と、上記第１の基板１上に設けられた実質的に透明なゲート電極２と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極３と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜４と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層５と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極６と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極７と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】情報処理と光制御とを一括して光制御基板１枚で処理する場合、例えば低リークを必要とするＴＦＴと、高速動作するＴＦＴ等、特性の異なるＴＦＴを同一基板上に形成することが必要となってくる。しかしながら、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるＴＦＴを形成すると、ＴＡＴが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】第１ＬＤＤと、第２ＬＤＤの２水準の濃度を持つＬＤＤを一つのハーフトーンマスクでレジストを形成した。レジスト膜厚は、第１ＬＤＤには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通る設定とし、第２ＬＤＤではレジストを開口させた。低加速エネルギーでイオン注入することで、第２ＬＤＤにはこのイオン注入で１回めのイオン注入が行われる。次に、高加速エネルギーでイオン注入することで第１ＬＤＤには高加速エネルギー分の不純物が入り、第２ＬＤＤには２回分の不純物が入る。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるＴＦＴを同一基板上に形成する場合、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるＴＦＴを形成すると、ＴＡＴが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】１つのハーフトーンマスクを用いて、第２領域１５６とチャネル前駆体１６１ａとソース・ドレイン前駆体１６５ａとで膜厚の異なる段差レジストを形成する。ＮＭＯＳＴＦＴのチャネル前駆体１６１ａには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通るレジスト膜厚の設定とし、ソース・ドレイン前駆体１６５ａではレジストを開口させた。まず低加速エネルギーでソース・ドレイン前駆体１６５ａにイオン注入し、次に、高加速エネルギーでチャネル前駆体１６１ａにイオン注入する。第２領域１５６では２回の注入で、不純物が透過しないレジスト膜厚に設定する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】
アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】
基板（ＳＵＢ）上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線（ＬＮ）で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔（ＣＨ）及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜（ＯＰＡＳ）と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたＩＴＯ膜（ＩＴＯ）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）