【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】画素電極１３の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、画素電極１３との間に補償容量Ｃｓを形成する容量電極２６を備え、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が、画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置を提供する。
【解決手段】互いに対向し液晶層７を挟持する第１基板４及び第２基板５と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２１と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２１のドレイン電極端子３５と同じ層に設けられ、該ドレイン電極端子３５と接続された画素電極２２と、スイッチング素子２１及び画素電極２２を覆って第１基板４上に設けられた絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた共通電極２４とを有する液晶装置である。画素電極２２と共通電極２４との間に横斜め電界Ｅが形成され、この横斜め電界Ｅによって液晶分子が基板水平面内で配向制御される。共通電極２４はベタ状態の電極であり、開口率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層及び共通電極層が、液晶層に突出し、かつ隣接するもの同士が液晶層を介在して間隔をもって噛み合うように配置される。 （もっと読む）

【課題】走査線をパターニング後、レジスト剥離の際、剥離液と水で形成されるアルカリによって走査線の断面端部が逆テーパとなることを防止する。
【解決手段】基板１００にＡｌ合金層１０１１とＭｏＣｒ合金層１０１２を積層し、ＭｏＣｒ合金層１０１２にレジスト５０を形成し、ＭｏＣｒ合金層１０１２、Ａｌ合金層１０１１の順にウェットエッチングする。Ａｌ合金層１０１１にはテーパθが形成されている。この状態で、基板１００をチャンバー内に投入して窒素プラズマ処理を行うことにより、Ａｌ合金層１０１１の端部側面にはＡｌＮ層１０１３が形成される。Ａｌ合金層１０１１の端部にＡｌＮ層１０１３が形成されているので、レジスト剥離を行う際に、剥離液と水で形成されるアルカリによって、Ａｌ合金層１０１１がサイドエッチされて走査線断面が逆テーパとなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】バックライトからの光を有効利用することによって非自発光表示部の輝度を向上させた液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
液晶層を介して対向配置される一対の透明基板を備え、少なくとも、光を透過し得る透光領域と光を遮光する遮光領域を有する非自発光表示部と、非自発光表示部の裏面側からバックライト光を照射するバックライト部とを備える液晶表示装置であって、前記一対の透明基板の内で前記バックライト部側に配置される透明基板は、当該透明基板の液晶層側に積層され、前記透光領域に対応する開口領域が形成される金属薄膜からなる反射膜を備え、前記開口領域に入射される前記バックライト光を通過させると共に、前記反射膜が形成される領域に入射される前記バックライト光を前記バックライト部側に配置される透明基板に反射させる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズが発生せず高画質を実現する。
【解決手段】基板上部にゲート電極とゲート配線を形成する段階と、第１絶縁膜を形成する段階と、アクティブ層を形成する段階と、オーミックコンタクト物質層を形成する段階と、窒化シリコン膜ＳｉＮ_xでなるバッファ層を形成する段階と、ゲート電極の周辺によって定義される境界部内にアクティブパターンとオーミックコンタクトパターンで構成されるアイランドを形成する段階と、アイランド上部に透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極の下部のアクティブ層パターンの両端に別々に隣接したオーミックコンタクト層を形成する段階と、基板の上部に第２絶縁膜を形成する段階と、第２絶縁膜とドレイン電極の不透明導電物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】素子基板の一方面側に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００では、対向基板２０の側から素子基板１０の一方面側に入射した光を反射性の画素電極９ａの表面で反射して画像を表示する。また、画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。ここで、画素電極９ａ、および反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）の表面は鏡面になっている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にｉ型（真性）化されたものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電を防止するための金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過して酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】表示領域と周辺領域とにおいて層間絶縁膜の表面を連続した平坦面とすることができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して低い第１スルーホール（表示領域側第１スルーホール７２ａおよび周辺領域側第１スルーホール７２ｂ）が開口している。層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して高い第２スルーホール（表示領域側第２スルーホール７３ａおよび周辺領域側第２スルーホール７３ｂ）が開口している。このため、層間絶縁膜７２表面に段差７２ｘが形成されるが、かかる段差７２ｘは、層間絶縁膜７３の表面を研磨する際の研磨速度の差によって相殺される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有すること。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用
いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いて
ＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体
基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との
密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、入射光を正確に電気信号に変換することを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタを有し、第２のトランジスタは、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、第３のトランジスタは、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を放電する機能と、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを非導通状態とする期間において、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのゲートに印加される電圧レベルを、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのソース及びドレインの低電圧の側の電圧レベルより小さくする。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズの発生を抑制することの出来る、高画質を具現する横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 （もっと読む）